三极管应用：直流有刷电机H桥驱动电路——从原理到实践的完整指南

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引言：为什么要用H桥？

直流有刷电机控制是嵌入式系统中的常见需求，涉及机器人、智能小车、电动工具等广泛领域。要实现电机的正转、反转、刹车和调速，最经典、最核心的电路就是H桥。其名称来源于电路形状像一个英文字母“H”：电机位于中间，四个开关管（通常是MOSFET）分列四臂。

MCU的GPIO无法直接驱动电机，原因有三：1) 电流不足；2) 电压不匹配；3) 无法控制方向。H桥电路完美解决了所有问题。本指南将带你从零开始，理解、设计并搭建一个由N沟道和P沟道MOSFET构成的、由MCU直接控制的H桥电机驱动电路。

第一章：H桥基础工作原理

1.1 电路基本结构与开关逻辑

一个标准的H桥由四个开关（S1, S2, S3, S4）和一个电机（M）组成。电机连接在左右桥臂的中点。

Vmotor (VM)
  |
 S1     S3
  |--M--|
 S2     S4
  |
GND

控制逻辑如下：

• 正转：关闭S2和S3，导通S1和S4。电流路径：VM -> S1 -> M -> S4 -> GND。

• 反转：关闭S1和S4，导通S2和S3。电流路径：VM -> S3 -> M -> S2 -> GND。电流反向流过电机。

• 刹车（动态刹车/滑行刹车）：

• 滑行刹车：关闭所有开关。电机依靠惯性自由滑行停止。

• 动态刹车：将电机的两端短接在一起（如导通S2和S4，或S1和S3）。电机旋转产生的反电动势会在短接回路中产生电流，该电流产生制动力矩，使电机快速停止。

• 停止（高阻态）：关闭所有开关。与滑行刹车相同。

• 调速：在“正转”或“反转”状态下，对控制对应开关管（通常是低边管）的PWM信号进行占空比调节，改变电机两端的平均电压，从而实现速度控制。

重要警告：绝对禁止的“直通”状态

严禁同时导通S1和S2或S3和S4（即同一桥臂的上下管同时导通）。这会造成电源VM到地（GND）的直接短路，产生巨大的短路电流，瞬间烧毁MOSFET。这是H桥设计的首要安全准则。

1.2 开关器件的选择：为什么是MOSFET？

早期H桥使用BJT，但现代设计几乎全部使用MOSFET，尤其是功率MOSFET，原因如下：

• 驱动简单：MOSFET是电压控制型器件，栅极（Gate）驱动几乎不消耗稳态电流（仅对栅极电容充放电），对MCU更友好。
• 导通损耗低：优秀的MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流下压降和发热远小于BJT的饱和压降。
• 开关速度快：适合高频PWM工作，实现更精细的调速和更低的噪声。

第二章：核心电路设计与MOSFET选型

我们将设计一个由N沟道和P沟道MOSFET混合构成的H桥，适用于MCU GPIO（3.3V/5V）直接驱动逻辑。

2.1 电路拓扑：半桥驱动芯片的简化替代方案

最理想的H桥使用4个N沟道MOSFET（因其Rds(on)更低），但驱动高边N-MOS需要高于电源电压VM的栅极电压（需要自举电