stm32f407片内Flash写失败问题排查记录

省流：FLASH_Program_DoubleWord函数使用时要求Vpp电压为7V~9V。

最近项目选择使用stm32f407来做，之前都是用的嵌入式linux板子。第一次用单片机做项目，买了现成的板子，然后基于自带的例程代码进行修改。
在做参数存储的时候，用的HAL库来进行单片机自身的Flash读写操作。因为要存储的参数是double数据，所以直接用联合体来做。

union 
{
	double data_f;
	uint64_t data_d;
}

对data_f赋值后，直接用HAL_FLASH_Program函数，写入FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD类型的数据来存储data_d，结果写入一直失败。自带的例程写入FLASH_TYPEPROGRAM_WORD类型的数据，每次都能成功。试了好多次，后来进入到HAL_FLASH_Program内部查看源码，发现在写入FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD时会调用函数FLASH_Program_DoubleWord，而在这个函数上面有一段注释。里面说明了使用这个函数，设备的Vpp电压必须在7V~9V之间。而楼主使用的板子没有接Vpp供电。所以将联合体改成下面的格式，然后用byte写入，解决问题。

union 
{
	double data_f;
	uint8_t buf[8];
}

/**
  * @brief  Program a double word (64-bit) at a specified address.
  * @note   This function must be used when the device voltage range is from
  *         2.7V to 3.6V and Vpp in the range 7V to 9V.
  *
  * @note   If an erase and a program operations are requested simultaneously,    
  *         the erase operation is performed before the program one.
  *  
  * @param  Address specifies the address to be programmed.
  * @param  Data specifies the data to be programmed.
  * @retval None
  */
  static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)