内存泄露越界的一种检测方式,只能检测部分

本文介绍了通过封装内存操作函数来预防内存越界错误的方法,包括使用魔数检测内存边界及记录分配信息来追踪可能的内存泄漏。

内存越界在代码编写中很常见,下面介绍如果防止部分内存越界。


一般而言,系统中存在下面几个函数:malloc,free,memcpy,memcmp

首先要做的是将上述函数进行封装,前面加上前缀优快云_Malloc,优快云_Free,优快云_MemCpy, 优快云_MemCmp,

malloc的时候,多申请8个字节,头部4个字节,尾部4个字节,中的内存返回。然后对头部和尾部的字节进行魔鬼数字处理,这样在释放内存的时候,检查魔鬼数字是否被改写,如果被改写肯定说明存在内存越界写。

malloc内存的时候,把这些数据保存起来,包括首地址和长度,然后再memcpy的时候做一些检查处理,检查是否越界读,或者越界写。


如果维护好了malloc内存列表,还是可以实现内存泄露的检测。

malloc的时候传入一个标识,说明是静态分配,还是动态分配。对于动态分配的内存,超过1小时就认为这块内存泄露了。

基于STM32 F4的永磁同步电机无位置传感器控制策略研究内容概要:本文围绕基于STM32 F4的永磁同步电机(PMSM)无位置传感器控制策略展开研究,重点探讨在不依赖物理位置传感器的情况下,如何通过算法实现对电机转子位置和速度的精确估计与控制。文中结合嵌入式开发平台STM32 F4,采用如滑模观测器、扩展卡尔曼滤波或高频注入法等先进观测技术,实现对电机反电动势或磁链的估算,进而完成无传感器矢量控制(FOC)。同时,研究涵盖系统建模、控制算法设计、仿真验证(可能使用Simulink)以及在STM32硬件平台上的代码实现与调试,旨在提高电机控制系统的可靠性、降低成本并增强环境适应性。; 适合人群:具备一定电力电子、自动控制理论基础和嵌入式开发经验的电气工程、自动化及相关专业的研究生、科研人员及从事电机驱动开发的工程师。; 使用场景及目标:①掌握永磁同步电机无位置传感器控制的核心原理与实现方法;②学习如何在STM32平台上进行电机控制算法的移植与优化;③为开发高性能、低成本的电机驱动系统提供技术参考与实践指导。; 阅读建议:建议读者结合文中提到的控制理论、仿真模型与实际代码实现进行系统学习,有条件者应在实验平台上进行验证,重点关注观测器设计、参数整定及系统稳定性分析等关键环节。
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