关于MCU内部flash存储数据的寿命及提高擦写次数的方法

最近在做便携式储能电源的项目，其中需要用flash实时存储电池的电量(1~100),由于芯片的最小擦写次数时10000次，所以，对于flash的擦写寿命进行了研究，下面是网友的一些见解，觉得有些道理，这里记录一下，以防后续忘记，也供大家参考。

一，FLASH寿命测试（源自网络，有兴趣者可自行测试）

测试的flash型号是sst39vf160，由于测试时间的问题，只测试了一个扇区4个字节，用了整整一个星期才完成所有测试，测试结果总结如下：
    1、flash有寿命限制，sst39vf160手册上说是10万次，实验片的实测却超过80万次。
    2、每一个位的寿命是独立的，也就是说，一个字节的bit0失效了，bit1仍然可以正常操作。
    3、flash的寿命指的是被改写的次数，如果一次擦除或写操作不改变某一个位的内容，该位就不会被磨损。比如一个字节被反复执行“擦除-写入0xfe”操作，把bit0损坏后，该字节高7位的寿命丝毫不受影响。
    4、flash磨损后，总是表现为擦除不干净，多擦除几次又能够擦干净，随着磨损程度的加剧，越来越难以擦除干净，但只要擦干净了，写入一定是正确的。但写入的数据是否牢固就没有办法测了。
    5、只要原来内容是1的位，总是可以被写入，但只要原来内容是0的位，就只有擦除才能改为1.

    实测数据，对一个字节反复写0和擦除，寿命指的是写0的次数。
    第一次擦除不干净的寿命：876842次
    第一次出现连续两次擦除仍然不干净的寿命：1169465次