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RSS订阅原创 基本电流源
下图是一个直接耦合的共射放大电路，讨论交流小信号时，放大倍数当晶体管已经选定时，要想获得较高放大倍数，就必须增大Rc的阻值，但当Rc比较大时，就必须加更高的电压Vcc，否则直流偏置达不到要求，器件进入饱和区。现在一个比较理想的期望是：Rc比较大能提供大的放大倍数，Vcc处于正常的范围，且能提供稳定的直流偏置。可以解决这个问题：提供稳定的直流偏置，电流恒定；提供足够大的。
2025-07-20 12:29:25
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原创 双极结型晶体管的等效模型以及频率响应
双极结型晶体管，BJT（Bipolar Junction Transistor），是一种三端半导体器件，由两个PN结构成，分为NPN和PNP两种类型。其三个电极分别为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。BJT通过基极电流控制集电极-发射极间的电流，具有电流放大作用。
2025-07-06 18:13:58
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原创 MOS管的工作原理和重要参数
但实际上，即使pn结处于反向偏置的状态下，少子会在内建电场的作用下产生少量的偏移电流，这个电流受温度的影响很大，温度每升高10℃，泄漏电流可能增加 2~5倍。pn结的耗尽层相当于一个绝缘介质的结构，多子需要跨越势垒电压才能移动，外加电压变化时，耗尽层的宽度必然变化，其中储存的电荷也发生变化，表现出电容的特性。正偏时，耗尽层变窄，势垒电容增大。加正电压时，由于电场力的作用，P区中靠近的G极的空穴会被排开，两个PN结之间的载流子空穴掺杂浓度降低，会导致势垒区变宽来补偿内建电场，S,D之间的导电性会变差。
2025-06-02 14:47:19
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原创 集成电路测试（一）
IC测试（集成电路测试）是指通过特定方法和工具对集成电路（Integrated Circuit）的功能、性能、可靠性等进行验证的过程。其目的是确保芯片在设计和制造阶段符合预期规格，并能在实际应用中稳定工作。通过光刻、蚀刻等工艺，可以将电路刻在晶圆上，每个晶圆可以做非常多的chips，之后对晶圆进行切割、封装，就变成了日常生活中常见的芯片。有必要对晶圆上的电路进行测试，称为CP测试，CP测试（Chip Probing）是晶圆级的测试，在芯片切割封装前进行，通过探针接触晶圆上的焊盘检测芯片的电性能和功能。
2025-05-27 13:22:23
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空空如也
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