一个Nandflash方案的小发现

本文对比了使用DIB与DDB加载位图的效率,并通过实验发现微软SMFLASH方案与三星PocketMemory方案在位图加载速度上的差异。微软方案首次加载较慢,但后续速度快于三星方案,推测原因是微软方案采用了缓冲机制。

在做UI的时候用DIB来管理位图资源,为此需要对用DDB加载位图并BLIT和DIB打开位图并BLIT的综合效率进行比较,偶然间发现了微软的SMFLASH和三星的PocketMory方案间的一个小区别:
在用CreateFile第一次打开(设备上电启动)一个800*480*32BPP位图读入创建DIB的时候,微软和三星的方案分别需时280ms、214ms,在关闭此文件再次打开时后者变化不大,而前者变成了204ms。我想之所以有这种变化是因为微软的方案为了保护Nandflash加入了缓冲机制(这应该也是为什么初次打开时前者多出几十ms的原因),不是每次文件操作都是直接访问Nandflash的,而三星的方案则是每次都访问的。

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