WangWill111111的博客

原创 【SOA仿真5】SOA增益纹波计算

本文通过增益纹波公式，计算得到增益纹波数值和增益纹波波长间隔，并根据增益纹波设计需求，可以求得腔面反射率控制需求。

原创 具有大增益、小噪声、高饱和输出功率的新型SOA设计

摘要我们介绍了一种具有高增益（> 40 dB）和高饱和功率（> 21 dBm）的半导体光学放大器（SOA）芯片，其驱动电流适中（1.3 A）。本文提出了一个用于优化新型双段SOA概念的设计模型。该模型的预测结果与制造的芯片上的测量结果非常一致。以增益和饱和输出功率乘积作为性能指标，它展示了迄今为止最佳报道。然而，由于噪声系数略有下降，我们引入了一种先进的设计，使得能够优化噪声系数。I. 引言为了满足光通信系统对更大容量的日益增长的需求，城域网和长途网系统正在考虑将光带宽扩展到L波段和S波段。因此，半导体光放

原创 见合八方将参展2026美国西部光电展

时间‌：2026年1月20日-22日。‌地点‌：旧金山莫斯康展览中心。见合八方展位号：2464。

原创 几种常用硅光芯片光纤耦合方案

本文翻译节选自网站。硅光子芯片是利用CMOS半导体工艺，将波导、调制器、探测器、多路复用器和解复用器等光子器件集成在硅平台上。与传统的分立器件方案相比，硅光子集成芯片具有低成本、低能耗、高集成度、高传输带宽等特点。为了将硅光子集成芯片组装成为微光学系统，需要将光纤与硅波导耦合。为实现高集成度，最好使用光纤阵列进行芯片耦合。此外，光子芯片的波导很小，不能直接与常规单模光纤耦合，需要进行一些特殊处理。硅片和光纤之间耦合主要有垂直耦合和水平耦合两种方式。本文介绍了一些典型的光纤阵列耦合方案。

原创 [企业新闻]坚定方向 持续改进

见合八方管理体系早期脱胎于学校实验室的管理办法，从成本控制、生产效率、质量管理等方面均难以满足行业客户需求，在全球光电产业竞争日趋激烈的背景下，内部管理效能的提升成为企业核心竞争力的重要支撑，为此，公司年初制定了“坚定方向，持续改进，全面管理提升”的工作目标，向行业标杆看齐，苦练内功，从研发、生产、采购、市场、质量多个维度全面优化改进。这不仅是公司本年度全面管理提升工作的重要阶段性成果，更是对年初确立的 “坚定方向，持续改进” 发展理念的生动实践，为企业数字化转型迈出了坚实的第一步。

原创 半导体光放大器SOA增益特性仿真

本文所建立模型的半导体光放大器为行波型放大器，该放大器具有波长平坦增益，同时考虑了载流子时间动态特性和饱和特性。然而，由于半导体光放大器无需进行光电转换，且近年来光半导体制造技术和器件设计取得了突飞猛进的发展，它们在未来全光通信网络中展现出作为器件元件的巨大潜力。在达到饱和值之前，半导体光放大器可有效作为恒定增益放大器工作，此时输出信号不受半导体光放大器非线性响应的影响。同时，从公式（4）还可推断出，当半导体光放大器的输入光功率较低时，其增益高于输入光功率较高时的增益，这就是增益饱和现象产生的原因。

原创 【SOA仿真4】SOA增益系数仿真

参考文献[1]中模型，本文对带隙能、费米狄拉克分布、增益系数进行了数值计算。关键词：半导体光放大器，带隙能，费米狄拉克分布，增益系数。

原创 【SOA仿真】SOA增益饱和特性仿真3

中我们根据SOA本身的结构参数（如波导长度、波导体积）、特性参数（增益系数、透明载流子浓度，耦合参数），注入参数（偏置电流、输入光功率）等作为输入，仿真求解SOA的增益特性。但这两篇文章均没有给出增益与波长的关系，本文主要仿真增益的波长相关性（增益谱）。本文利用简化的载流子速率方程，以及二分法迭代，仿真得到了外部注入（电流及输入光功率）与增益的关系。半导体光放大器SOA、增益、小信号增益、增益饱和、仿真、载流子、速率方程。后续我们还将仿真增益与波长的关系（增益谱曲线），以及增益的动态特性。

原创 【SOA仿真】SOA增益饱和特性仿真2

本篇文章将进一步根据SOA本身的结构参数（如波导长度、波导体积）、特性参数（增益系数、透明载流子浓度，耦合参数），注入参数（偏置电流、输入光功率）等作为输入，结合简化的载流子速率方程，仿真求解SOA的增益特性。通过获得的G[k]，得到该段的输出光功率Pout[k]=Pin[k]*G[k]，并将该值做为下一段的输入光功率Pin[k+1]=Pout[k]，重复上面步骤，直到段尾。式中右侧的三项分别是表面缺陷复合、辐射复合和俄歇复合，相应的，其中A为表面缺陷复合系数，B为辐射复合系数，C为俄歇复合系数。

原创 【SOA仿真】SOA增益饱和特性仿真1

将所有计算结果重新转换为我们习惯的对数坐标，绘制增益曲线（图3）可以发现，与图2中的实测增益曲线相比，曲线重合度较高，并观察到了增益饱和特性（文献[2]）。当半导体光放大器达到饱和状态后，有源区的载流子会逐渐耗尽，进而导致放大器增益下降。为饱和光功率（同样的，对某个特定偏置电流，其也是常数），公式中均为线性单位。为增益峰值波长处的小信号增益（对某个特定偏置电流，该值为常数），P。根据公式1给出的增益方程，针对不同的Pout取值，求解对应的G。将公式7带入公式6，可得到增益方程（公式1）。

原创 可见光的单片集成外腔激光器

----翻译自Lisa V. Winkler等人 2024 年发表的《Chip-integrated extended-cavity mode-locked laser in the visible》锁模激光器在生物成像、非线性频率转换和单光子生成等应用中具有重要意义。在红外波段，通过将激光二极管与低损耗光子电路集成，已成功演示了芯片集成锁模激光器。然而，由于更高的传输损耗和更小的对准容差等额外挑战，此类激光器在可见光范围内的实现一直未能成功。本文中，我们展示了首款利用集成光子电路实现腔扩展的可见光芯片集成

原创 使用平行型子环腔的 23 KHz 线宽 1064 nm SOA 光纤激光器

----翻译自Shien-Kuei Liaw于2024年发表的论文本研究提出了一种高质量的光纤环形激光器，该激光器通过集成半导体光放大器SOA以及四个子环谐振器产生ASE，并利用非线性偏振旋转器效应，当驱动电流为400mA时，激光器在一小时的测试期间表现出0.204 dB的最大功率偏差和0.012nm的波长偏差。此外，利用延迟自外差测量系统，我们测量了自制光纤激光器的线宽为23 kHz。SOA，NPR效应，窄线宽光纤激光器，环形激光器随着激光技术的发展及其在各种高精度行业的应用，稳定的单纵模SLM窄线宽激光

原创 PIC光子集成封装-设计指南

我们建议采用600μm的间距（p），这考虑了PCB上 100μm 的焊盘宽度，以及相邻焊盘（包括信号焊盘和接地焊盘）之间200μm的间距，能实现标准、可靠且具成本效益的PCB制造流程。这种方式非常适合两块光子芯片之间的边耦合，但不建议用于光纤阵列与芯片的边耦合—因为在该平面内对光纤阵列进行抛光，会导致光纤间的有效间距产生较大误差，可能增大插入损耗。例如，通常芯片与光纤阵列的光对准是组装流程的早期步骤之一，但由于芯片或封装的尺寸限制，光纤阵列可能会妨碍引线键合工具的操作，导致无法进行引线键合。

原创 光波导：光子时代的基建工程

原创 硅光子学：硅波导的设计和原型制作

1870 年，人们观看了一场水桶表演，舞台上的两个水桶上下套在一起，上面的桶开了一个小孔，弯曲的水流入下面的桶中。我们先建立光波导三维几何结构，并在波导的两端指定数值端口 边界条件，从而实现两种波导的全三维传播，然后可以在这些数值端口上应用边界模式分析研究（类似于二维模式分析），计算它们的基模。硅波导的关键在于折射率的高对比度，即相差约 50%。我们可以使用 COMSOL对硅波导的二维横截面进行模式分析（高折射率和低折射率两种情况），这样，可以评估波导的有效折射率和基模，从而有助于我们理解归一化功率分布。

原创 【封装技术】先进PIC光子集成工艺

光子芯片集成封装是一种极具潜力的技术，它将光学元件集成到器件中，实现高速数据传输、宽带宽、低延迟和高能效，有望突破传统电子元件技术的局限。尤其是近年来，高性能半导体、量子计算和数据中心领域的快速发展，对高速数据处理与传输提出了更高要求。为满足这些需求，器件封装技术的发展聚焦于实现小型化、高效率和高性能，而光子集成芯片封装正是满足这些需求的理想方案。本文综述了光子集成芯片封装在元件级、芯片级和系统级的最新进展，重点分析了当前该技术面临的问题与挑战，并对未来发展趋势进行了展望。集成电路是支撑当前众多行业发展的关

原创 光子封装中胶水及其使用教程

另一方面，反射光学元件的波前误差受表面误差的影响更大，而且它们往往采用更薄的基底，在胶水收缩时仍容易变形。要确定这一面积，必须知道光学元件的重量（W）、胶水的剪切强度或拉伸强度（J）、最大相对加速度（amax）以及所需的安全系数（SF），以确保设计规格与预期失效之间有一定缓冲。其中，E0 等于胶水的杨氏模量，一旦选定胶水，它就是一个常数。首先，概述了现有不同类型的胶水，详细探讨了它们的力学模型，并基于这些信息，进一步分析了粘合技术在安装中的具体应用场景，以及在各场景中使用的粘合技术的优势和潜在问题。

原创 「封装技术」PIC光子集成封装-从样机到量产

晶圆厂提供的光子集成电路PIC的多项目晶圆（MPW）服务，使得研究人员和中小型企业（SMEs）能够低成本完成硅光子芯片的设计和制造。尽管这些硅光芯片可以在探针台上测试，但如果不将它们封装起来，就无法开发成样机，无法在实验室外进行测试。PIC的光子封装比电子封装更具挑战性，成本高出几个数量级，因为它需要可靠的um级光学对准、精确的温度控制，且通常需要高度的垂直和水平电学集成。光子封装或许是开发具有商业价值的集成光子器件过程中最显著的瓶颈。

原创 用于自由空间光通信的稳健型的高功率单模1550 nm半导体光放大器

Michelle Labrecque, Jenna Campbella, Allen Chua, Kevin McClunea, Steven Estrellaa, Elliot Burkea, Thomas Liua, Henry Garretta, Matthew Larkinsa, Sarah Kinneya, Gordon Morrisona, Leif Johanssona, Milan Mashanovitcha, Paul Leisherb摘要1550 nm波长的瓦级半导体光放大器（SOA）在

原创 见合八方发布1310nm波段宽谱SOA产品

天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注国产半导体光放大器 SOA 研发和生产的高科技企业，目前已推出多款半导体光放大器 SOA 产品 (850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm) 以及增益芯片 RSOA 产品 (850nm,1310nm,1550nm)，公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片 的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。企业官网（中）：http://www.tj.jhbf.cc/

原创 微转印SOA和SA用于790nm脉冲产生

最常见的锁模形式 是使用可饱和吸收体（SA）实现的，可饱和吸收是一种非线性效应，其中材料的吸收率随入 射光功率的增加而降低。此外，脉冲的低重复率导致光谱梳密集。通过使用透镜光纤耦合到波导模式，并使用反射率为 75%的光纤环形镜，形成扩展光纤腔， 对转移后的带有可饱和吸收体的半导体光放大器进行测试，如图2a所示。可饱 和吸收体经过验证，显示出明显的锁模能力，由于微转印方法的高度灵活性，该半导体光放 大器可以集成在不同的波导平台上，未来将该器件微转印到氮化硅等低损耗平台上，可能实 现高质量、低成本的梳状光源。

原创 [新闻]见合八方 SOA 自动测试系统上线

为了进一步提升我司 SOA 量产封装能力，我司自行研发了 SOA 自动化测试系统，于近。以及窄线宽激光器等。支持 LIV 测试、光谱测试、增益谱测试、消光比测试、小信号增益及。测试报告自动生成等功能，大幅提升了我司 SOA 量产能力，缩短了测试时间，减少了人为。通过修改配置文件，该系统可支持多种蝶形器件，包括半导体光放大器 SOA， SLD、该系统具有扫码录入、自动测试、批次汇总报表、测试数据检查、数据自动备份、出厂。测试误差，降低了管理成本，并有更全面的测试数据，便于后期故障排查定位。

原创 一文了解SOA的纹波

图2是我们对同一个SOA器件做的ASE谱和增益谱的对比测试（注：增益谱中的快速变化是测量误差），可以看到增益谱的纹波与ASE谱的纹波波形和周期一致，但增益谱纹波明显小于ASE谱纹波，图2中ASE纹波约为2dB，增益谱纹波0.2dB。从图上看，干涉条纹清晰、等间距、周期性良好，更倾向于是测量系统中的 FP 反射形成的干涉条纹，不是激光器本身的固有模式结构，而是外腔干涉造成的调制现象，源头可能是尾纤、准直透镜与器件之间形成了反射腔。除了芯片本身的端面发射外，芯片的封装，以及SOA的使用不当也会带来纹波或激射。

原创 SOA增益谱与ASE光谱的区别

综上所述，SOA的增益谱与ASE光谱在中心波长、谱宽和纹波等参数上存在明显差异，但两者具有一定的相关性。SOA的ASE是双向传输的，SOA芯片的输入侧和输出侧均有ASE，如果SOA的波导是对称的，材料均匀，电流密度是均匀的，则SOA输入和输出光谱应基本一致。与ASE光谱相比，SOA的增益谱通常具有更宽的谱宽，这是由于在高增益区域容易出现增益饱和现象，从而引发增益压缩效应，使得增益在谱线范围内趋于平坦。SOA的增益谱，是在有输入光条件下，对不同波长的增益特性绘制的“增益vs波长”的谱线。

原创 【SOA用于噪声抑制】光纤DFB激光器中弛豫振荡噪声抑制

然而，就其在传感和计量中的应用而言，光纤激光器的缺点是RO峰值出现在非常低的频率（即低于几兆赫兹），而激光二极管的RO频率在吉赫兹量级。然而，由于RO峰值的幅度和频率取决于激光器的泵浦功率，在SOA的整个噪声抑制带宽内表征RIN降低，以确定可实现的最小RIN是很有价值的。然而，激光器噪声光谱中特有的弛豫振荡（RO）峰值，是由增益介质中粒子数反转与光子密度之间的耦合引起的 ，这会限制其在诸如传感和计量等低频应用中的灵敏度。对于高输入功率，即使在相对较低的SOA驱动电流水平下，也能实现显著的RIN抑制。

原创 一种简易测试半导体激光器远场光斑的方法‌

通过逐点扫描光场光强分布，结合高斯拟合算法，快速获取光斑尺寸及垂直/水平发散角，该方案无需昂贵复杂光学系统，降低了远场光斑测试门槛，适用于激光芯片研发验证、光子集成设计等应用，助力光芯片的性能提升与工艺优化。根据芯片发散角以及光功率计积分球光敏面的大小选择一个合适的远场位置L，L应大于4倍瑞利距离，同时为保证一定的光斑轮廓分辨率，L的选择应确保光斑的垂直和水平直径至少能>3-5倍光敏面大小，L也不能过远，以确保积分球能采集到一定强度的光功率。根据拟合结果，计算远场光斑直径，和远场发散角（θ⊥、θ∥）。

原创 【SOA用于噪声抑制】利用饱和SOA抑制强度噪声

1 引言尽管非相干光源（如LED或基于光纤的ASE源）作为激光技术的经济替代方案，但其性能受到过量光子噪声的限制，这对于采用此类光源的应用而言，成为了关键的设计问题。因此，探索降低这种强度噪声、改善接收信号质量的技术具有重要意义。到目前为止，人们已经提出了多种噪声抑制方案。一种光电子技术利用两个平衡光电探测器和一个单位增益差分放大器（具有交流和直流耦合端口），从接收信号中减去强度波动。尽管这种方法能够改善信号质量，但噪声降低程度受电子电路带宽的限制；在相关实验中，抑制带宽被限制在约1MHz。该噪声抑制方法曾

原创 【SOA用于噪声抑制】非相干光源的强度噪声

----翻译自Anoma Dayawansa McCoy在2005年撰写的博士论文《Intensity Noise Suppression Using A Semiconductor Optical Amplifier: Characterizations and Applications》概述：在这一章中讨论了非相干光源中强度噪声的特性，并研究了这种噪声如何受到源强度、光谱形状和带宽等因素的影响，实验结果和数值仿真用于验证和理解这些特性，为后续章节中提出的噪声抑制技术的评估提供了基础。1 非相干光的统计特

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于精密测量的平面波导外腔激光器特性

低于 10 秒的门时间，短期稳定性似乎在测得的最佳水平附近，这归因于 PW-ECL 的低自由运行频率噪声。如图 2 所示，热调谐有滞后现象，并可能导致调谐范围内的模式跳变，具体取决于PW-ECL经历的热历史，然而，由于模式之间的转换发生得很顺利，我们通常没有观察到稳定的双模激光或跳模。作为这些激光器的可能替代方案，我们评估了 PW-ECL，该激光器专为光学传感应用而开发，可用于 1550nm 光谱范围内密集波分复DWDM的ITU波长通道，蝶形封装的 PW-ECL 比类似性能的激光器更小、更简单、成本更低。

原创 使用SOA对激光器实现噪声抑制

2004 年，英国南安普顿大学的McCoy 等人采用增益饱和的SOA 结合偏振控制，对1.5μm的DFB光纤激光器的弛豫振荡峰实现30dB的抑制幅度，RIN 峰值降低至-140 dB/Hz 的水平[2]。分别使用SOA和EDFA分别对某激光器的相位噪声进行对比，如下图所示，可以看到SOA与EDFA在相位噪声上具有几乎相同的效果，在某些对体积尺寸功耗要求较高的情况下，已可使用SOA进行替代，以便于与其它光子芯片进行集成，同时SOA还可以支持700-1700nm全部波段。图2为实验装置，图3和图4为抑制效果。

原创 【见合八方平面波导外腔激光器专题系列】用于干涉光纤传感的低噪声平面波导外腔激光器2

激光器的线宽≤ 2.6kHz，相位/频率噪声与长腔光纤激光器相当，1kHz时的 RIN≤-147dB/Hz，功率≥10mW。70 kHz速率的解调是通过相位生成的载波激励，然后是真相位数字解调来完成的，该方法具有低自噪声，能够对市面上噪声最低的激光器进行激光相位/频率噪声测量。RIN失真是由于微振动引起的，而尖峰是由于60Hz交流泄露引起的（译者注：全球电网频率主要为50Hz和60Hz ,欧洲、非洲、澳大利亚、中国为50Hz，和美洲、日本等地区是60Hz），即使所有电流源都由电池供电，其谐波也会泄漏。

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于光纤传感的低噪声PLC外腔窄线宽激光器

成本效益高、外形小巧、环境稳定性和可靠性高，使其成为复杂声学/地震传感系统的最佳光源，包括用于石油和天然气海上和下井传感系统的多通道系统，以及其他动态传感，包括水听器、周界和管道入侵检测、基础设施结构健康监测。与基于 FBG 的激光器（ECL 和光纤激光器）相比，PLANEX 腔坚固耐用且本质稳定，激光器的可靠性已通过 Telcordia 认证，集成模块设计用于在恶劣的环境条件和振动下运行。PLANEX 激光器结合了光纤/固态激光器的高性能以及半导体激光器的小尺寸高稳定性、高可靠性和成本效益的优点。

原创 【见合八方平面波导外腔激光器系列专题】1064nm单纵模平面波导外腔激光器‌

在本文中，我们介绍了1064nm的PW-ECL的特性，我们正在将其开发为更大、更复杂的NPRO的替代品。在现有的碘稳定系统[16]中，我们用PW-ECL代替了NPRO，然后是双级镱光纤放大器，放大器的输出使用非线性晶体倍频，产生的532nm光用于探测碘的无多普勒吸收线，频率错误信号被反馈给注入电流。在10Hz以上，PW-ECL和NPRO的噪声分别下降了1/f1/2和1/f，因此，它们的差异在较高频率下变大，在10kHz时，PW-ECL产生的频率噪声大约是NPRO的100倍。

原创 半导体光放大器SOA

----翻译自Michael Connelly在2004年的文章简介在过去的 25 年里，光纤通信网络的部署和容量迅速增长。这种增长是新光电技术的发展带来的，这些技术充分利用了光纤的巨大带宽。如今，系统以超过100 Gb/s的比特率运行，光学技术已是全球信息的主要载体，它也是未来网络的核心。这些功能包括几乎无限的带宽，可以承载几乎任何类型的通信服务，以及允许终端容量升级和灵活通道路由的完全透明性。光放大器使光网络的发展成为可能。光放大器可分为两类：光纤放大器和半导体光放大器SOA。前者主导着传统的系统应用，

原创 使用SOA进行光相位调制

然而，应该注意的是，这里介绍的调制器具有足够的带宽，因为微波传输链路所考虑的比特率通常低于500 Mbit/s。最后，应该注意的是，测量是在 -7 dBm 的光输入功率、70 mA 的偏置电流对应 10dB的光纤到光纤增益下进行的，因此光输出功率为 3 dBm。预测的强度变化如图4 所示，其是反相调制指数的函数，即输入部分的调制电流与输出部分的调制电流之比。如图 2 所示，幅度调制引入的强度变化非常大，对于 QPSK 调制，预计变化高达5dB，这在实际系统中是不能容忍的。

原创 在硅氮化物光子平台中使用可调谐窄线宽端面耦合混合激光器实现光束操控

--翻译自Yeyu Zhu, Siwei Zeng等人的文章摘要基于量子点RSOAs的1.3 µm芯片级可调谐窄线宽混合集成二极管激光器通过端面耦合到硅氮化物光子集成电路得以实现。混合激光器的线宽约为85 kHz，调谐范围约为47 nm。随后，通过将可调谐二极管激光器与波导表面光栅结合，展示了一个完全集成的光束操控器。该系统通过调谐混合激光器的波长，可以在一个方向上实现4.1˚的光束操控。此外，还展示了一个在~1 µm、1.3 µm和1.55 µm波段工作的波长可调谐三波段混合集成激光器系统，用于单芯片中宽

原创 基于放大反馈的可灵活调谐双模半导体激光器

---翻译自Huibin Chen，Zhenyu You等人的文章摘要我们提出并制备了一种基于光学放大反馈的单片集成双模半导体激光器（DML）。该器件利用可调节的光学自注入反馈实现双波长激射，并且其亚毫米级总腔长使其具备作为微波源的潜力。在保持半导体光放大器（SOA）注入电流恒定的情况下，通过向分布反馈激光器（DFB）段注入不同电流，我们实现了可调谐微波信号，其频率范围分别为10 GHz和18 GHz。这一方案大幅简化了系统配置，降低了占用空间、功耗和成本。此外，通过特殊的电流注入方案，该双节半导体激光器可

原创 Tunable laser激光器的前向和后向锁波长方案

在激光器封装时对激光器的波长进行校正，通过调节Etalon的位置或者TEC的温度将激光器的输出波长正确的卡在Etalon的Lock range 中间点，即可记录下激光输出波长和与两个PD之间的比例关系。设两反射面之间的距离为 𝐿，光在真空中的波长为 𝜆，折射率为 𝑛。标准具悬挂在PD 模块上，在热电制冷器（TEC）与etalon之间留有 500 微米的气隙，以此来降低热敏电阻的功耗（即热电制冷器所承受的热负载），并且为实现etalon的无热效应运行和封装外壳到etalon之间的热传导链路被隔开。

原创 基于热增强光纤布拉格光栅（FBG）的热可调窄线宽外腔激光器

具体而言，该激光器实现了35 kHz的线宽和65 pm/℃（8.125 GHz/℃）的高线性热调谐速率，其调谐速率是传统基于FBG的外腔激光器的六倍。在此前采用硅波导光栅的紧凑型ECL设计中，硅材料占据了激光腔体的大部分（在紧凑型ECL设计中，），并且热灵敏度较低（Dg≈1GHz/℃）。通过调节增益芯片的电流，将腔模移动到光栅光谱红边的位置（如图2中标记的B点），可以实现窄线宽输出。提高FBG的热灵敏度可以增加ECL的热调谐速率（DECL），降低调谐速率差异（Ddiff），并实现更大的无模式跳变调谐范围。

原创 通过启发式参数提取校准半导体光放大器的 TLM 模型

此外，一些再生器还在马赫-泽恩德（Mach-Zehnder）[11] 或萨格纳克（Sagnac）[12] 干涉仪的设置中使用SOA 处理光信号，能够处理 DPSK（差分相移键控）[13] 和 QPSK（正交相移键控）[14] 等相位编码信号。通过大量仿真优化了半导体光放大器模型的系统行为，在光增益与偏置电流、不同光输入功率（-25 至 0 dBm）以及不同 I 偏置（0 至 180 mA）下的增益饱和曲线方面，达到了与商用器件实验结果的合理近似。参数 OCE，顾名思义，表示从光纤耦合到放大器的光功率部分。