STM利用内部FLASH模拟EEPROM，负载均衡

最新推荐文章于 2023-09-27 17:14:12 发布

WaliTool

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文章标签： stm flash eeprom

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/WaliTool/article/details/114369543

本文介绍如何利用STM内部FLASH模拟EEPROM，并实现负载均衡，避免频繁擦写导致坏块。通过划分扇区并标记状态，确保数据完整性和存储可靠性。提供源码下载链接及移植指南。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

STM内部FLASH模拟EEPROM，负载均衡

STM官网搜索AN2594
或者点击官方源码可获取到源码

使用场景

当外部没有EEPROM，FLASH等存储介质的时候，可以使用内部的FLASH来模拟EEPROM。
当存储内容几乎不改变，或者改变次数很少，可以直接简单的擦除FLASH，重新写入新的值即可。
而当某些值经常改变，又需要断电保存。就需要实现负载均衡了，避免FLASH多次擦除写入出现坏块的情况

原理概述

总共使用到两个扇区，当扇区写满的时候，拷贝数据，切换到另外的扇区
在这里插入图片描述

每个扇区的最前面两个Byte用于标记扇区状态（0xFFFF空状态、0xEEEE其中一个扇区写满了，切换另外的扇区进行数据搬移、0x0000当前有效扇区）

移植与使用

需要复制的文件eeprom.c，eeprom.h
根据实际需要重新定义"EEPROM_START_ADDRESS",FLASH模拟EEPROM的真实物理地址
根据实际需要重新定义NumbOfVar的大小值
定义虚拟地址， 0xFFFF不得用于定义虚拟地址

uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0x0000,0x0001,0x0002,0x0003};

初始化

  FLASH_Unlock();
  EE_Init();
  FLASH_Lock();

测试代码

uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0x0000,0x0001,0x0002,0x0003};

void WriteTest(void)
{
  FLASH_Unlock();
  EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0],0x1122);
  EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[1],0x3344);
  EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[2],0x5566);
  EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[3],0xAABB);
  FLASH_Lock();
}


void ReadTest(void)
{
  uint16_t data[NumbOfVar];
  for(int i=0;i<NumbOfVar;i++){
    EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[i],&data[i]);
  }
}