模电之半导体基础篇3(半导体二极管、二极管应用)

模电知识点汇总 根据北航921大纲整理的一些模电知识点: ##一:半导体基础 ###1.定义 本征半导体是完全纯净的,没有杂质的半导体。本征半导体有两种载流子,即电子和空穴。但是本征半导体的导电能力较弱并且容易受到温度的影响。在本征半导体中插入高价元素,形成n型半导体。他的多数载流子为电子,少子为空穴。 ###2.PN结 将p型半导体与n型半导体制作在同一片硅片上,它们的交界处形成PN结。多子由于浓度差进行扩散运... 阅读详情

半导体二极管

1、二极管的结构与类型

  • PN结+引线+管壳=二极管
  • 按材料分为:硅二极管、锗二极管
  • 按结构分为:点接触型、面接触型、平面型(集成电路中)

2、伏安特性
1)PN结的伏安方程
11

2)二极管的伏安特性
22

3、正向特性与反向特性

  • 正向特性:有死区(电流约等于0的区域)
    硅管死区电压为0.5V,锗管死区电压为0.1V

  • 反向特性
    33
    1)硅管Is小于0.1微安,锗管几十到几百微安
    44
    2)反向电流急剧增大,二极管发生击穿

4、二极管的击穿
击穿分为可逆的电击穿(降低反向电压,二极管仍能正常工作)、不可逆的热击穿(PN结被烧坏,一旦击穿二极管就损坏了)

  • 齐纳击穿条件:半导体的掺杂浓度较高、空间电荷层有较强的电场
  • 击穿的机理:电场将PN结中的价
模电学习01:半导体二极管 半导体二极管特性 阅读详情

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模电_第二章_半导体二极管

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