模电之半导体基础篇3（半导体二极管、二极管应用）

半导体二极管

1、二极管的结构与类型

• PN结+引线+管壳=二极管
• 按材料分为：硅二极管、锗二极管
• 按结构分为：点接触型、面接触型、平面型（集成电路中）

2、伏安特性
1）PN结的伏安方程

2）二极管的伏安特性

3、正向特性与反向特性

• 正向特性：有死区（电流约等于0的区域）
  硅管死区电压为0.5V，锗管死区电压为0.1V

• 反向特性
  
  1）硅管Is小于0.1微安，锗管几十到几百微安
  
  2）反向电流急剧增大，二极管发生击穿

4、二极管的击穿
击穿分为可逆的电击穿（降低反向电压，二极管仍能正常工作）、不可逆的热击穿（PN结被烧坏，一旦击穿二极管就损坏了）

• 齐纳击穿条件：半导体的掺杂浓度较高、空间电荷层有较强的电场
• 击穿的机理：