IM4510G-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi品牌 IM4510G-VB
丝印：VBA4338
参数：
- 2个P-沟道，-30V，-7A
- RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V，VGS=20V
- Vth=-1.5V
封装：SOP8

详细参数说明：
IM4510G-VB是一款具有2个P-沟道的功率场效应晶体管。其工作电压为-30V，最大电流为-7A。在不同的栅极-源极电压下，其导通电阻RDS(ON)分别为35mΩ，VGS=10V时和VGS=20V时。门阈电压为-1.5V。封装采用SOP8封装形式。

应用简介：
这款产品适用于多种负载开关和功率控制应用。例如，它可以用于直流电源开关、电源逆变器、电机驱动器和电源开关等领域。其高性能和可靠性使其成为通信设备、工业控制和电动汽车等领域的理想选择。