DMG1012T-VB一款SC75-3封装 MOSFET参数应用解析

本文详细介绍了DMG1012T(VBTA1220N)的参数,包括N沟道特性、耐压、电流、导通电阻等。该器件适用于低功率应用,如信号开关和电流控制,因其低阻和小型封装能有效降低功耗和节省空间,特别适合空间受限的场景。

DMG1012T(VBTA1220N)
参数描述:
N沟道,20V,1A,RDS(ON),200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.6Vth(V);SC75-3


型号参数介绍:
DMG1012T (VBTA1220N)参数说明:N沟道,20V,1A,导通电阻200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压0.6V,封装:SC75-3。


应用简介:DMG1012T适用于低功率应用,如信号开关和电流控制。
其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。
适用领域与模块:适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合要求节省空间的场景

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