HBM4核心技术指标分析

基本信息

• 产品代际： HBM4（第六代高带宽存储）
• 主要厂商： SAMSUNG、SK hynix、Micron
• 量产时间： 2025年3月（SK hynix 12层HBM4）
• 典型应用： 高端数据中心GPU/加速器（NVIDIA Rubin、AMD Instinct MI系列、Intel Gaudi/Ponte Vecchio后续产品）

核心技术指标

指标	参数/说明
最大带宽	2 TB/s
性能提升	较HBM3E提升约60%
堆叠层数	4、8、12或16层DRAM die
通道数	最多32 Channel/Device
每通道宽度	64bit DDR数据总线
伪通道	每通道2个伪通道，PC模式32 DQ宽度
每通道密度	3 - 16 Gb
每通道Bank数	16、32、48或64（随密度变化）
Page Size	每伪通道1 KB
预取	256bit
BL（突发长度）	8
命令/地址时钟	差分时钟输入（CK_t/CK_c），DDR命令/地址
电压	DRAM内核1.05V，I/O电压独立
自刷新	支持
Bank分组	支持
信号接口	Unterminated

技术亮点

• 分布式接口，通道完全独立，提升并行性与带宽利用率
• 半独立行列命令接口，允许激活/预充电与读/写命令并行
• 支持高堆叠层数，容量与带宽大幅提升
• 伪通道架构，优化访问效率
• 高带宽、低功耗设计，适配AI/高性能计算需求

与HBM3、DDR5颗粒的对比分析

指标	HBM4	HBM3	DDR5颗粒
最大带宽	2 TB/s（单颗HBM4）	819 GB/s（单颗，16层，典型）	~6.4 GB/s（单颗DDR5-6400，x8）
IO位宽	2048bit（32×64bit）	1024bit（16×64bit）	8bit（x8）或16bit（x16）
堆叠层数	4、8、12或16	8、12或16	单层
预取	256bit	128bit	16bit
电压	1.05V（内核）	1.1V（内核）	1.1V
典型应用	高端AI、数据中心GPU/加速器	AI、HPC、数据中心	PC、服务器、通用计算

• 带宽： 单颗HBM4带宽远超HBM3和DDR5颗粒，适合极高带宽需求。
• 位宽与堆叠： HBM4 IO更宽、堆叠层数更多，HBM3次之，DDR5颗粒为单层、窄IO。
• 应用： HBM4/3主攻AI/高性能计算，DDR5颗粒为主流PC/服务器内存基础单元。

注：数据来源于《HBM4技术前瞻》文档整理。