该博客介绍了具备超低Rds(on)特性的高级功率MOSFET，其在-20V/-4.5A工作条件下表现出卓越性能。采用超级高密度电池设计，确保了产品的可靠性和坚固性，并且通过了ESD保护（HBM>4000V）测试，适用于负载开关应用。
Features
-20V/-4.5A,
Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV
Rds（ON）=53mO 仃 yP・）@VGs"・8V
Low Rds（on）
Super High Dense Cell Design
Reliable and Rugged
ESD Protected （HBM>4000V）
Applications
Load Switch
产品特征：
-20V/-4.5A,
Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV
Rds（ON）=53mO 仃 yP·）@VGs"·8V
低路（开）
超高密度电池设计
可靠且坚固
ESD保护（HBM>4000V）
产品应用：
负载开关
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