是什么原因引起MOS管电路在工作状态造成损坏？

转载：是什么原因引起MOS管电路在工作状态造成损坏？

MOS管，MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上氧化硅和金属，形成栅极。

MOS管作为开关元件，同样可以工作在截止和导通状态，由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅极和源极间的电压来决定导通与否。Vgs用来控制沟道的导电性’从而控制漏极电流ID。（原理类似电流控制元件三极管）。关于MOS管的基本原理和结构本文不再赘述，大家自行百度。

MOS管在控制器电路中的工作状态以及MOS管损坏的主要原因（mosfet场效应管） Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 

 

相信很多电子设计工作者都知道MOS管，那么你真的知道应该如何使用MOS管吗？MOS晶体管全称是MOS型场效应晶体管，简称MOS管。30A的MOS管现在价格都下探到1块了，汽车电子为什么还在用继电器？常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。磁珠等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随着频率变化而变化，它有很高的电阻率和磁导率。MOS管带载能力与漏源电流和内阻息息相关。漏源电流越大，内阻越小，带载能力越强。MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。

 

MOS管， MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上氧化硅和金属，形成栅极。MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。仅仅只需7步 便秒懂MOS管选型- 细说MOS管选型技巧-MOSFET MOS管选型技巧 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

 

MOS管一般用通常用“Q，VT”表示 比较常用的基本上是增强型MOS管（mosfet场效应管），按结构分 MOS管有什么特性呢？从图中需要注意的是，MOS管是电压控制型器件，是电压控制电流大小的器件，稳定工作在恒流区，其也是半导体材料制成，那元器件好坏怎么测量？

 

MOS管， MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。万用表测试MOS管使用及更换总是很难？把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如下图所示。而MOS管的应用领域排名第的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。

 

把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。HT总线电压为0V。本文首先介绍了mos管的概念与mos管优势，其次介绍了MOS管结构原理图及mos管的个极判定方法，最后介绍了MOS管（场效应管）的应用领域及它的降压电路。资深电源工程师是如何进行电源设计的？

 

MOS管， 又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。mos引脚示意图-MOS管概念及工作原理-聚芯芯片 mos管引脚区分，首先我们了解一下是什么及它的工作原理这些基础知识。

 

讲的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管，量产后发现坏品率偏高，经重新计算分析后，换成了一颗5A的MOS管，问题解决。用MOS管防止电源反接的原理？如何确保MOS管工作在安全区？这一切都和SOA相关。1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。这几个在LED驱动电路中会常犯的错误一定要避免！双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。 

 

电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所有有部分人对于它计算还有些迷茫。

 

我们今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。

 

我们知道这个损耗是由于开通或者关断的那一个极短的时刻有电压和电流的交叉而引起的交越损耗，所以我们先得把交越波形得画出来，然后根据波形来一步步推导它的计算公式。

 

mos管开通过程

阶段一：电压不变电流上升（电压为Vds不变，电流由0上升到Ip1）

mos开通瞬间，电流从零快速开始上升到Ip1，此过程MOS的DS电压不变为Vds；

阶段二：电流不变电压下降（电流为Ip1不变，电压由Vds下降到0）

电流上升到Ip1后，此时电流的上升斜率（Ip1-Ip2段）相对0-Ip1这一瞬间是非常缓慢的，我们可以近似把上升到Ip1之后继续上升的斜率认为是0，把电流基本认为是Ip1不变，此时MOS管的DS电压开始快速下降到0V。

 

mos管关断过程

阶段一：电流不变电压上升（电流为Ip2不变，电压由0上升到Vds）

电压从0快速开始上升到最高电压Vds，与开通同理此过程MOS的电流基本不变为Ip2；

阶段二：电压不变电流下降（点压为Vds不变，电流由Ip2下降到0）

电压此时为Vds不变，电流迅速从Ip2以很大的下降斜率降到0。

上面对最恶劣的开关情况做了分析，但是我根据个人的经验这只是一场误会，本人没发现有这种情况，所以我一般不用这种情况来计算开关损耗。

由于本人不用，所以对上述情况不做详细推导，下面直接给出最恶劣的情况的开通关断损耗的计算公式。