天勤OJ 题目1132: 八进制

本文介绍了一种将十进制整数转换为八进制数的算法,并提供了相应的代码实现,适用于计算机科学领域的学生和开发者。

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题目描述

输入一个整数,将其转换成八进制数输出。

 

输入

输入包括一个整数N(0<=N<=100000)。

 

输出

可能有多组测试数据,对于每组数据,
输出N的八进制表示数。

 

样例输入
9
8
5
 

样例输出
11
10
5
 

提示 [+]

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来源
 


/*********************************
*   日期:2013-2-21
*   作者:SJF0115
*   题号: 天勤OJ 题目1132: 八进制
*   来源:http://acmclub.com/problem.php?id=1132
*   结果:AC
*   来源:2008年华中科技大学计算机研究生机试真题
*   总结:
**********************************/
#include<stdio.h>
#include<stdlib.h>

int O[100000];

int main()
{
	int n,index,i,k;
	int N = 8;
	while(scanf("%d",&n) != EOF){
		index = 0;
		k = n;
		while(n){
			O[index++] = n % N;
			n = n / N;
		}
		if(k != 0){
			for(i = index-1;i >= 0;i--){
				printf("%d",O[i]);
			}
			printf("\n");
		}
		else{
			printf("0\n");
		}
	}
	return 0;
}

注意:输入0时应输出0





资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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