飞思卡尔MC9S12G系列单片机flash擦写

最新推荐文章于 2022-05-21 12:05:04 发布

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#单片机 #c语言 #驱动程序

本文介绍了飞思卡尔MC9S12G系列单片机的Flash模块，包括Flash功能框图、关键寄存器如FCLKDIV、FCCOBIX、FCCOB和FSTAT的详细解释，以及Flash擦写操作流程。在实际操作中，需要注意Flash控制器的时钟设置，确保指令执行完毕后再进行新的操作。此外，由于Flash在擦写期间不能读取，因此擦写代码必须放在RAM中执行。文章还提供了prm文件的配置示例，用于将代码从Flash复制到RAM中执行。

飞思卡尔MC9S12G系列单片机flash擦写

最近在学习飞思卡尔MC9S12G系列单片机底层驱动，看了很多，目前理解还不深，处于入门菜鸟级别，仅在此记录下学习心得，后续会在实操中强化底层驱动开发能力，不能老是处于光说不练，搞些假把式。好了，言归正传。本文主要记录笔者基于MC9S12G系列单片机flash擦写，还望各路大神路过时，可指点一番。

Flash本身是非易失性存储，可以通过编程的方式擦写其中的内容，掉电后其内容不会丢失，一般是单片机的程序存储位置。单片机运行时先将Flash中下一条运行的程序读出，然后执行其内容，再读出下一条指令，再执行循环往复。通过擦写flash能够实现单片机应用程序自动更新。

G128系列单片机，查阅芯片手册，获得数据如下：
• 128Kbytes of P-Flash (Program Flash) memory
• 4 Kbytes of EEPROM memory
在这里插入图片描述
可以看出，G128系列单片机的Flash存储大小有128KB，其全局地址范围为: 0x2_0000 - 0x3_FFFF。在这里可通过以下链接，熟悉并理解MC9S12G128内存映射。
MC9S12G128内存映射（本地地址，逻辑地址，全局地址）

第一张图：Flash模块功能框图

G128 Block Diagram
上图直接告诉我们，对flash操作其实不是直接对每个Flash存储区进行操作，而是通过控制Flash Interface进行的。具体就是操作Flash Interface的寄存器，再进而操作Flash存储区。那么寄存器有哪些？具体怎么操作？看第二张图。

第二张图：寄存器描述

在这里插入图片描述

Flash模块有20个控制和状态寄存器。上图是从芯片手册截取的一部分。但对于Flash模块而言关键寄存器就是图中圈住的几个。下面依次来介绍一下：

FCLKDIV（Flash时钟分配寄存器）

先上图（截取自芯片手册）
在这里插入图片描述

上图告诉我们：有三个寄存器需要处理（FDIVLD，FDIVLCK，FDIV）：
FDIV寄存器：有六位，通过分频将总线时钟频率分频至1MHz以下从而使Flash控制器可以正常工作。FDIV的值与总线时钟频率有关，根据总线频率的大小确定FDIV的值（见上表），假如当前我的总线频率为16MHz，查表中16MHz在15.6与16.6之间，那么FDIV的值就是0x0F了。当确定好Flash控制器的频率后，需要将其写保护，以防误操作修改了分频寄存器，那么对FDIVLCK写1，当FDIVLCK写入1后，除非重启，否则FDIV的值不能被修改，重启后FDIVLCK的值将重新归零。
由此总结我们Flash控制器的时钟设置步骤如下：

根据总线频率设置分频FDIV
对分频进行保护，将FDIVLCK置为1

FCCOBIX（Flash CCOB索引寄存器）

先上图（截取自芯片手册）
在这里插入图片描述
上图告诉我们，这个寄存器是FCCOB的索引寄存器，CCOBIX[2:0] 只有三位，即8种状态。具体如何索引，看下图：

The CCOBIX bits are used to select which word of the FCCOB register
array is being read or written to.
FCCOBIX的两位决定当前读取或者写入FCCOB的是哪一个word（一般而言一个word在单片机中指两个字节），也就是说FCCOB是一个多word的寄存器，通过FCCOBIX来确定当前操作或者读取的是哪一位。具体如何操作，我们要来看看FCCOB寄存器。FCCOBIN和FCCOB这两个寄存器得结合起来看。