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RSS订阅原创 终点检测技术，对于碳化硅衬底TTV均匀性的帮助
同时，对于碳化硅衬底加工过程中的其他关键因素，如切割工具的选择、冷却与润滑、装夹方式等，也需要进行深入研究和优化，以实现更高的加工精度和TTV均匀性。在碳化硅衬底的加工过程中，终点检测技术是一项至关重要的技术，它能够在加工结束时准确判断切割或研磨的完成度，从而确保碳化硅衬底的TTV均匀性。在碳化硅衬底的加工中，激光测距法可以实时监测衬底表面的高度变化，及时调整加工参数，确保TTV的均匀性。提高加工精度：通过终点检测技术，可以准确判断切割或研磨的完成度，避免过度加工或加工不足，从而提高碳化硅衬底的加工精度。
2025-03-28 09:38:29
448
原创 适当减少进给量，使切割材料去除量更均匀，提高碳化硅衬底TTV均匀性
未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的重要方向。在碳化硅衬底的切割过程中，进给量的大小直接影响切割效率和切割质量。不均匀的材料去除：过大的进给量会导致切割工具在碳化硅衬底表面的接触时间变短，材料去除量不均匀，从而在衬底表面产生厚度变化，影响TTV的均匀性。切割工具磨损：过大的进给量会加速切割工具的磨损，缩短其使用寿命，同时增加切割过程中的振动和不稳定因素，影响TTV的均匀性。
2025-03-26 09:20:43
551
原创 减少研磨刀片与碳化硅衬底间振动，以提高碳化硅衬底TTV均匀性
通过优化研磨设备、选择合适的研磨刀片、优化研磨参数、采用先进的振动控制技术以及加强工艺监控和质量控制等措施，可以有效地减少振动，提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的重要方向。不均匀的材料去除：振动会导致研磨刀片在碳化硅衬底表面的接触压力分布不均，从而导致材料去除速率的不均匀，进而影响TTV的均匀性。可一次性测量所有平面度及厚度参数。
2025-03-25 09:34:29
784
原创 合适的装夹方式，可避免碳化硅衬底位移或晃动，提高碳化硅衬底TTV均匀性
未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键。因此，选择合适的装夹方式，避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，是提高其TTV均匀性的关键。实时监测与反馈：在加工过程中，使用高精度的测量仪器（如激光测距仪）对衬底的位移和晃动进行实时监测和反馈，一旦发现异常，立即调整装夹方式或加工参数。1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。
2025-03-24 13:01:52
875
原创 如何控制装夹力大小，以避免碳化硅衬底变形，影响碳化硅衬底TTV均匀性
然而，在碳化硅衬底的加工过程中，装夹力的大小对衬底的变形和TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）均匀性有着重要影响。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工质量和TTV均匀性的要求将越来越高。粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）应力分布不均：过大的装夹力会在衬底表面产生不均匀的应力分布，导致衬底在加工过程中发生局部变形，进而影响TTV的均匀性。
2025-03-21 11:43:05
664
原创 如何控制切割过程的冷却与润滑，提高碳化硅衬底TTV均匀性
然而，碳化硅衬底的加工过程中，尤其是切割步骤，对最终产品的总厚度变化（TTV）具有重要影响。TTV的均匀性直接影响碳化硅衬底的加工精度和可靠性。采用高精度的切割设备：使用高精度的多线切割设备，严格控制切割参数（如切割速度、进给量、冷却液流量等），确保切割后的晶片厚度均匀，减少TTV的产生。粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。
2025-03-20 09:11:49
598
原创 降低切割速度，可能导致切割力不稳定，不利于碳化硅衬底TTV均匀性
切割速度的影响：切割速度过快，刀具与碳化硅衬底的接触时间缩短，单位时间内产生的热量增加，可能导致切割面产生热裂纹和表面粗糙度增加。增大的切割力可能超出刀具和机床的承受范围，导致刀具磨损加速，机床振动增加，进而影响切割面的质量和TTV均匀性。稳定的切割力可以确保刀具在切割过程中保持恒定的进给速度和切割深度，从而减少因切割力波动导致的衬底变形和厚度不均。实时监测与反馈：在切割过程中引入高精度的测量仪器，实时监测切割力和TTV的变化，并根据监测结果进行反馈和调整，以确保切割过程的稳定性和TTV的均匀性。
2025-03-19 13:13:56
559
原创 磨轮修整方法，对于碳化硅衬底TTV的管控影响
通过选择合适的修整方法、优化修整参数、严格控制修整过程和引入先进检测技术，可以有效降低碳化硅衬底TTV的变化，提高加工精度和产品质量。磨轮修整是指通过特定的方法和工具对磨轮进行修整，以恢复其锋利度和形状精度，从而确保磨削加工的稳定性和精度。高精度的修整方法能够确保磨轮的形状精度和锋利度，从而减少磨削过程中的机械应力和热应力，降低碳化硅衬底TTV的变化。优化修整参数：通过实验验证和模拟仿真，优化修整参数，如修整速度、进给量、切削深度等，以减少修整过程中的机械应力和热应力，降低碳化硅衬底TTV的变化。
2025-03-17 09:37:55
862
原创 碳化硅衬底边缘TTV测量的意义和影响
然而，在碳化硅衬底的加工过程中，总厚度变化（Total Thickness Variation, TTV）的测量，尤其是边缘部分的TTV，对于确保器件的性能和可靠性至关重要。同时，边缘TTV的测量还有助于评估器件的封装和性能，为半导体材料的加工和优化提供有力支持。未来，随着技术的不断进步和应用的拓展，碳化硅衬底边缘TTV的测量将变得更加精确和高效，为高性能电子器件的制造提供有力保障。通过对边缘TTV的测量，可以及时发现加工过程中的偏差和异常，从而调整和优化加工工艺，确保产品质量的一致性和稳定性。
2025-03-14 09:24:29
548
原创 避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
通过优化切片工艺、增强切片设备稳定性、改善衬底初始状态、实施严格的质量控制体系、引入先进检测技术、优化后续加工工序、采用先进的退火技术以及持续改进与创新，我们可以有效降低碳化硅衬底切片TTV的不均匀性，提高衬底的一致性和可靠性。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法，以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略，以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。在切片后，进行粗磨、精磨、抛光等后续加工工序时，严格控制加工参数，如磨料的选择、研磨液的浓度、抛光垫的材质和硬度等，以减少TTV的变化。
2025-03-13 14:28:26
789
原创 白光干涉中，相移技术引入的相位变化
相移技术是通过改变干涉系统中某一束光的相位，并观察干涉条纹的变化来测量被测物体的特性。当相位发生变化时，干涉条纹的位置、形状和对比度等都会发生变化，这些变化与被测物体的特性有关。在白光干涉中，相移技术是一种重要的测量方法，它通过引入相位变化来获取被测物体的表面形貌或厚度等信息。表面形貌测量：通过测量干涉条纹的移动和对比度变化，可以获取被测物体的表面形貌信息。数据处理和分析：由于白光干涉测量中涉及到大量的数据处理和分析工作，因此需要采用合适的数据处理方法和算法来提取有用的信息。
2025-03-13 09:36:11
312
原创 碳化硅衬底背面减薄过程，对碳化硅衬底TTV的管控
在碳化硅衬底的加工过程中，背面减薄是一个至关重要的环节，旨在降低衬底厚度，减少电阻，提高器件的性能。通过优化研磨和磨削的工艺参数，如磨料的选择、研磨液的浓度、研磨垫的材质和硬度等，以减少TTV的变化。通过优化减薄工艺、提高设备精度、严格检测与反馈、实施质量控制体系以及采用先进的抛光技术，我们可以有效降低碳化硅衬底背面减薄过程中TTV的变化，提高衬底的一致性和可靠性。5.采用先进的抛光技术：在减薄后，采用先进的抛光技术，如化学机械抛光（CMP），进一步改善衬底表面的光滑度和平整度，减少TTV的变化。
2025-03-12 13:21:39
876
原创 Mach-Zehnder型干涉（马赫-曾德尔干涉）的测量原理
因此，通过观察干涉条纹的明暗变化，可以推断出两条光路的相位差。马赫-曾德尔干涉仪的测量原理是通过改变其中一条光路的相位（例如通过改变光波导中的折射率或长度），并观察干涉条纹的变化来测量被测物体的特性。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差，而相位差又与被测物体的某些特性（如折射率、厚度等）有关。综上所述，Mach-Zehnder型干涉（马赫-曾德尔干涉）的测量原理是基于光的干涉现象和相位差的变化。Mach-Zehnder型干涉（马赫-曾德尔干涉）的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。
2025-03-12 10:24:28
483
原创 Linnik型干涉（林尼克干涉）的测量原理
干涉图像的解读：通过观测干涉图像的变化，可以推断出被测样品的性质。由于它采用共光路设计，即样本光和参考光在干涉仪内部经过相同的路径，因此可以减小环境因素对测量结果的影响。此外，Linnik干涉仪还具有较高的分辨率和灵敏度，能够检测到微小的表面形貌变化和光学特性差异。综上所述，Linnik型干涉（林尼克干涉）的测量原理是基于光的干涉现象，通过观测干涉图像的变化来推断被测样品的性质。Linnik型干涉（林尼克干涉）的测量原理主要基于光的干涉现象，即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。
2025-03-11 14:07:08
366
原创 降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
第三外延缓冲层生长（可选）：改变乙烯和三氯氢硅的流量，使反应室内C/Si比值在0.9～1.1的偏富硅范围，在第二外延缓冲层的刻蚀面上低速生长第三外延缓冲层。外延层生长：逐渐增加乙烯和三氯氢硅的流量，使反应室内C/Si比值在1.0～1.2的偏碳范围，高速生长外延层，形成外延片。减少堆垛层错密度：通过高温原位氢气刻蚀和低速生长不同C/Si比的外延缓冲层，有效抑制衬底、外延缓冲层和外延层界面处堆垛层错的产生，将外延片中堆垛层错密度控制在0.1～0.30cm^-2以内。可一次性测量所有平面度及厚度参数。
2025-03-11 10:41:32
653
原创 Fizeau型干涉（斐索干涉）的测量原理
在干涉仪内部，测量和参考的光束路径是相同的，因此由空气湍流、声学干扰和其他因素引起的波动对于测量和参考波束路径是相同的，并被抵消。当光线在薄膜的上下表面反射时，会形成两束相干光：一束是来自薄膜上表面的反射光（通常用作参考光束），另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光（携带被测表面的形状信息）。综上所述，Fizeau型干涉（斐索干涉）的测量原理是基于等厚干涉的，通过观测干涉条纹的形状和间隔来推断被测表面的形状信息。干涉条纹的解读：通过观测干涉条纹的形状和间隔，可以推断出被测表面的形状信息。
2025-03-10 17:52:01
360
原创 碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法
然而，在SiC外延片的制备过程中，常常会遇到外延层不合格的情况，这时就需要将外延层去除，然后利用剩余的衬底进行再生处理，以降低生产成本并提高材料利用率。本文将详细介绍一种碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法，该方法结合了高效的去除技术和精细的再生处理步骤，旨在实现不合格外延片的再利用。综上所述，碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法是一种高效、精确的去除和再生处理技术，能够实现不合格外延片的再利用，降低生产成本并提高材料利用率。计算衬底厚度：根据外延片的总厚度和减薄厚度，计算衬底的厚度。
2025-03-10 10:58:38
821
原创 改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
缓冲层生长：将清洗后的碳化硅衬底放置到碳化硅外延炉反应室内的生长位置，向反应室内逐步通入氢气，并通入小流量的硅源、碳源气体和掺杂源氮气，直到主气流流量达到60-100slm，升温至1600～1700℃，进行第一层缓冲层生长。综上所述，本发明提供了一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法，通过等离子清洗、多层缓冲层生长和多次高温热处理修复晶格，可以有效抑制外延层中BPD的形成，提高产品质量和生产效率。1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。
2025-03-06 09:29:11
2953
原创 Twyman-Green型干涉（泰曼-格林干涉）的测量原理
相位差与干涉图样：当两束光在干涉点相遇时，如果它们的相位差是波长的整数倍，则会产生加强干涉，表现为亮条纹；综上所述，Twyman-Green型干涉（泰曼-格林干涉）的测量原理基于光的干涉现象和相干光的叠加原理。干涉图样的特点是明暗相间的干涉条纹，这些条纹的间距和强度取决于光的波长和光束之间的相位差。Twyman-Green型干涉（泰曼-格林干涉）的测量原理基于光的干涉现象，特别是相干光的叠加原理。光源：一般采用单色光源，如激光，以确保发出的光是单色光，从而进行精确的波长测量和干涉图样观察。
2025-03-05 13:50:18
295
原创 矫正碳化硅外延片翘曲度的方法
未来，随着SiC半导体材料技术的不断发展，矫正碳化硅外延片翘曲度的方法也将不断优化和创新，为SiC器件的广泛应用奠定坚实基础。因此，矫正碳化硅外延片的翘曲度显得尤为重要。本文将介绍几种有效的矫正碳化硅外延片翘曲度的方法，旨在提高外延片的平整度，提升器件的性能和可靠性。该方法在外延生长之前先对碳化硅外延片的翘曲进行矫正，能够提高来料的良率，降低制造成本，并保证后续外延生长的厚度趋势的一致性。该方法在矫正碳化硅外延片翘曲度的同时，能够保持外延片的性质不受影响，减薄量较少，且对后续器件的性能无负面影响。
2025-03-05 10:03:09
803
原创 激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
白光干涉仪：白光干涉仪则更加适合于表面形貌的大范围测量，如飞机发动机叶片的表面形貌测量、飞机机身的表面平整度检测等。激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器，但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。激光面型干涉仪：激光具有高强度和相干性好的特点，因此激光面型干涉仪可以用于高精度的微小尺寸测量，如纳米级的薄膜厚度测量和平面度测量。激光面型干涉仪：激光干涉仪在干涉时需要保持激光光源的稳定性，以保证干涉条纹的清晰度。因此，激光面型干涉仪对光源的稳定性要求较高。
2025-03-04 14:21:58
357
原创 防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法
然而，在SiC外延片的制备过程中，磨抛工艺是至关重要的一环，用于改善外延片的表面粗糙度和平整度。本文将介绍一种创新的防止胶质残留的方法，该方法结合了聚合物薄膜保护技术和精细的清洗步骤，旨在有效减少磨抛过程中的胶质残留，提高外延片的表面质量。通过采用创新的防止胶质残留的方法，结合聚合物薄膜保护技术和精细的清洗步骤，可以有效减少胶质残留，提高外延片的表面质量。有效减少胶质残留：通过在碳化硅外延片表面涂布聚合物薄膜并粘贴保护胶膜，有效减少了磨抛过程中胶质与外延片的直接接触，从而减少了胶质残留的可能性。
2025-03-04 09:34:05
650
原创 去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
然而，在SiC外延片的制备过程中，揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。本文将介绍一种创新的去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法，该方法结合了多种化学药液浸泡和物理清洗技术，旨在高效、彻底地去除脏污，同时保护外延片的表面质量。通过采用创新的清洗方法，结合多种化学药液浸泡和物理清洗技术，可以高效、彻底地去除脏污，同时保护外延片的表面质量。将清洗后的外延片转移至纯水槽中，进行第一次QDR（Quick Drain and Rinse，快速排放和冲洗）清洗处理，以去除残留的有机药液。
2025-02-24 13:41:37
876
原创 SiC外延片的化学机械清洗方法
因此，采用高效的化学机械清洗方法，以彻底去除SiC外延片表面的污染物，成为保证外延片质量的关键步骤。通过优化清洗步骤、选用合适的化学试剂和工具以及控制清洗参数和工艺条件，可以彻底去除SiC外延片表面的污染物，提高外延片的质量和性能。化学机械清洗方法不仅能够去除污染物，还能够对晶片表面进行一定的修饰，提高表面粗糙度和去除表面应力，从而改善外延层的生长质量和器件的性能。粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）
2025-02-11 14:21:33
435
原创 继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上，结合激光技术而发展起来的一种高精度测量技术。当测量光波的光程发生变化时，会引起干涉条纹的移动，从而可以测量物体的位移或形变。迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器，它是最著名的干涉仪之一，为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加，形成稳定的明暗相间的干涉条纹，当被测物体发生移动时，会引起干涉条纹的移动，从而可以测量物体的微小位移。TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪。
2025-02-11 09:19:03
304
原创 外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉仪在制造、检测等领域有广泛应用，例如检测微机械系统（MEMS）的力学特性和生物医学器械的机械性能，研究材料的弹性性质和形变行为（如纳米材料、多层薄膜和生物材料等），以及监测机械设备的振动状态和结构变形（如铁路桥梁、汽车零部件等）。高分辨率：由于物体变化所产生的多普勒频移信息载于稳定的差频上，因此光电探测时避过了激光器的低频噪声和半导体器件的噪声区，提高了光电信号的信噪比，使得测量分辨率大幅提高。宽动态范围：外差激光干涉仪可以在光强衰减较大的情况下仍能正常工作，因此适用于较长距离的测量。
2025-02-10 11:23:15
405
原创 有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
在特定的条件下（如50mbar的低压、1500℃-1600℃的高温、130L的氢气流量和15分钟的吹扫时间），氢气能够促使附着能力较弱的碳化硅颗粒松动并掉落。该方法的核心在于利用氢气吹扫技术，结合特定的生长工艺和设备设计，以有效清除生长炉腔内的稀松、易脱落的碳化硅颗粒，从而减少掉落物缺陷的生成。在SiC外延生长过程中，定时将氢气通入生长炉腔内，利用氢气的蚀刻作用，将稀松、易脱落的碳化硅颗粒吹扫到特制的托盘上。通过精确控制生长工艺参数，减少外延生长过程中的应力积累和缺陷生成，从而提高外延片的良品率和可靠性。
2025-02-10 09:14:16
526
原创 应力消除外延生长装置及外延生长方法
在未来，随着SiC半导体材料技术的不断进步和应用领域的不断拓展，应力消除外延生长装置及外延生长方法将发挥更加重要的作用。消除应力室内部设有加热装置、抽空装置和氮气通气装置，能够精确控制温度、压力和气体氛围，从而实现高效的应力消除。高效应力消除：通过在消除应力室内进行高温、低压和氮气氛围下的热处理，能够高效消除SiC衬底中的应力，提高外延片的浓厚度均匀性和晶体质量。精确工艺控制：通过高精度的机械传动系统和控制系统，能够精确控制温度、压力、气体流量和反应时间等工艺参数，实现高质量的外延生长。
2025-02-08 09:21:18
524
原创 白光干涉仪的光谱干涉模式原理
综上所述，白光干涉仪的光谱干涉模式原理是基于光的干涉和光谱分析原理，通过测量干涉条纹的移动和光谱信息来获取被测表面的物理量信息。在光谱干涉模式中，白光作为光源，其发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。在光谱干涉模式中，干涉条纹的移动与光的波长有关，不同波长的光会形成不同的干涉条纹。光谱仪会将干涉信号转化为不同波长光谱的测量，从而获取被测表面的高度、形貌等物理量信息。光路设置：在白光干涉仪中，通过设置适当的光路，使得参考光和测量光能够发生干涉。三、光谱干涉的测量过程。
2025-02-07 14:58:44
526
原创 碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。因此，采用高效的清洗方法，确保外延晶片表面的洁净度，是提升器件质量和可靠性的关键。
2025-02-07 09:29:36
673
原创 白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别
在白光干涉仪中，垂直扫描干涉测量模式（VSI）、相移干涉测量模式（PSI）以及结合VSI和PSI的高分辨测量模式（VXI）是三种重要的测量模式。它利用VSI模式的垂直扫描能力和PSI模式的高精度相位测量能力，通过综合两种模式的优点来实现更高分辨率和更广泛测量范围的测量。VXI模式结合了VSI和PSI两种模式的优点，既具有VSI模式的垂直扫描能力和对粗糙表面的适应性，又具有PSI模式的高精度和相位测量能力。它克服了PSI模式在台阶高度测量上的限制，能够测量更高的台阶或更粗糙的表面。
2025-02-06 10:24:34
408
原创 迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
在白光等倾干涉的实验中，需要在迈克耳孙干涉仪的反射镜前放置一块玻璃板，以实现白光的等倾干涉。然而，由于白光光谱中不同波长的光具有不同的干涉条纹衬比度，因此在亮纹和暗纹处可能会观察到微弱的颜色变化。条纹衬比度：白光等倾干涉的条纹衬比度通常较低，远低于白光等厚干涉的条纹衬比度。这是因为在白光等倾干涉中，不同波长的条纹发生普遍错级，使得每个位置都存在许多不同波长成分，它们叠加的结果使得不同位置的颜色都接近于平均颜色，导致衬比度较小。此外，白光等倾干涉的条纹特征还受到光源、干涉仪的调整以及观察角度等因素的影响。
2025-01-23 14:50:18
345
原创 碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案，对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。在碳化硅衬底测量中，常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。三、特氟龙夹具的特点。
2025-01-23 10:12:12
383
原创 白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
两束相干光间光程差的任何变化都会灵敏地导致干涉条纹的移动，而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起的。因此，任何微小的振动都可能引起光程差的变化，从而导致干涉条纹的移动，进而影响测量结果的准确性。综上所述，白光干涉对于环境防振要求高，主要是因为其测量原理敏感于光程差的变化，而环境振动会干扰光程差的稳定性，从而影响测量结果的准确性。因此，在使用白光干涉仪进行测量时，需要采取一系列措施来减少环境振动的影响，如将仪器放置在稳定的平台上、使用减震装置等。
2025-01-22 14:06:40
197
原创 测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生的，以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
工程师在上午针对一批氮化镓衬底开启厚度测量工作，初步获得一组看似平稳的测量数据，然而随着午后车间温度攀升，“温漂” 肆虐，再次测量同批衬底时，数据可能出现整体偏移，标准差急剧增大。这意味着原本精准符合工艺标准的衬底，极有可能因 “温漂” 被误判为厚度不合格，反之，存在厚度缺陷的衬底却可能在 “温漂” 的掩盖下悄然流入后续关键工序，给芯片良品率带来灾难性打击，使前期巨额的研发与生产投入付诸东流。常见的金属部件，随着温度变化，原子间的晶格振动加剧，宏观表现为材料的热膨胀，导致探头的机械结构尺寸精度受损。
2025-01-22 09:31:19
504
原创 为什么说白光干涉的扫描高度受限
综上所述，白光干涉技术的扫描高度受限主要是由于光的衍射和反射限制、光学系统分辨率的限制以及干涉仪的设计限制等因素所决定的。尽管存在一定的限制，但白光干涉技术仍在许多领域发挥着重要作用，并随着技术的不断进步和发展，其应用范围和测量精度也在不断提高。因此，在某些情况下，为了获得更高的测量精度或更大的测量范围，可能需要牺牲一定的扫描高度。优化光学系统设计：通过改进干涉仪的光路设计、选择合适的光源和干涉物镜等措施，可以提高光学系统的分辨率和测量精度，从而在一定程度上扩展扫描高度。这也会导致扫描高度的受限。
2025-01-21 14:14:54
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原创 特氟龙夹具的晶圆夹持方式，相比真空吸附方式，对测量晶圆 BOW 的影响
而在测量过程中，特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性，这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性，对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。综上所述，特氟龙夹具的晶圆夹持方式在测量 BOW 方面相较于真空吸附方式展现出高精度、高稳定性、真实还原形变等诸多优势，虽面临技术挑战，但随着科研人员持续攻坚克难，不断优化创新，有望成为晶圆测量夹持的主流方案，为蓬勃发展的半导体产业注入强劲动力，助力高端芯片制造迈向新征程。（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比）
2025-01-21 09:21:05
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原创 通过电光晶体的电光效应，实现白光干涉中的电光调制相移原理
这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差，而相位差则与光波经过的光程差和调制器的相位调制量有关。电光晶体是具有显著电光效应的材料，它们在外加电场的作用下，能够改变光的传播特性，如相位、振幅和偏振态。综上所述，通过电光晶体的电光效应实现白光干涉中的电光调制相移原理是一种高精度、非接触式且快速响应的测量技术。通过电光晶体的电光效应，实现白光干涉中的电光调制相移原理，是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。灵活性：通过调整外加电场的强度和方向，可以实现对光波相位的精确控制，从而适应不同测量需求。
2025-01-20 14:35:59
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原创 测量探头的 “温漂” 问题，对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
这意味着原本精准符合工艺标准的衬底，极有可能因“温漂”被误判为厚度不合格，反之，存在厚度缺陷的衬底却可能在“温漂”的掩盖下悄然流入后续关键工序，给芯片良品率带来灾难性打击，使前期巨额的研发与生产投入付诸东流。工程师在上午针对一批氮化镓衬底开启厚度测量工作，初步获得一组看似平稳的测量数据，然而随着午后车间温度攀升，“温漂”肆虐，再次测量同批衬底时，数据可能出现整体偏移，标准差急剧增大。1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。
2025-01-20 09:23:42
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原创 通过声光介质的声光效应，实现白光干涉中的声光调制相移原理
当驱动源的某种特定载波频率驱动压电换能器时，换能器会产生同一频率的超声波并传入声光介质，形成折射率的变化。这样，当白光通过声光调制器时，其相位会受到调制，从而实现白光干涉中的声光调制相移。综上所述，通过声光介质的声光效应实现白光干涉中的声光调制相移原理是一种高精度、非接触式且灵活多样的测量方法。光波的衍射与相位调制：当白光通过声光介质时，由于折射率的周期性变化，光波会发生衍射现象。通过声光介质的声光效应，实现白光干涉中的声光调制相移原理，是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。
2025-01-17 14:29:25
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空空如也
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