游戏机电池供电的SRAM解决方案

博客介绍了游戏机使用SRAM作为高速非易失性缓存存储运行时数据,目前RAM高速缓存用备用电池实现非易失性。因人们倾向消除电池,赛普拉斯开发无电池的NV - SRAM,其访问速度优于电池供电方案。还提及电池供电的SRAM解决方案存在需额外组件等问题。

游戏机是一种主要用于娱乐,使用只向获得许可的软件开发者开放的源代码,以电视机或其他专用显示器以及专用输入设备的电脑系统。其与个人计算机最大的区别在于源代码和软件的封闭性。人类用来进行游戏的机械电子装置都可称作游戏机。随着电子技术、信息产业的发展,以及电影、漫画产业的带动,电子游戏机便成为了游戏机的实际代表。由于其更专业化的游戏性表现,因此即便电脑水平如此发达的今天,PC游戏仍然无法替代游戏机的强势地位。

高速非易失性缓存
游戏机使用SRAM密度(介于4 Mbit至32 Mbit之间的任何值)作为用于存储运行时处理数据的缓存。这些应用中使用的高速缓存必须是非易失性的,以在电源故障期间保存重要的游戏数据。目前RAM高速缓存使用备用电池来实现非易失性,并使用3.0 V电池来在断电期间保留RAM内容,如图1所示。

由于人们越来越倾向于消除电池,因此其他替代性非易失性存储技术在游戏机设计中变得越来越流行。赛普拉斯已开发出一种无电池的单片非易失性存储解决方案,称为非易失性SRAM或nvSRAM。赛普拉斯的NV-SRAM提供25ns的访问速度(对称的读写操作),这远远优于电池供电的解决方案,后者在最佳情况下可以提供最高45ns的访问速度。在大多数应用程序中,始终首选高速缓存,因为它会直接影响系统性能。

电池供电的SRAM解决方案
游戏机经常使用电池供电的SRAM(BBSRAM)在运行期间保留关键数据,并在系统电源关闭时将这些数据保留在电池电源上。 BBSRAM在应用板上使用低功耗SRAM(或微功耗SRAM)IC,电源控制器IC和电池,如图1所示。
在这里插入图片描述
图1.带有微控制器的BBSRAM接口

BBSRAM解决方案需要额外的组件和PCB面积。电池的安装必须不在SMD回流过程中,以避免在回流焊接过程中因过热而爆炸。与基于电池的解决方案相关的其他挑战是:
•容易受到系统振动的影响,这会使用于固定电池的机械接头不可靠
•按计划进行维护和更换
•低平均故障间隔时间
•由于电池中使用了危险成分,因此要遵守严格的绿色处置/内容法。

提供了基于BP(Back Propagation)神经网络结合PID(比例-积分-微分)控制策略的Simulink仿真模型。该模型旨在实现对杨艺所著论文《基于S函数的BP神经网络PID控制器及Simulink仿真》中的理论进行实践验证。在Matlab 2016b环境下开发,经过测试,确保能够正常运行,适合学习和研究神经网络在控制系统中的应用。 特点 集成BP神经网络:模型中集成了BP神经网络用于提升PID控制器的性能,使之能更好地适应复杂控制环境。 PID控制优化:利用神经网络的自学习能力,对传统的PID控制算法进行了智能调整,提高控制精度和稳定性。 S函数应用:展示了如何在Simulink中通过S函数嵌入MATLAB代码,实现BP神经网络的定制化逻辑。 兼容性说明:虽然开发于Matlab 2016b,但理论上兼容后续版本,可能会需要调整少量配置以适配不同版本的Matlab。 使用指南 环境要求:确保你的电脑上安装有Matlab 2016b或更高版本。 模型加载: 下载本仓库到本地。 在Matlab中打开.slx文件。 运行仿真: 调整模型参数前,请先熟悉各模块功能和输入输出设置。 运行整个模型,观察控制效果。 参数调整: 用户可以自由调节神经网络的层数、节点数以及PID控制器的参数,探索不同的控制性能。 学习和修改: 通过阅读模型中的注释和查阅相关文献,加深对BP神经网络与PID控制结合的理解。 如需修改S函数内的MATLAB代码,建议有一定的MATLAB编程基础。
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