NAND Flash和NOR Flash的区别

RAM、NAND Flash、NOR Flash的区别详解 一、RAM和Flash的区别     RAM有两大类,一种称为静态RAM (Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲cache。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM 阅读详情

1.1接口差别
NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址,对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。

NOR Flash是并行访问,Nand Flash是串行访问,所以相对来说,前者的速度更快些。

1.2容量和成本
NOR Flash的成本相对高﹐容量相对小,常见的有128KB、256KB、1MB、2MB等;优点是读写数据时,不容易出错。所以在应用领域方面,NOR Flash比较适合应用于存储少量的代码。

NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash器件的一半,由于生产过程更为简单﹐也就相应是的数据。。容量比较大,由于价格便宜,更适合存储大量的数据。

1.3可靠性和耐用性
采用内存Flash介质时一个需要重点考虑的问越定话性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash定非常合垃的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和环块处理六个方面来比较NOR Flash和NANDFIasnu的太擦写次命(耐用性)在NAND Flash闪行中母不次粘录十万次。数是一百万次,而NOkFlash.t的你国优势,典型的NAND Flash除了具有1o:1的块擦除周期优努·典型)NAND Flash块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND Flash块在给定的时问内的删除次数要少一些。

1.4位反转
NAND Flash和NOR Flash都可能发生比特位反转(但NAND Flash反转的几率远大丁NURrIasn会有坏块两者都必须进行ECC操作;NAND Flash云有可能(出厂时厂家会对坏块做标记),在使用过程中也还有j能会出现新的坏块,因此NAND Flash

关于NOR-FLASH和NAND-fLASH的区别。——Arvin NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 NORFLASH 阅读详情

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