二极管基本知识

本文详细阐述了晶体二极管的基本概念、伏安特性、整流电路、滤波电路以及稳压二极管等内容,深入探讨了二极管在整流、滤波、稳压等领域的应用,为理解晶体二极管的工作原理和实际应用提供了全面的知识框架。

1. 基本概念

       二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结,在PN结的两端各引出一个引线,并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,就构成了晶体二极管,如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极,N区的引出的电极称为负极或阴极。

1.1 二极管的伏安特性

       二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系,用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。

1.2 正向特性

       1)外加正向电压较小时,二极管呈现的电阻较大,正向电流几乎为零,曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏, 锗的死区电压约为0.2伏,该电压值又称门坎电压或阈值电压。
       2)当外加正向电压超过死区电压时,PN结内电场几乎被抵消,二极管呈现的电阻很小,正向电流开始增加,进入正向导通区,但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加,如BC段特性曲线陡直,伏安关系近似线性,处于充分导通状态。
       3)二极管导通后两端的正向电压称为正向压降(或管压降),且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V。
1.3 反向特性

       1)二极管承受反向电压时,加强了PN结的内电场,二极管呈现很大电阻,此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区,此时电流称为反向饱和电流。实际应用中,反向电流越小说明二极管的反向电阻越大,反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下,锗二极管则达几百微安,大功率二极管稍大些。
       2)当反向电压增大到一定数值时(图中D点),反向电流急剧加大,进入反向击穿区,D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏,因此除稳压管外,二极管的反向电压不能超过击穿电压。

2. 整流电路

2.1 单向半波整流电路

       二极管就像一个自动开关,u2为正半周时,自动把电源与负载接通,u2为负半周时,自动将电源与负载切断。因此,由下图可见,负载上得到方向不变、大小变化的脉动直流电压uo如下图所示。由于该电路只在u2的正半周有输出,所以称为半波整流电路。如果将整流二极管的极性对调,可获得负极性的直流脉动电压。

 

2.2 全波整流电路

整流原理:

设变压器二次侧的电压为:

       1)当u2为正半周时,A点电位最高,V点电位最低,二极管V1和V3导通,V2和V4截止,电流的通路是 A→V1→RL→V3→B。                                            
       2)当u2为负半周时,B点电位最高,A点电位最低,二极管V2和V4导通,V1和V3截止,电流的通路是 B→V2→RL→V4→A。
       可见,在u2变化的一个周期内,负载RL上始终流过自上而下的电流,其电压和电流的波形为一全波脉动直流电压和电流,如下图所示。

 

3. 滤波电路

    整流电路将交流电变为脉动直流电,但其中含有大量的交流成分(称为纹波电压)。为此需要将脉动直流中的交流成分滤除掉,这一过程称为滤波。

3.1 电容滤波

      电容滤波的特点为:

       1)输出电压平均值的大小与滤波电容C及负载电阻RL的大小有关,C的容量或RL的阻值越大,其放电速度越慢,输出电压也越大,滤波效果越好。
       2)在采用大容量滤波电容时,接通电源的瞬间充电电流特别大。电容滤波器结构简单,负载直流电压UL较高,纹波也较小,但是输出特性较差,故适用于负载电压较高,负载变动不大的场合。

 参数选择:

1) 输出电压:UL=U2(半波)  UL=1.2*U2(全波或桥式)

2) 电容的选择:C>=(0.03~0.05)/RL

3) 二极管的选择:Urm=1.41*U2

3.2 电感滤波

       电感滤波器特点:由于自感电动势的作用使二极管的导通角比电容滤波电路时增大,流过二极管的峰值电流减小,外特性较好,带负载能力较强。电感滤波电路主要用于电容滤波器难以胜任的大电流负载或负载经常变化的场合,在小功率电子设备中很少使用

对直流分量:  XL=0 相当于短路,电压大部分降在RL上。
对谐波分量:   f 越高,XL 越大,电压大部分降在XL上。因此,在输出端得到比较平滑的直流电压。
当忽略电感线圈的直流电阻时,输出平均电压约为:UL=0.9U2

3.3 RC – pai型滤波

       在电流较小、要求不高的情况下,常用电阻代替电感L,构成RC-pai型滤波器。它成本低、体积小,滤波效果好。但由于电阻要消耗功率,所以电源的损耗功率较大,电源的效率降低,一般适用于输出电流小的场合。

 

4. 稳压二极管

       当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流Iz在Izmax和 Izmin之间时,其两端电压近似为常数。

 

5. 二极管的分类

 

 

名称 应用场合及主要功能 主要技术参数 特点
整流二极管
用于交流转换直流电路中用于整流,一般整流管用于低频电路中,高频场合一般用快恢复及肖特基管,广泛应用于各种电子产品中。
最大平均整流电流IFM 利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电
反向击穿电压VR
反向漏电流IR
最高工作频率fM
反向恢复时间trr
最高反向工作电压VRM
稳压二极管 用于浪涌保护电路、过压保护电路、电弧抑制电路、串联型稳压电路,广泛应用于各种电子产品中。 稳压电压Uz 稳压二极管是利用反向击穿特性实现稳压,工作在击穿电压区的特殊二极管。
稳压电流IZ
反向漏电流IR
最大允许功耗PM
稳定电压温度系数CTV
动态电阻RZ
开关二极管 小功率开关二极管主要使用于电视机、收录机及其他电子设备的开关电路、检波电路高频高速脉冲整流电路等。大功率开关二极管主要用于各类大功率电源作续流、高频整流、桥式整流及其它开关电路。 反向击穿电压VR 在电路中起到控制电流通过或关断的作用,成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小,反向电阻很大,开关速度很快.
最高反向工作电压VRM
正向电流IF
反向恢复时间trr
 
发光二极管 发光二极管用于电视机等产品中作电源指示灯、LCD中作背光源灯、LED显示屏、家用照明等,用途广泛。 工作电压VCC 工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可发光);抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。
正向电流IF
反向漏电流Is
闪烁频率f
占空比D(%)
发光峰值波长AP
发光强度(mcd)
变容二极管 用作自动频率控制、调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路。

结电容Cj 是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依 赖关系及原理制成的二极管。反偏电压愈大,则结电容愈小。


最高反向电压URM
结电容变化范围
 
 
检波二极管 检波(也称解调)二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来,广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中。 最大平均整流电流IFM 其结电容低,工作频率高(可达400MHz)处理信号幅度较弱和反向电流小等特点。
反向击穿电压VR
最高反向工作电压VRM
最高工作频率fM
 
双向触发二极管 用于触发双向晶闸管及构成过压保护电路、定时器、移相电路等。
正向转折电压VBO 具有对称性的二端半导体器件,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的 NPN 晶体管;结构简单,价格低廉。
反向转折电压VBR
正向转折电流IBO
 
 
光敏二极管 一般用于光控开关电路,光耦及路灯开关中等。 最高工作电压Vmax 无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。
暗电流ID
光电流IL
 
 
双基极二极管 用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中。

基极电阻RBB 双基极二极管又称单结晶体管,具有两个基极,一个发射极的三端负阻器件,它具有频率易调、温度稳定性好等特点.
分压比η
 
 
 

 

### 反向二极管接地的作用及原理 反向二极管接地是一种常见的电路保护措施,主要用于防止因瞬态高压或电流尖峰而损坏敏感元件。具体来说,当电路中的电压发生异常波动时,反向二极管能够迅速响应并提供一条泄放路径,从而保护后续电路免受损害。 #### 原理分析 反向二极管接地的工作机制基于二极管的单向导电特性。在正常工作状态下,二极管处于截止状态,不会影响电路的功能。然而,在某些特殊情况下(例如静电放电、雷击感应或其他形式的过压事件),如果输入端出现了高于安全范围的负向电压,则此二极管会被反向偏置触发进入导通模式[^1]。此时,它将多余的能量通过自身流向地线释放掉,有效抑制了可能危及设备内部组件的危害因素。 对于TVS (Transient Voltage Suppressor) 二极管而言, 它们专门用于此类场景下的快速反应防护任务之中。这类器件不仅具备常规整流器所拥有的基本属性外还特别强化了针对短暂脉冲冲击承受能力的设计考量; 如资料提到的不同规格型号下对应不同等级的最大允许浪涌电流IPP以及相应产生的箝制电压VC数值变化规律即反映了这一点 [^3]. 另外值得注意的是,并非所有类型的半导体材料都适合制作成这样的保护装置——比如硅基产品相较于其他材质往往展现出更优性价比的同时也提供了相对较低开启阈值点附近的稳定表现特征 [^2]. 这意味着选用恰当参数匹配实际需求环境非常重要. #### 应用场景举例说明 以下是几个典型的利用到反向接地方案来提升整体可靠性水平的例子: 1. **电源输入接口处**: 防御来自外部电网干扰或者不当操作引起的过高瞬间压力; 2. **数据通信线路两端之间**: 抵抗由于信号传输过程里不可避免存在的反射效应造成局部热点现象加剧风险; 3. **电机驱动控制回路里面**: 缓解开关动作切换期间伴随而来电磁兼容性EMI问题带来的不利后果。 综上所述,合理布置好这些看似简单却至关重要的小部件可以极大地延长整个系统的使用寿命并且减少维护成本支出比例。 ```python # 示例代码展示如何模拟简单的反向二极管保护功能 import numpy as np def simulate_diode(voltage): threshold = 0.7 # 导通电压假设为标准硅二极管约0.7V if voltage >= -threshold and voltage <= threshold: current = 0 elif voltage < -threshold: current = -(voltage + threshold)**2 * 1e-3 # 简化模型表示漏电流随反向增加趋势 else: current = (voltage - threshold)**2 * 1e-3 # 正向导通后的近似关系 return round(current, 6) voltages = np.linspace(-5, 5, num=100) currents = list(map(simulate_diode, voltages)) print("Voltage\tCurrent") for v, i in zip(voltages, currents): print(f"{v:.2f}\t{i}") ```
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