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原创 汽车氛围灯400V浪涌防护方案之SD3002P4-3的应用实践
然而,面对复杂的车载电气环境(如电压波动、多路负载干扰等),其可靠性面临技术挑战:瞬态能量冲击,电源线可能高达线-线400V的浪涌电压,且在有限PCB面积(通常<10cm²)内实现μs级响应、kW级浪涌吸收的防护设计。SD3002P4-3:VCC 用大功率ESD 二极管,主要防400V 浪涌,做浪涌保护用。可以看到本来400V的浪涌使用SD3002P4-3 后电压被钳位到37.6V, 这样可以很好的保护后级氛围灯电路。因此,即使需要通过500V的浪涌,也可以选用这颗ESD二极管。
2025-04-08 16:35:17
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原创 浅谈汽车系统电压优缺点分析
ADAS系统对电池提出了更高的要求,需要更多的电力,如用12V系统难以支撑,如使48V系统,能够支持更多高功率设备如电动增压器、空调压缩机等,同时减少电流,降低线损,线缆更细更轻。浪涌保护对于48V 电源系统也是重要环节,上海雷卯发挥自己的技术专长,作为专业的防护器件供应商,拥有先进的技术与丰富的经验,针对 48V 系统研发出一系列高效浪涌保护方案。汽车电气系统的发展随着车辆电子设备的增多和对能效要求的提高,电压等级也在逐步提升,从传统的12V电压系统 、24V电压系统,到目前在逐步推广的48V电压系统。
2025-03-04 10:58:25
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原创 人工智能时代电子机器人静电问题及电路设计防范措施
例如,在机器人的通信接口线路上安装 TVS 二极管,可有效防止静电对通信芯片的损害。在电源输入端设计 LC 滤波电路或 π 型滤波电路,利用电感和电容的特性,滤除电源中的高频噪声和静电脉冲,为电子机器人的各个电路模块提供稳定、纯净的电源。例如,机器人的编码器信号线、摄像头视频线等,屏蔽线的外层金属屏蔽层接地,可以有效减少静电对信号传输的干扰,保证信号的完整性和准确性。在多层电路板设计中,将电源层和接地层相邻放置,利用电源层和接地层之间的电容效应,为静电提供低阻抗的回流路径,减少静电在电路板上的积累。
2025-02-21 14:10:31
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原创 华为固态电池引发的思索
通过上表可见,华为固态电池在电动汽车、消费电子、储能及通信基站等领域展现了卓越的应用潜力。相信华为固态电池的研发成功,不仅是一次技术革新,更是向可持续发展目标迈进的重要一步。为了更直观地展示华为固态电池的优势,雷卯EMC小哥按照华为优势项做了更多思索,收集了多方资料,统计出如下表,让消费者更加明了华为固态电池“牛”在哪里。Leiditech雷卯电子拥有成熟的方案,为各种产品的电池BMS管理系统保驾护航,覆盖充电接口、BMS主板、传感器、通信模块等关键区域。
2025-02-18 16:28:15
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原创 空气放电与接触放电的对比解析
其中,空气放电和接触放电是 ESD 测试中最为常用的两种方法,两者在测试原理、适用场景、测试效果等方面存在诸多差异。两种试验方法的电压等级如下表。标准规定:接触放电是优先选择的试验方法,空气放电则用于不能使用接触放电的场合(如表面涂有绝缘层、计算机键盘缝隙等情况)。总之,接触放电防护核心是“疏导”,通过低阻抗接地和瞬态抑制器件快速泄放能量。空气放电防护:核心是“隔离”,利用屏蔽和绝缘阻断电弧路径,减少耦合干扰。预测试使用静电枪扫描设备表面,识别薄弱点,上海雷卯有静电浪涌测试实验室,可以提供免费测试验证。
2025-02-14 14:47:26
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原创 Trench工艺和平面工艺MOS的区别
总之,一个新的工艺技术产生一定有它的优势所在比如Trench,功率大,漏电小。Trench工艺,俗称潜沟槽工艺,就好比我们农村的楼房,需要挖地基到一定深度,同样的使用面积所需要的地皮少,相比平面工艺,成本略低, 同电压平台,内阻略小,电流大,输出能力强,但是,广泛应用于被广泛应用于数字和模拟电路中,微处理器,放大器,音响,逆变器,安防,报警器,卡车音响喇叭及光伏储能上。Trench工艺MOSFET具有深而窄的沟槽结构,这可以增大器件的有效通道截面积,从而降低导通电阻,能够实现更高的电流传输和功率处理能力。
2025-01-17 09:50:09
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原创 车联网系统静电浪涌防护策略
车联网(V2X)是通过先进的通信技术将车辆与各种设备、服务平台相连接,实现车辆与外部环境的信息交互与协同,从而为用户提供智能交通、安全驾驶、便捷出行等服务的技术体系。简单来说,车联网就像是把互联网搬到了汽车上,让驾驶变得便捷、安全和有趣。,这包括使用ESD、TVS(瞬态电压抑制器)、压敏电阻等防护组件来吸收或分流过高的电压,从而有效地缓解静电放电和浪涌带来的挑战,确保车联网系统的稳定性和可靠性。因此,在车联网系统中实施EMC正向设计至关重要,不仅要确保对环境无害,还要确保人车安全,同时保证系统的性能稳定。
2025-01-10 09:27:31
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原创 智能储能电池一体机防雷防静电保护方案
5)技术进步和成本下降:近年来,储能电池技术不断进步,各类新型电池技术涌现,如锂离子电池、钠离子电池、流动电池等,具有更高的能量密度、更长的寿命和更低的成本。它具有将电能在低峰时存储起来,在需要时释放出来的能力,不仅可以平衡能源供需,提高能源利用率,还可以实现可再生能源的可靠应用和能源需求管理的灵活调度。5)接口板:智能储能电池的接口板是电池系统与外部界面之间的桥梁,可以通过多种通信协议与数码设备、太阳能发电系统、交流电网等连接,实现对电池充放电状态、电量、温度等参数进行实时监测和控制。
2025-01-09 09:39:56
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原创 汽车氛围灯静电浪涌的难点
2.此方案是车规类电容触控SoC芯片TCAE11,用于实现智能按键或滑条等功能,适用于车内阅读灯,氛围灯,中控,空调控制,方向盘,门把手等各类应用场景。汽车氛围灯,顾名思义,是烘托车内氛围的照明灯,是汽车内饰情感化设计的一种体现。浪涌保护装置需要在满足保护要求的同时,尽量减小尺寸和成本,如何来选择合适的器件满足车厂7637-2全套测试和抛负载要求,Lin线如何选型保护tvs?1. 复杂的电气环境:汽车的电气系统较为复杂,存在各种干扰源,如点火系统、电机、电子设备等,这可能会对氛围灯的浪涌保护造成挑战。
2025-01-08 15:06:23
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原创 电路设计中的“地”
如上图所示,灰色的这一圈代表的是一个机壳,而绿色的这个是电路板,这四个黄颜色的圈代表的是电路板上的安装孔,在这个图中,只有左上角这一个安装孔是接地的,其他三个安装孔和地之间没有连接,机壳体和信号地之间只有唯一的连接点。以上两种理论基本上是同一种类型,主要是主张数字地和模拟地在大部分的区域是需要分开的,然后在电路板上的某一个地方通过单点进行连接,这个单点连接的地方正是数字电路和模拟电路互相有交集及互相进行通讯的地方。机壳地和电路板上的信号地的连接有两种方式,单点连接和多点。信号地基本上存在于我们的电路板中。
2025-01-07 09:49:54
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原创 OBC交流充电浪涌问题怎么办
交流充电也叫“慢充”,交流充电桩将交流电网中的单相交流电 (220V) 或三相交流电(380V) 电流供给装在车辆内的车载充电机 (OBC),OBC 可以将交流电转化为直流电从而给新能源汽车充电。方案优点:用于满足220V,380V交流电源接口的浪涌保护,根据电源所处环境选择不同级别的保护器件,满足IEC61000-4-5 4KV~8KV不同级别的测试。4)输入电压浪涌问题可能会对车辆的其他电器设备产生影响,例如车载音响、空调系统等。1)如果输入电压的浪涌超过了OBC的设计范围,OBC可能会检测到异常并。
2025-01-03 14:13:00
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原创 TSS半导体放电管选型及应用电路
一般并联在电路中应用,正常工作状态下半导体放电管处于截止状态,当电路中由于感应雷、操作过电压等出现异常过电压时,半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流,保护后端设备免遭异常过电压的损坏,异常过电压消失后,半导体放电管又恢复至截止状态。需要注意的是,半导体放电管的反向截止电压要大于被保护电路的最大工作电压,否则会影响被保护电路的正常工作和TSS的使用寿命。当电路中某一LED 灯珠处于开路状态时,PLE开路保护器件启动,充当旁路导线的作用,PLED两端电压小于 1 V。
2025-01-02 17:06:11
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原创 BMS故障与静电浪涌:新能源车自燃风险的深层次剖析
特别是在充电过程中,连接器插拔操作容易产生静电放电,如果没有适当的防护措施,这种放电可能会损坏BMS或其他关键组件,进而影响整个电池系统的稳定性,增加热失控的可能性。如方案图示,雷卯电子采用低残压的TSS,有效保护接口,TSS反应时间为ns级,既可防浪涌,又可防静电,且保证信号完整性.满足满足ISO10605-2 (静电接触放电±8kV,空气放电±15KV),符合北京汽车企标BAS582—2019中对于CAN总线BC的接触放电±8KV,空气放电±15KV的要求。本文将深入探讨电池管理系统。
2024-12-30 11:59:07
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原创 什么是汽车抛负载Load dump
在汽车电子领域,抛负载是指在蓄电池充电时,断开发电机与蓄电池的连接而引起发电机输出大电压尖峰,从而使得其它连接到发电机电源的设备受到破坏的威胁。仅切断蓄电池为蓄电池单抛;很多汽车自带限位器,可以保证输出浪涌不超过5B设定值,进一步降低了抛负载的风险,对于这样的要求,我们可以选用便宜的方案,比如雷卯的SM5S24CA系列车用TVS和6.6SMDJ24CA。7637-5A标准是未经抑制的波形,7637-5B是发电机前端有电压抑制的波形,具体见下面的波形图,在内阻相同的情况下,波形面积的大小也体现了能量的大小。
2024-12-27 09:19:19
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原创 USB4接口的静电浪涌保护方案
方案优点:USB4 接口支持高达 40Gbps 的数据传输速度,本方案采用低结电容0.2PF,小体积DFN0603封装,带回扫分立器件做ESD/EOS防护方案, 方便布线,确保信号完整性,可滤除杂讯,满足IEC61000-4-2(等级4)。以下是接口保护方案图。为了减少 USB Type-C 接口的 ESD 危害,可以采取一些防护措施,上海雷卯推出USB4的ESD防护方案。人体是常见的静电源,当我们触摸 USB Type-C 接口时,可能会将身上的静电荷传递到接口上,引发 ESD 危害。
2024-12-26 10:25:04
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原创 Canbus芯片静电浪涌击穿整改方案
在现代电子系统中,CAN Bus(Controller Area Network Bus,控制器局域网络总线)作为一种常用的通信协议,标准CAN通常指的是CAN 2.0A和CAN 2.0B协议,其最大通讯速率为1Mbps。而高速CAN通常指的是CAN FD(CAN Flexible Data-rate)协议,大家都知道工作环境中可能面临静电放电(ESD EOS)的威胁,因此在CAN BUS电路中工程师们都放置ESD二极管以作静电浪涌防护用,但还会出现IC被静电浪涌打坏,造成不能正常工作,这是什么原因?
2024-12-24 14:20:40
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原创 集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(三) —集成电路ESD 测试与分析
如大型变压器周围的电磁场分布不均匀,通过调整 IC 的位置和方向,使其远离强磁场区域或与磁场方向平行,可以减少磁场对其的影响。(2)利用相同的测量设置和一个磁场源确定IC的磁场抗扰度水平,这种方法能够在相对统一的条件下,对 IC 抵抗磁场干扰的能力进行量化评估,以便更好地了解 IC 在不同磁场强度和频率下的性能表现。(1)在静电放电(ESD)事件期间,结构部件可能会产生额外的磁场. 例如,当ESD发生时,放电电流会在结构部件周围形成磁场,这些磁场可能会与集成电路(IC)相互作用,从而干扰IC的正常运行。
2024-12-19 09:31:46
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原创 集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(二)——集成电路ESD问题应对措施
因此,在产品设计的早期阶段,了解 IC 的电磁兼容性特性,并采取相应的预防措施,可以避免在后期出现此类问题,从而降低成本和缩短开发周期.比如,为了提高 ESD 免疫力,可以在 IC 上方设置屏蔽罩,以拦截散热片发出的电场,(如图3所示),在进行静电放电(ESD) 测试中,屏蔽罩还必须延伸到石英晶体上。ESD 测试只能在成品部件上进行,这是因为只有在整个部件完成开发和生产后,才能准确地评估其在实际工作环境中的ESD抗扰度。通过测试,可以及时发现问题并采取相应的改进措施,从而提高集成电路的质量和稳定性。
2024-12-18 16:54:06
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原创 集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(一)— 电子系统性能要求与ESD问题
工业、消费及汽车电子模块开发的 EMC 问题会导致极高的开发成本和时间浪费。在开发过程中,为了解决 EMC 问题,需要投入大量的人力、物力和时间进行测试、改进和优化,这增加了开发的复杂性和成本,同时也可能导致项目延期。手动对电场源集成电路(IC)进行检测将会发现,锁相环(PLL)和振荡器区域特别敏感。对IC故障进行的相应分析证实了锁相环和振荡器存在故障。下一篇将接着分享《ESD问题应对措施》。图2用场源检测到的微控制器敏感区域。图 1 ESD 干扰的工作原理。
2024-12-17 09:43:34
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原创 电动自行车易着火的启示
方案优点:用于CAN接口的浪涌保护,采用低残压的TSS,有效保护接口,TSS反应时间为ns级,既可防浪涌,又可防静电,且保证信号完整性. 满足IEC61000-4-2,静电等级4,接触放电15kV,空气放电8kV;满足IEC61000-4-2,ISO10605-2 等级4,接触放电30kV,空气放电30kV,IEC61000-4-5 浪涌10/700μs,8KV。方案优点:满足室外设备48V直流电源接口的防雷浪涌保护,满足IEC61000-4-2,等级4,接触放电8KV,空气放电15KV。
2024-12-13 08:56:55
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原创 如何选择合适电容值的ESD二极管
通过选择合适电容值的ESD管,我们能够提供可靠的ESD保护,确保通信接口的正常工作,同时保护其他电子元器件免受静电放电的危害。2. 接口的电气特性:了解通信接口的特性阻抗、信号电平以及信号线的布局等,有助于选择合适的ESD管电容值。经过仔细计算和模拟,可以确定最佳的电容值范围。此外,与供应商和技术专家的交流也是非常重要的,他们能够提供更具体的建议和指导。1. 通信接口的速率和带宽:不同速率和带宽的通信接口对ESD保护的要求不同。3. ESD保护需求:根据应用场景和系统对ESD保护的需求,选择适当的电容值。
2024-12-12 15:32:22
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原创 电路设计中的浪涌保护
同时,遵循相关的设计标准和规范,进行充分的测试和验证,以确保浪涌保护电路能够有效地保护电路免受浪涌的影响。当浪涌电压超过压敏电阻的阈值时,它会导通,将过电压分流到地,从而保护电路。在电源输入端或信号线中添加滤波器,可以减少浪涌的影响,并提供对电路的保护。气体放电管是一种气体放电式的过压保护元件,常用于交直流流电源的保护。- 当电压超过压敏电阻的阈值时,压敏电阻的电阻值会急剧降低,将过电压能量分流到地,保护电路。- 当电压超过气体放电管的击穿电压时,气体放电管会放电,将过电压能量分流到地,保护电路。
2024-12-11 08:58:50
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原创 雷卯解析AECQ101与AECQ200
AECQ200标准定义了一系列严格的测试要求和条件,用以模拟汽车电子元件在实际应用中可能遇到的各种恶劣环境,包括高低温循环、温度冲击、湿度、机械振动、机械冲击、耐焊接热、耐溶剂性等。主要关注于确保被动电子元件在汽车应用中的高性能和耐用性,这包括但不限于电容器(如钽电容、陶瓷电容、铝电解电容、薄膜电容)、电阻、电感、石英晶体、陶瓷谐振器、铁氧体EMI干扰抑制器、聚合自恢复保险丝等。请注意,上述具体测试要求(如温度、湿度、时间和电压水平)会根据被测试组件的类型、等级和预期应用有所不同。
2024-12-10 10:50:45
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原创 GDT气体放电管怎样选型
在过电压消失之后,理想的GDT应该立即断开,以恢复正常的工作状态,然而在实际应用中,如果电路的工作电压高于GDT的续流电压(也称为维持电压),GDT可能会继续导通,形成续流现象。直流击穿电压选择多大需根据以下计算得出:线路正常运行电压峰值(交流线路需将有效值转换为峰值)故220V×1.414=311.08V,最小直流击穿电压 min(ufdc)应当大于等于线路正常运行电压峰值 (Up) 的1.8倍则1.8×311.08V=559.944V,可以选择一个接近但不低于560V的直流击穿电压。
2024-12-09 10:40:19
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原创 MOSFET器件参数:TJ、TA、TC到底讲啥
一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω,导通电流 Id 为 10A,结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W,环境温度 TA 为 25°C。另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω,导通电流 Id 为 5A,结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W,壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W,环境温度 TA 为 20°C。先计算导通损耗:P = Id²×R。TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)
2024-12-06 10:46:07
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原创 伺服驱动器位置传感器的静电浪涌防护方案
伺服驱动器中的位置传感器是用于精确控制电机转子位置的关键组件。它提供反馈给伺服系统,确保电机按照预设的位置、速度和加速度指令准确运行。位置传感器在机器人、数控机床、自动化装配线等高精度定位应用中至关重要。采用S1M与GBLC24C保护常规4-20mA 24供电的敏感传感器芯片,小封装,低电容,大电流保护。满足IEC61000-4-2,等级4,接触放电30kV,空气放电30kV。符合 IEC61800-3 标准,确保在复杂电气环境中的稳定性。实现紧凑型设计,适用于空间受限的应用。确保在不同环境下的性能。
2024-12-05 09:51:59
367
原创 三级浪涌防护及退耦设计
设计中,第二级过电压保护器件一般采用响应速度较快的小通流低压器件,浪涌电压冲击时会先导通,退耦器件具有一定的内阻,经过大浪涌电流时,会将退耦元件之前的电压提高到第一级过电压元件的击穿电压之上,第一级元件导通后可泄放大浪涌电流,从而分担了第二级保护器件的压力。在类似5G基站的防雷设计电路上,对电力的VC箝位电压要求非常高,也可以采用单TVS的保护方案,使用的是雷卯电子的AK系列TVS,类似AK10 AK15 防护10KA级别的TVS,这类方案的特点是残压很低。
2024-12-03 16:30:24
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原创 TVS选型四个关键指标及选型
总结:在TVS选型中,关注工作电压、箝位电压、瞬态最大电流和电容值等四个关键指标的选择,确保TVS能够可靠保护电路免受瞬态电压的损害。例如,选择Ipp为15A的TVS,确保能有效应对可能出现的10A的瞬态电流。根据电路的最高电压,选择工作电压稍高于最高电压,确保TVS能可靠保护电路。根据需要抑制的过电压范围,选择合适的箝位电压,确保TVS有效抑制过电压。根据需要抑制的过电压范围,选择合适的箝位电压。根据电路最高电压,选择稍高于最高电压的工作电压,比如选择36V工作电压的TVS,确保保护效果可靠。
2024-12-02 10:37:07
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原创 怎样选择合适的MOSFET
导通电阻越低,MOSFET 在导通状态下的能量损耗越小,效率越高。:热阻反映了 MOSFET 散热的能力,热阻越小,器件在工作时产生的热量越容易散发出去,结温越低,可靠性越高。如果工作环境温度较高,需要关注 MOSFET 的热阻、结温等参数,选择热阻较小、结温较高的器件,以保证在高温环境下的可靠性。:确定电路的工作电压范围,选择的 MOSFET 额定电压应大于等于电路的最大工作电压,并留有一定的余量(建议至少 1.5 倍余量),以确保在电压波动或瞬态电压情况下 MOSFET 能够正常工作。
2024-11-29 15:48:31
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