构建前端中非常见的外链模式

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本文介绍了前端开发中创建外链的几种非常见模式,包括使用标签的属性创建表单提交外链,利用标签的属性进行文件下载,以及通过JavaScript的和函数实现页面重定向和在新窗口打开链接。这些模式提供了更丰富的用户交互体验,但在实际应用中需要注意验证和过滤,以确保用户安全。

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在前端开发中,外链(Outbound Links)是指指向其他网站或资源的链接。通常情况下,我们使用常见的方式创建外链,例如使用<a>标签或JavaScript中的window.location对象。然而,除了这些常见的方式,还有一些非常见的模式可以用来构建外链。本文将介绍几种非常见的前端外链模式,并提供相应的源代码示例。

  1. 使用<form>标签和target属性:
<form action="https://example.com" method=
<think>好的,用户现在想了解FSMC中的非对称成组模式(Asymmetric Burst Mode)的实现和原理。首先,我需要回忆一下之前关于FSMC成组传输模式的回答,确保这次回答在基础上扩展,同时专注于非对称部分。 用户之前的问题是关于成组传输模式的一般配置,而这次转向了非对称模式。我需要明确两者的区别。常规的成组模式通常是地址自动递增,每个传输周期数据连续,而非对称模式可能涉及不同方向或不同长度的读写操作。用户可能是在优化特定场景下的性能,比如需要频繁切换读写或不同长度的数据传输,比如LCD控制中的显存更新,可能涉及大量写入而读取较少。 接下来,我需要查阅STM32的参考手册,特别是关于FSMC的章节,确认非对称成组的配置参数和相关寄存器。例如,FSMC的BCR和BTR寄存器中是否有相关的控制位,比如CBURSTRW位,可能用于设置读写不同的突发长度。 然后,考虑用户可能的实际应用场景。非对称模式常见于需要高效写入而读取较少的设备,比如TFT LCD驱动,用户之前提到的ILI9341驱动可能属于这种情况。这种情况下,写入操作可能比读取更频繁,因此优化写入的突发长度可以提高整体性能。 还需要考虑时序配置。非对称模式可能需要分别设置读和写的时序参数,例如DATAST和ADDSET的不同值。需要解释如何根据设备手册计算这些值,并转换为寄存器的设置。 另,用户可能想知道如何启用非对称模式,是否需要在EXTMOD位或BURSTEN位之的其他位进行配置。例如,CBURSTRW位可能允许独立设置读和写的突发长度,从而实现非对称。 同时,要确保回答结构清晰,分点说明原理、实现步骤、应用场景和验证方法。可能需要提供代码示例,比如寄存器配置的代码片段,帮助用户理解如何具体操作。 最后,生成相关问题时要考虑用户可能的后续疑问,比如与DMA的配合、时序计算或性能优化等,确保覆盖用户可能需要的扩展知识。</think>FSMC的非对称成组模式(Asymmetric Burst Mode)是针对混合读写操作场景的优化传输机制,其核心原理是通过独立配置读/写时序与突发长度,实现不同方向传输的性能优化。以下是具体实现原理与配置方法: --- ### 一、非对称模式基本原理 1. **定义差异** - 常规成组模式:读/写使用相同时序参数和突发长度(如固定4字传输) - 非对称模式: $$ \text{读突发长度} \neq \text{写突发长度} $$ $$ t_{read\_setup} \neq t_{write\_setup} $$ 2. **物理特性支持** - 通过FSMC_BWTR寄存器独立控制写时序[^1] - 利用`CBURSTRW`控制位分别设置读/写突发长度[^3] --- ### 二、硬件配置要点 1. **存储区域选择** 选择支持扩展模式的FSMC Bank(如Bank1_SRAM3),基地址需对齐突发长度边界: ``` 基地址 = $0x68000000 + (Block\_Size \times Burst\_Length)$ ``` 2. **时序分离配置** - 读时序:通过`FSMC_BTR`寄存器配置 - 写时序:通过`FSMC_BWTR`寄存器配置 ``` /* 示例:读时序DATAST=5周期,写时序DATAST=3周期 */ FSMC_BTRx = 0x00050005; // ADDSET=5, DATAST=5 FSMC_BWTRx = 0x00030003; // 写ADDSET=3, DATAST=3 ``` --- ### 三、关键寄存器配置 | 寄存器 | 控制位 | 功能说明 | |----------------|--------------|----------------------------------| | FSMC_BCR[19] | EXTMOD | 必须置1启用扩展模式 | | FSMC_BCR[14] | BURSTEN | 突发传输总使能 | | FSMC_BCR[13] | CBURSTRW | 1=读/写独立突发长度,0=共用长度 | | FSMC_BTR[28:24]| DATAST | 读数据保持时间(HCLK周期) | | FSMC_BWTR[28:24]| DATAST | 写数据保持时间 | --- ### 四、非对称突发实现步骤 1. **模式激活配置** ```c // 启用扩展模式和独立突发长度 FSMC_BCRx |= FSMC_BCR_EXTMOD | FSMC_BCR_BURSTEN | FSMC_BCR_CBURSTRW; ``` 2. **突发长度设置** - 读突发:通过`FSMC_BTR[28:24]`隐含定义(数据总线宽度自动计算) - 写突发:通过`FSMC_BWTR[28:24]`独立设置 ```c // 设置读突发8字,写突发4字(16位总线) FSMC_BTRx |= 7 << 8; // 8字 = 7+1 FSMC_BWTRx |= 3 << 8; // 4字 = 3+1 ``` 3. **时序参数计算** 根据SRAM/LCD规格书计算最小值: $$ t_{WR} = (DATAST_{write} + 1) \times t_{HCLK} \geq t_{WP} \quad \text{(写脉冲宽度)} $$ $$ t_{RD} = (DATAST_{read} + 1) \times t_{HCLK} \geq t_{ACC} \quad \text{(访问时间)} $$ --- ### 五、典型应用场景 1. **LCD显存更新** - 高频写入像素数据(突发长度8) - 低频读取状态寄存器(突发长度1) 2. **混合操作存储设备** ```c // 写入突发操作示例 void BurstWrite(uint16_t* data, uint32_t len) { volatile uint16_t* addr = (uint16_t*)0x68000000; for(int i=0; i<len; i+=4) { // 4字触发一次突发 *addr++ = data[i]; // 自动写入后续3字 } } ``` --- ### 六、性能验证方法 1. **逻辑分析仪观测** - 对比读/写操作的`NOE`(输出使能)和`NWE`(写使能)信号间隔 - 检查地址线`A[25:0]`的自动递增模式 2. **带宽测试** 理论最大带宽计算: $$ BW_{max} = \frac{Burst\_Length \times Bus\_Width}{t_{cycle} \times N_{cycles}} $$ 实测可通过DMA传输大数据块计算时间差[^2] ---
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