无源晶振时钟计算

本文介绍了如何计算晶振的负载电容Cf,其中包括集成电路的内部电容Cic及电路板寄生电容dC,并给出了具体实例计算Cd与Cg的值。

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C1、C2为对地电容
负载电容Cf=[C1*C2/(C1+C2)]+Cic+dC

Cic:集成电路的内部电容
dC:电路板寄生电容(2~5pF)
之后就要看晶振的数据表要求的负载电容是多少了,比如要求Cf=12.5pF,
则计算Cd=Cg=[Cf-(Cic+dC)]*2约为20pF左右

### 有源晶振无源晶振在单片机时钟配置中的区别 #### 配置需求的不同 对于单片机而言,采用有源晶振无源晶振作为时钟源,在硬件连接方式以及软件初始化方面存在显著差异。 - **有源晶振** 使用有源晶振时,由于其内置了完整的荡回路,因此只需将其两个端子分别接到单片机的XIN/XOUT引脚上并接入电源即可实现自动起,无需额外添加外围组件。这意味着开发者不必担心因外部元件参数不当而导致的工作不稳定问题[^1]。 - **无源晶振** 当选用无源晶振时,则必须配合特定数值的负载电容器(通常称为启动电容)一起使用。这些电容的作用在于帮助建立合适的反馈条件使晶体能够稳定动。具体来说,需要根据所选频率范围内的推荐值来挑选合适容量的电容,并正确地跨接于XTAL两端之间[^2]。 #### 输出信号形式对比 - **有源晶振** 此类器件能直接输出占空比较理想的矩形脉冲序列给MCU作同步计数之用,从而简化了后续处理流程[^3]。 - **无源晶振** 它们产生的则是近似正弦波形状的变化电压,这可能会影响某些对输入边沿敏感的应用场合下的性能表现。不过现代大多数微控制器都具备较强的抗干扰能力,可以在一定程度上容忍这种非理想形态的周期变化量[^4]。 #### 应用场景考量 考虑到成本效益比、尺寸限制等因素: - 如果项目预算有限且对外设接口速率要求不高的话,那么优先考虑价格低廉又易于调试维护的无源方案; - 对于那些追求极致精准度或是高频操作环境里,则更倾向于稳定性好、误差极低的有源型号。 ```c // 示例代码展示如何在C语言中定义一个简单的延时函数用于测试不同的时钟源效果 void delay_ms(unsigned int ms){ unsigned int i,j; for(i=0;i<ms;i++) for(j=0;j<1275;j++); } ```
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