dp:注意列方程

本文探讨了如何计算具有特定节点数量的AVL树的不同形态数目。通过动态规划的方法解决了这一问题,给出了高效的算法实现,并提供了完整的代码示例。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >




平衡二叉树(AVL树),是指左右子树高度差至多为1的二叉树,并且该树的左右两个子树也均为AVL树。 现在问题来了,给定AVL树的节点个数n,求有多少种形态的AVL树恰好有n个节点。
Input
一行,包含一个整数n。 (0 < n <= 2000)
Output
一行表示结果,由于结果巨大,输出它对1000000007取余数的结果。
Input示例
10
Output示例
60


n个结点最高为log1.68(n),最低为log2n,dp[i][h] 为i个结点高度为h的个数。

dp[i][j] 可分为三种情况:①左右子树高度相同:dp[j][h-1]*dp[i-1-j][h-1];
                                       ②左右子树高度差一:dp[i][h-1]*dp[i-1-j][h-2];
                                       ③左右子树高度差一:dp[i][h-2]*dp[i-1-j][h-1]   (②③两种情况相同可直接乘二)

需要注意:dp[0][0]和dp[1][1]  后续乘法会用到,所以初始化的时候必须改为1!

n个节点的情况为高度为h1,h2,h3,h4... 因此将结点为n,高度为2-h的所有dp相加。

中间不要忘记 正! 确! 的! 取余
注意 j,h的范围数组下标0 - MAX




#include<iostream>
#include<cstring>
using namespace std;
const int mod = 1000000007;
const int MAX_N = 2000;
int n;
long long dp[MAX_N + 5][25];
void solve()
{
    int h;
    int sum = 0;
    memset(dp,0,sizeof(dp));
    dp[0][0] = 1;
    dp[1][1] = 1;
    for(int i = 2; i <= n; i++)
        for(int j = 0; j < i; j++)
            for(h = 2; h <= 20; h++)
            {
                dp[i][h] += dp[j][h-1] * dp[i-j-1][h-1]%mod;          //开始没写 +
                dp[i][h] += 2*dp[j][h-1]*dp[i-j-1][h-2]%mod;
                dp[i][h] %= mod;
            }

    for(int i = 0; i <= h; i++)
    {
        sum += dp[n][i];
        sum %= mod;                         // 这里取余
    }
    cout<<sum<<endl;
}
int main()
{
    cin>>n;
    solve();
    return 0;

}


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值