sram进入deepsleep和shutdown是如何实现低功耗的？

SRAM（静态随机存取存储器）中的shutdown和deepsleep是两种重要的低功耗技术，用于降低静态功耗。下面我将详细介绍这两种技术的原理和实现方式。

一、基本概念

1. 传统SRAM的功耗问题

传统6T SRAM单元的功耗主要来自：

• 动态功耗：读写操作时的充放电

• 静态功耗：亚阈值漏电流（主要来源）

deepsleep和shutdown就是对静态功耗进行管理；

2. 工作原理

• 工作模式：睡眠晶体管完全导通，虚拟电源≈实际电源

• 睡眠模式：睡眠晶体管关闭，虚拟电源浮空

  • 保持存储内容（通过泄漏电流维持）

  • 降低80-90%的静态功耗

3. 关键设计参数

参数	影响	典型值
睡眠晶体管尺寸	决定唤醒速度/电压降	2-5倍单元晶体管
虚拟电源电容	影响状态保持时间	10-100fF/bit
唤醒时间	从睡眠恢复到工作模式的时间	1-10ns

二、SD与DS的比较

特性	SD技术	DS技术
控制方式	外部静态信号控制	动态访问模式检测
功耗节省	固定比例(80-90%)	可变(30-95%)
面积开销	额外晶体管(2-5%面积)	控制逻辑(1-2%面积)
适用场景	明确的长空闲期	不规则访问模式
数据保持	需要特殊保持电路	标准单元即可保持

//***************************************************************//

同时可以参考：

https://www.zhihu.com/question/575098999https://www.zhihu.com/question/575098999介绍关于SRAM 存储器的实现原理，第4节讲述低功耗相关的