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RSS订阅原创 pmos和nmos哪个驱动能力更强?
这是因为电子的迁移率高于空穴的迁移率，因此，NMOS的导通电阻更低，驱动能力也就更强。所以相同条件下，PMOS的功耗将会比NMOS更大。但由于PMOS复杂的工艺（NWELL），PMOS往往也会比NMOS更加稳定一些。同时，由于工艺的原因，PMOS普遍的成本也要高于NMOS。
2024-03-30 16:28:38
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原创 MOS管与三极管（BJT）的区别
开关管损失的计算需要考虑多个影响因素，其中包括MOSFET的特性参数（如导通电阻、开关速度等）、电路拓扑结构、负载情况和工作频率等。的条件下工作，而且它的制造工艺（工艺简单、功耗小）可以很便当地把很多MOS管集成在一块硅片上（灵活性好），因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。1.第一种就是小功率的场合，比如说导通电流小于100ma的时候，通过上面的计算可以看出功率大约0.04W，还是相对较低的，性价比较高。而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。
2024-03-30 16:25:40
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原创 MOS管的参数与选型
在栅源短接，漏-源额定电压（VDSS）是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS.
2024-03-30 16:23:21
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原创 三极管的参数和选型
但若用射极输出器（或源极输出器）作为输入级或是输出级时，则多级放大电路的输入电阻或是输出电阻就与后级或前级的参数有关。一般来说，多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电阻，而输出电阻就是输出级的输出电阻。电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的输入电阻。共集放大电路（射极输出器）的电压放大能力Au约等于1，可以用作电压跟随器。负载电阻越小，放大倍数越小。（希望Ri越大越好，Ro越小越好）注意参数选取时应到留有一定裕量（20~40%）总的电压放大倍数等于每一级相乘。
2024-03-30 13:45:10
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原创 电容的参数和选型
但是如果供电中的谐波频率高到了一定的时候，电容中的ESL电感的作用就不可忽视了，再高的时候ESL电感就起主导作用了，此时电容将失去滤波作用，这时候需要降低电容量。适用于振荡器，谐振器的槽路电容，以及高频电路的耦合电容。电容的电容量会随着温度的上升而下降，同样 电容的温度系数的单位为PPM(百万分之一（十的负六次方）)陶瓷电容具有最佳的ESR（毫欧级别），钽电解电容的ESR为数百毫欧，铝电解电容的ESR为欧姆级。滤波电容的选取与电容本身的自谐振频率有关，当信号的频率高于电容本身的自谐振频率时电容将呈现感性。
2024-03-30 13:34:06
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原创 【汇编】十字路口交通灯控制
本项目为典型的LED显示和中断定时电路。利用定时器T0产生每10ms一次的中断，每100次中断为1s。对两个方向分别显示红、绿、黄灯，已经相应的剩余时间即可。值得注意的是，需要意识到，A方向红灯时间=B方向绿灯时间+黄灯缓冲时间这一常识。设计一个十字路口交通灯控制器。用单片机控制LED灯模拟指示。模拟东西方向的十字路口交通信号控制情况。东西向通行时间为80s，南北向通行时间为60s，缓冲时间为3s。（如果板子上只有4位LED，就设置时间在十秒以内）
2024-02-27 18:42:16
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原创 Verilog学习笔记
Verilog的基本设计单元是“模块”(block)。一个模块是由两部分组成的，一部分描述接口，另一部分描述逻辑功能，即定义输入是如何影响输出的。运用模块化的思想，分别写出与门和非门的模块代码综上可实现图示电路通过上面的例子可见:• Verilog HDL程序是由模块构成的。每个模块的内容都是嵌在module和endmodule两个语句之间。每个模块实现特定的功能。模块是可以进行层次嵌套的。因此, 大型的数字电路设计可分割成不同的小模块来实现特定的功能,最后通过顶层模块调用子模块来实现整体功
2023-05-18 15:38:50
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空空如也
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