基于BCH算法的ECC在MLC Nand Flash中的实现[zz]

摘要：

 

       目前的Flash有nand和nor两种，我们可以认为flash是EEPROM的变种。intel在1988年开发出nor flash技术，彻底改变了EEPROM一统天下的局面。nand flash分为MLC和SLC两种，从前的SLC一般采用Hamming码来实现ECC，能够检测2bit错误，自动纠正1bit错误。但对于MLC虽说具有存储密度上的优势，但也掩饰不了自身的缺陷。

1、读写次数较差

      MLC读写效能更差,SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。

2、读写速度较慢

      同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大约只有2M到3M左右。

3、能耗较高

     同条件下，MLC能耗比SLC高，要多15%左右的电流消耗。

4、出错几率更大

      由于MLC的每个cell可以存储2bit的数据，随着技术的不断进步，3bit、4bit、、都有可能。这样对于读写频繁的数码产品(MP4,SD卡等），其出错的几率将会更大，因此对主控芯片和ECC将要求更高。目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。

   综上所述，MLC需要多bit ECC，目前采用BCH和Reed Solomon算法的比较多，下面将详细介绍本人采用的基于BCH算法的8b ECC(针对每个page 512byte的nand flash)。

   纠错能力：8b/512byte

 

 

from: http://hi.baidu.com/rymonwang/blog/item/dca2ee8bb9339f17c8fc7ab8.html