英雄造时势和时势造英雄那个观点更正确?

文章讨论了关于个人成功时时势造英雄和英雄造时势两种观点的适用条件,强调个人因素和外部环境在成功中的比重决定评价方式,提出一个60%的划分标准作为参考。

1、先上结论,再说论点。

都称不上正确,两种观点只在特殊条件下才能成立,比如评价某个人时。两种观点一般都是在评论具体人的身上才显得特别正确,就是说两种观点都能举出特列来证明对方不对,所以两种观点不具有一般性和普适性。因此只能当做一句评价具体人的感慨或者评价某个特定人及群体时使用。

 2、一般有三种情况:

        a、如果这个人的有好的家庭及社会背景和好的机遇,并在成功的路上起到帮助作用,那么我们可以认为时势造就了这个人,可以用时势造英雄评价这个人。

        b、反之,如果这个人没有好的家庭及社会背景和机遇,也就这些条件都没有给他实质性的帮助,那么我们可以认识是这个人造就了某个时势,此处可用英雄造时势进行评价。

        c、但更多的情况是,一个人的成功及有时势的功劳也有个人的功劳。此时我们应该更具个人和时势在一个人成功中的占比来决定用“时势造英雄”还是“英雄造时势”以及两者都不用。

3、总结

        因此,在这两种因素占,当个人因素超过60%可以用“英雄造时势”评价,当时势因素超过60%可用“时势造英雄”,当两种因素都不超过60%,只能用其他评价语,不然有失公平和理性。当然该比例只是作者个人进行的划分,实际评价中仅做参考,或许会有更合适的比例,但这并不重要不是吗,我们只是来论证上面两种观点的正确性。

大注入小注入情况下,势垒区交界处多子浓度变化机制存在明显差异。 小注入时,注入的非平衡载流子浓度远小于热平衡多子浓度。以N型半导体为例,注入的非平衡空穴浓度 $\Delta p$ 远小于热平衡电子浓度 $n_0$,即 $\Delta p \ll n_0$。此时,多子浓度基本保持不变,仍近似等于热平衡多子浓度。这是因为注入的非平衡载流子数量相对较少,对多子浓度的影响可以忽略不计。多子的主要作用是提供导电通道,其浓度的稳定性保证了半导体基本的电学特性。例如,在一些低功率的半导体器件中,小注入情况较为常见,器件的性能主要由热平衡多子浓度决定。 大注入时,注入的非平衡载流子浓度接近或超过热平衡多子浓度。同样以N型半导体为例,注入的非平衡空穴浓度 $\Delta p$ 接近或大于热平衡电子浓度 $n_0$。此时,势垒区交界处多子浓度显著增加。这是因为大量的非平衡载流子注入,使得载流子的复合产生过程发生变化,导致多子浓度不再保持热平衡状态。在大注入正向偏压 $V$ 下,非平衡载流子浓度会随着偏压的增大而迅速增加,从而使多子浓度也大幅上升。对于突变PN结,在势垒区边界(如N区势垒区边界 $x = x_n$ 处),多子(电子)浓度 $n(x_n)$ 近似等于注入的非平衡少子(空穴)浓度 $p(x_n)$,即 $n(x_n)\approx p(x_n)$。大注入会使半导体的电导率发生明显变化,根据电导率公式 $\sigma = nq\mu_n + pq\mu_p$($n$ 是电子浓度,$p$ 是空穴浓度,$\mu_n$ $\mu_p$ 分别是电子空穴的迁移率),多子浓度的增加会使 $\sigma$ 显著提高。 ```python # 简单示意小注入大注入下多子浓度的概念 # 假设热平衡多子浓度 n0 = 1e15 # cm^-3 # 小注入时非平衡载流子浓度 delta_p_small = 1e12 # cm^-3 # 大注入时非平衡载流子浓度 delta_p_large = 1e16 # cm^-3 # 小注入时多子浓度近似不变 n_small = n0 # 大注入时多子浓度显著增加 n_large = n0 + delta_p_large print(f"小注入时多子浓度: {n_small} cm^-3") print(f"大注入时多子浓度: {n_large} cm^-3") ```
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