二硫化钼

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本文探讨了二硫化钼与石墨烯在纳米电子学中的应用。二硫化钼因其可通过化学处理获得单层结构及拥有带隙等特性，在半导体器件方面展现出潜力。尽管其厚度较石墨烯为厚，但单层二硫化钼在载流子迁移率和带隙方面表现出独特的优势。

上午到现在搜了一下2014年SCI库中关于二硫化钼的文章，发现今年的文章还是不少的。

其实二硫化钼最大的优势就是在于通过一些化学处理的方法，可以获得单层的二硫化钼，这和石墨烯的性质很相似。

其的厚度是6.5A，石墨烯0.034A，厚度上还是厚了很多。

但是其最大的优势在于其由带隙，而石墨烯没有，但是石墨烯可以通过一些方法得到一些很小的带隙，然而这样会大大降低石墨烯的载流子迁移率（mobility）。

石墨烯理论上最大的载流子迁移率可以达到120000cm2V-1S-1，通过一些方法加入带隙后，发现载流子迁移率降低至可怜的200.

为什么采用二硫化钼呢？

被SCI库引877的paper（B. Radisavljevc，A.Radenovic, J. Brivio, et al. Single-layerMoS2 transistors.Nature nanotechnology,2011,6: 147-150.）说明了这一点：OurMoS2 monolayer has similar mobility but a higher bandgap thangraphene nanoribbons, and a smaller thickness than the thinnest silicon films fabricated to date.


                                         Characterizationof MoS2 monolayer transistors.


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