晶圆级高效的12和30V MOS管

什么是MOS管

MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

新型MOS管

Nexperia推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级 DSN1006 封装，具有市场领先的 RDS（on） 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

新型 MOSFET 非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。

RDS（on） 与竞争器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。 超10万种现货元器件，一件也发货，来唯样商城购正品~

具体而言，在 VGS = 4.5V 时，PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS（on） 分别为 50mΩ 和 55mΩ。因此，在市场上类似的 30V MOSFET 中， PMCB60XN 和 PMCB60XNE 单个芯片面积导通电阻最低。此外，PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中，还可提供额定 2kV ESD 保护（人体模型 – HBM）。这两款 MOSFET 的额定漏极电流最高均可达 4A。

除了采用 DSN1006 封装的这两款 MOSFET 外，Nexperia（安世半导体）还推出了一款采用 DSN1010 封装的 12V N 沟道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 时的最大 RDS（on）为16mΩ，在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007） 尺寸下可具备市场领先的效率。 

目前，此高效MOS管已在唯样商城开售