NOR Flash与NAND Flash技术对比：存储介质的宏观特点_存储介质3dnand和nand flash哪个好-优快云博客

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本文对比了NOR Flash和NAND Flash两种嵌入式存储介质，从内部结构、存储密度、读写速度等方面进行深入分析。NOR Flash以其字节级读写和高速读取适合随机访问，而NAND Flash凭借高存储密度适用于大容量存储。选择合适的存储介质对于提升系统性能和存储效率至关重要。

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NOR Flash和NAND Flash是两种常见的嵌入式存储介质。它们在内部结构、工作原理和应用方面存在一些重要区别。本文将详细比较这两种存储介质，并提供相应的源代码示例。

内部结构：
NOR Flash和NAND Flash的内部结构有所不同。NOR Flash以字节为单位进行读写操作，而NAND Flash以页面（Page）为单位进行读写操作。此外，NOR Flash还包含地址线和数据线，可以直接访问特定的存储单元，而NAND Flash则需要通过控制器和页面缓冲区进行数据读写。
存储密度：
NAND Flash在存储密度方面具有优势。由于其存储单元的结构更为紧凑，NAND Flash可以实现更高的存储密度。因此，NAND Flash在大容量存储场景下更为常见，如固态硬盘（SSD）和闪存卡。
读写速度：
在读写速度方面，NOR Flash具有优势。由于其内部结构的特点，NOR Flash可以实现随机访问，读取数据的速度较快。而NAND Flash由于采用了页式结构，读取数据需要按页进行操作，因此相对较慢。然而，NAND Flash在连续读写操作上具有较高的性能优势。

下面是一个简单的示例，演示了如何使用NOR Flash和NAND Flash进行数据读写操作的源代码：

// 使用NOR Flash读写数据
void nor_flash_read(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t size) {
    // 读取NOR Flash中指定地址的数据到dat