电路处于Buck-Boost DCM模式,最恶劣情况为输入电压最低时。取频率为f
以下图为例:

1、MOS耐压选择:
Vmos≥Vinmax+Vout+80
2、保证磁芯不饱和且始终工作在DCM模式
由伏秒平衡(Vinmin-1)*ton=Vout*toff --------①(设MOS正向导通压降为1V)
为保证电路工作于DCM模式,应使ton+toff=0.8T ---------------②(设计20%T的死区时间)
故联立①②得tonmax=0.8Vout/(f*(Vinmin+Vout-1))
3、初级电感确定
∵Ip= P*(2√2)/(Vin*D),
又∵Ip=(Vinmin*tonmax)/Lp
∴Lp=Vinmin*tonmax/Ip
4、初/次级匝数确定
Np=(Lp*Ip)/(ΔB*Ae)
Ns= Vcc*Np/(Vinmax+Vout)
5、初/次级电流有效值确定
Irms(初级)=(Ip/√3)*(√(Ton/T))
Irms(次级)=(Ip*(Np/Ns)/√3)*√(Toff/T)
本文详细介绍了Buck-Boost电路在DCM模式下的设计过程,包括MOS管耐压选择、磁芯饱和预防、电感值确定、初/次级匝数比及电流有效值计算等内容。
2万+

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



