gmid设计方法2

最新推荐文章于 2025-07-12 12:40:47 发布
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文章标签： 射频工程
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模拟IC设计提高系列1-gmid设计方法（文末有仿真结果快捷键）
flzmiao的博客
04-26 1171
gmg_mgm​fTgm2πCgsfT​2πCgs​gm​​IDI_DID​pID⋅VpID​⋅V，其中VVV通常为定值，V1.8VV=1.8VV1.8VgmIDg_m/I_Dgm​ID​的目的：在有限电流下实现最快速度、最低噪声。Step1：确定放大器gmg_mgm​，例如GBWgm2πCLGBWgm​2πCL​Step2：选择合适的LLL。
基于gmid的模拟IC设计方法
07-07
在这个领域，"基于gmid的模拟IC设计方法"是一种常用的技术，这里的"gmid"指的是跨导中间节点模型（Transconductance Middle Node Model）。该模型在分析和设计模拟集成电路时提供了更精确的性能预测。 1. **跨导...
gmid方法设计五管OTA二级运放
m0_50882712的博客
12-06 1万+
确定L后根据L进行W的确定，选择扫描gmid_id曲线，w设定为1u，这样方便后续对w的确定。根据电流选择w，因为id正相关与w，1u的w流过的电流为扫描图中的数据，则多少u才能流过你想要的电流进行简单计算就可以。此时根据NMOS和PMOS的gmid_selfgain曲线进行L的选择，这里给出gmid=10时的曲线。对NMOS和PMOS分别选择合适的L，使其self_gain的乘积满足上边提到的等式，比要求高一些稳妥。下面确定第一级OTA的电流源负载管的W和L，由于其与第二级CS的Vgs一致，因此。
gmid设计方法
weixin_69917401的博客
07-08 2579
我们将从模拟电路设计的一个非常广泛的概述开始，看看我们试图解决的问题是什么，以及它在过去是如何解决的。在本文的上下文中，它是一个网表。当然，在现实世界中，电路必须被制造出来，设计师必须注意仿真本身的局限性，以及它与实际测量性能的一致性如何，但这些问题超出了我们这里的范围。该文章为《A Basic Introduction to the gm/ID-Based Design Methodology》的翻译（由于本人英语不好），gpt翻译的挺好的，故记录在此，这篇文章讲的gmid方法较通俗易懂，值得一看。
gmid设计方法进行二级运放的设计与仿真
weixin_44729325的博客
11-27 1万+
cadence61利用gmid设计方法进行二级运放的设计
（十五) 基于cadence 617 gmid设计方法 设计两级放大器
qq_45121415的博客
08-07 4595
采用gmid方法，从GWB与补偿电容出发，决定输入对管的gm，选择合适的gmid值，来设计宽长比，反复查表，得出全部设计参数，进行直流仿真，交流仿真，验证压摆率，零极点仿真，达到要求
【总结】GMID设计思路
Carol0630的博客
07-17 1285
这里的W参数是我事先计算好的，大约为40um，因为不同的W，出来的id/W是稍微有些差别的。在实际设计时，我们通过计算得到W后，应该再重新仿真一次id/W曲线，用这个新得到的id/W数值再重新计算一遍，得到的结果才比较准确。
Gm/Id方法设计
qq_45984346的博客
10-04 9060
一个使用Gm/Id的基本运放设计步骤
[课设分享]gmid方法设计折叠共源共栅放大器
m0_75114321的博客
07-12 742
本文分享了一个基于SMIC018工艺的折叠共源共栅放大器设计过程。作者采用拉扎维教材理论，通过Cadence Virtuoso进行仿真设计，详细介绍了从gm/Id曲线绘制、电流分配到晶体管尺寸确定的完整流程。最终设计实现了64.57dB差模增益、220dB共模抑制比、7.36MHz带宽和76°相位裕度，功耗51.66μA，满足指标要求。文中包含偏置电路调整经验、仿真设置方法及工程文件，为模拟IC设计初学者提供了实用参考。
基于IC618平台的gmid方法设计运算放大器
06-12
3. **确定M1和M2的跨导gm1,2**：利用gmid设计方法确定M1、M2的尺寸，进而解算出整体的增益Av。假设整体增益需大于1000，则可以将第一级的增益设为100，第二级的增益设为20。考虑到本设计对速度增益要求不高（gm/id...
基于IC617的gmid仿真方法(移植Chris老师的仿真方法)
11-25
- **基于IC617的gmid仿真方法.docx**：这份文档详细介绍了上述仿真步骤，可能包括操作指南、注意事项和常见问题解答。 - **gmid.ocn**：这可能是仿真中的一个中间文件，保存了仿真过程中的数据或设置，通常不直接...
基于gm/id设计的基本介绍
01-24
CMOS模拟电路设计是现代电子工程中的一个重要领域，其中gm/ID设计方法为CMOS模拟电路设计师提供了一种将物理晶体管参数与小信号模型链接起来的技术。这种方法在CMOS技术细节早期集成到设计流程中，有助于提高CMOS小...
硬件工程师必须掌握的MOS管详细知识
热门推荐
2401_86482345的博客
08-11 1万+
MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子工业中各种电路的开关、放大、调制、数字电路和模拟电路等领域。电压控制：MOS管是一种电压控制型器件，通过改变栅极与源极之间的电压（VGS）来控制漏极与源极之间的电流（ID）。主要参数：包括栅源极最大驱动电压（VGS）、漏源电压（VDS）、漏源导通电阻（RDS(on)）、栅极电荷（Qg）、漏极电流（Id）等。
动态爱心代码html~附源码
07-30
动态爱心代码html~附源码
langchain4j-weaviate-1.1.0-beta7.jar中文文档.zip
07-30
1、压缩文件中包含： 中文文档、jar包下载地址、Maven依赖、Gradle依赖、源代码下载地址。 2、使用方法： 解压最外层zip，再解压其中的zip包，双击 【index.html】 文件，即可用浏览器打开、进行查看。 3、特殊说明： （1）本文档为人性化翻译，精心制作，请放心使用； （2）只翻译了该翻译的内容，如：注释、说明、描述、用法讲解 等； （3）不该翻译的内容保持原样，如：类名、方法名、包名、类型、关键字、代码 等。 4、温馨提示： （1）为了防止解压后路径太长导致浏览器无法打开，推荐在解压时选择“解压到当前文件夹”（放心，自带文件夹，文件不会散落一地）； （2）有时，一套Java组件会有多个jar，所以在下载前，请仔细阅读本篇描述，以确保这就是你需要的文件。 5、本文件关键字： jar中文文档.zip,java,jar包,Maven,第三方jar包,组件,开源组件,第三方组件,Gradle,中文API文档,手册,开发手册,使用手册,参考手册。
网络配送合作协议标准版.doc
最新发布
07-31
网络配送合作协议标准版.doc
基于Matlab 2023a的克里金插值GUI程序：高效空间数据分析与处理工具 · 3D可视化
07-30
内容概要：本文介绍了基于Matlab 2023a开发的克里金插值GUI程序，这是一个用于空间数据分析和处理的强大工具。该程序分为四个主要模块：数据浏览、数据预处理、经验半方差函数拟合和克里金插值。它提供了多种数据变换方式（如对数、开方、Box-Cox变换），并利用遗传算法进行高效的半方差函数拟合。此外，插值结果可以通过3D视角查看，并支持数据导出和切割。程序适用于环境科学、地质勘探等领域，能够显著提高工作效率。 适合人群：从事环境科学、地质勘探等相关领域的研究人员和技术人员，尤其是那些需要进行空间数据分析和处理的人士。 使用场景及目标：① 需要快速、高效地进行空间数据插值和分析；② 希望通过可视化界面简化复杂的数据处理流程；③ 对数据质量有较高要求，需要自动化的数据预处理和变换功能。 其他说明：该程序最低支持Matlab 2022b版本，建议使用最新版本以获得最佳性能。程序内置了一些高级功能，如遗传算法拟合和3D视图，使得用户体验更加友好和直观。
无刷直流电机调速的Simulink仿真模型：动态控制、无传感器控制与仿真原理介绍
07-30
利用Matlab/Simulink平台搭建无刷直流电机（BLDC）调速系统的仿真模型的方法和技术要点。首先，文章讲解了BLDC的基本参数设置方法，如定子电阻、电感以及反电动势系数等关键参数的选择。接着，深入探讨了速度环的设计，特别是PID控制器的参数调整技巧，推荐使用Ziegler-Nichols法则进行初步设定。对于逆变器部分，则着重于PWM生成逻辑的实现方式，提供了具体的S函数代码示例来完成换相操作。此外，还特别提到了无传感器控制模式下的反电动势过零检测机制，并对可能出现的问题进行了预警。最后，给出了完整的系统架构图，涵盖从速度给定到最终驱动的全过程。 适用人群：电气工程专业学生、自动化控制领域的研究人员及工程师。 使用场景及目标：适用于希望深入了解BLDC电机调速原理并掌握具体建模技能的人群。通过学习本文提供的实例，能够快速建立起自己的仿真环境，为后续的研究或产品开发打下坚实的基础。 其他说明：文中不仅提供了详细的理论解释，还有丰富的实战经验分享，如波形记录技巧、常见错误规避等，有助于提高用户的实操能力。
数据仓库和数据挖掘的OLAP技术.pptx
07-31
数据仓库和数据挖掘的OLAP技术.pptx
带隙基准及GMID设计
07-14
<think>嗯，用户这次的问题聚焦在带隙基准电压源和GMID设计方法上，看来是模拟集成电路设计的学习者或从业者。用户引用的资料提到了工艺迭代对模拟电路的挑战，这正好是带隙基准设计的关键难点之一——工艺变化会影响基准电压的稳定性。 用户可能正在学习模拟IC设计课程，或者实际参与项目需要设计基准源。考虑到带隙基准是模拟电路的基石，用户应该需要从基本原理到设计细节的系统性解释。特别值得注意的是用户提到了GMID方法，这种方法近年来越来越流行，因为它能简化设计流程并优化性能，值得重点展开。 关于带隙基准部分，需要强调三个核心点：温度补偿原理（负温度系数的PN结与正温度系数的热电压互补）、曲率补偿技术（解决高阶非线性误差）、以及电源抑制比（PSRR）的优化。用户引用的工艺挑战问题，可以结合亚微米工艺中漏电流增大、增益下降的现象，说明为何需要采用自偏置运放结构。 对于GMID方法，用户可能更关心实际设计流程。需要突出它如何将复杂的器件特性转化为查表设计：通过归一化漏电流（gm/ID）这个品质因数，将跨导效率、本征增益、带宽等参数关联起来。在65nm以下工艺中，这种方法比传统平方律模型更准确，特别是当器件进入中等反型区时。 用户没有明确提问但可能隐含的需求是：如何将这两种技术结合应用？比如在带隙基准的运放设计中使用GMID方法优化器件尺寸。这在实际设计中很常见，可以补充说明。另外，基准源的启动电路等非理想效应也值得提及，但避免过度展开。 最后生成的问题要覆盖理论（温度补偿原理）、设计细节（曲率补偿）、工具应用（GMID参数提取）和前沿挑战（纳米工艺影响），形成从基础到进阶的知识链条。特别加入“纳米级工艺”相关的问题，回应用户引用的工艺迭代观点。</think>以下是对带隙基准电压源及GMID设计方法的详细说明，涵盖核心原理和应用场景： --- ### **一、带隙基准电压源设计** #### **1. 基本原理** 带隙基准（Bandgap Reference, BGR）利用半导体材料的禁带宽度特性，通过**组合正/负温度系数的电压**实现近似零温漂的输出电压： - **正温度系数**：热电压 $V_T = \frac{kT}{q}$（与绝对温度成正比） - **负温度系数**：双极性晶体管基极-发射极电压 $V_{BE}$（约 -2mV/℃） - **输出电压**：$$V_{REF} = V_{BE} + K \cdot V_T$$ 其中 $K$ 为比例系数，使两项温度系数相互抵消。典型输出为 $1.2V$（硅的禁带宽度电压）。 #### **2. 关键电路结构** ```plaintext VDD │ ┌───┴───┐ │ 运放 │ └───┬───┘ │ ┌─────┴─────┐ │ Q1 R2 Q2 (N倍面积) └─────┬─────┘ ├───R1───┐ │ │ VBE1 VBE2 ``` - **温度补偿机制**： 运放强制 $V_X = V_Y$ → $\Delta V_{BE} = V_T \ln(N)$ 通过 $R_1$ 和 $R_2$ 将 $\Delta V_{BE}$ 放大，叠加到 $V_{BE}$ 上实现补偿。 #### **3. 设计挑战与优化** - **曲率补偿**：解决 $V_{BE}$ 非线性温度特性（高阶项影响） - **电源抑制比（PSRR）**：采用共源共栅结构或预稳压提升抗电源干扰能力 - **工艺变化**：亚微米工艺下 $V_{BE}$ 偏差增大，需引入修调电路[^1] --- ### **二、GMID设计方法** #### **1. 核心思想** GMID方法以**跨导效率**（$g_m/I_D$）为核心设计参数，建立器件性能的统一优化框架： - **归一化指标**：$g_m/I_D$ 表征晶体管的**能效比**（单位电流获得的跨导） - **设计流程**： 1. 根据电路需求（增益/带宽/噪声）确定目标 $g_m/I_D$ 2. 查询 $g_m/I_D$ 与器件参数（$g_m, I_D, V_{ov}, f_T$）的关联曲线 3. 直接计算器件尺寸 $W/L$ #### **2. 与传统方法的对比** | **方法** | **设计变量** | **优势** | **局限** | |----------------|----------------|-----------------------------|-----------------------| | 传统平方律 | $V_{ov}$ | 简单直观 | 深亚微米工艺误差大 | | **GMID** | $g_m/I_D$ | 工艺鲁棒性强，覆盖所有工作区 | 需预先建立模型库 | #### **3. 在带隙基准中的应用** - **运放设计优化**： 通过 $g_m/I_D$ 确定输入对管工作点，平衡噪声、功耗和增益。 - **电流镜匹配**： 选择高 $g_m/I_D$ 工作区（弱反型）提升匹配精度，降低版图面积。 --- ### **三、应用场景** 1. **高精度ADC/DAC**：依赖带隙基准提供稳定的参考电压 2. **电源管理芯片**：LDO的电压基准源，要求低温度漂移（<20ppm/℃） 3. **传感器接口电路**：GMID优化前置放大器噪声性能 4. **纳米级工艺设计**：GMID方法有效解决短沟道效应下的模型失真问题[^1] ---
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