【从0到1进阶Redis】String 字符串

原创 已于 2024-05-27 10:33:24 修改 · 389 阅读 · 5 ·
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#学习 #redis #数据库

于 2024-05-26 10:54:27 首次发布

首先要先启动好服务，使用redis-cli进入到客户端。
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自增、自减和相加减操作

自增1 INCR
自减1 DECR
步长 i += INCRBY
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字符串范围 range

截取 GETRANGE
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替换 SETRANGE
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是否存在

设置过期时间 setex （set with expire）
不存在时再设置（在分布式锁中常常会使用！）setnx （set if not exist）
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批量操作

同时设置多个值mset （mset k1 v1 k2 v2 k3 v3 …）
同时获取多个值mget （mget k1 k2 k3 …)
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对象

设置一个user:1 的对象 值为json字符串来保存一个对象
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高阶玩法！ user:{id}:{filed}

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getset

先get再set

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总结！！！

String类似的使用场景：value除了是我们的字符串还可以是我们的数字！
● 计数器
● 统计多单位的数量
● 粉丝数
● 对象缓存存储

DDR5 自刷新机制详解（Self Refresh Operation）
weixin_43199439的博客
06-28 496
项目关键点省电核心停用 DLL、关闭 ODT、停时钟、CMOS I/O时序重点CS_n 上升沿 + tCSH_SRexit + 3x NOP + tXS常见错误忘记发3个NOP、未等tXS、CK不稳定建议自刷新退出后建议马上执行一次 ZQ 校准。
DDR3协议（四）Self-Refresh&Power-Down
qq_37573794的博客
10-23 4782
在DDR3中几乎所有的状态都要求时钟必须处于稳定状态，只有在两个条件下，输入时钟可以进行切换
硬件-内存学习DAY08——揭秘DRAM刷新机制：性能与功耗的平衡艺术
最新发布
人生真正的货币不是金钱，不是时间，而是你的注意力！”​​ ——纳瓦尔（《纳瓦尔宝典》）
10-26 1023
摘要：DRAM存储依赖电容充放电，需定期刷新（64ms/次）防止数据丢失。两种刷新模式：自动刷新（运行时，7.8μs/次）会占用6%带宽；自刷新（休眠时）功耗降至1-10mW。刷新会带来性能损失（延迟增加10-20ns），可通过Bank交错、智能调度等优化。关键参数如tREFI（7.8μs）、tRFC（DDR4 350ns）体现性能与可靠性平衡。未来趋势包括3D堆叠DRAM、NVDIMM和智能预测管理，以突破刷新瓶颈。DDR5已使刷新时间缩短40%，刷新机制正从负担转向可优化子系统。（148字）
xilinx的DDR IP中的自刷新功能
weixin_44681954的博客
12-08 3405
前言 SDRAM不刷新数据会丢失，所以看到DDR IP里面的自刷新设置默认没有打开，我很疑惑。 结论：例化后的默认配置即可，不用担心刷新问题。 解释 图中的自刷新功能指的是打开DDR芯片的自刷新功能。而不是DDR controler的刷新功能。 DDR CONTROLER的自刷新功能是默认打开的。即不需要外界的刷新命令。即可使用。 如果想要手动控制DDR的刷新需要打开下图中的选项。 xilinx的建议 大概意思是说，让DDR控制器自己控制刷新可能会造成4%的性能损失。但是除非你真的非常有把握否则不建议打
DRA642的DDR自刷新功能
waterhawk的专栏
03-03 3999
DDR自刷新是一个在移动设备领域非常常用的特性。 网上很难找到TI DM814X系列CPU的DDR自刷新说明，甚至FAE都没有触及过这个特性。 因为这个系列的CPU本身不是为移动设备设计的，所以多数使用者不会涉及这个部分。 这也是我写这篇文档的原因，如果确实需要用到这个特性，可以参考一下。 另外，没有用过这个特性的人，也可以了解一下。 DDR处于自刷新状态时，CPU无法访问DDR数据，D
内存自刷新
shipinsky的博客
03-14 3217
内存刷新保证设备运行的时候内存颗粒电容不丢失。自刷新配置是在bootloader阶段内存控制器初始化配置。设备复位部分内存的内容如果想要保留，也就是说复位后仍然需要保留，可以通过临终遗言中断+内存自刷新实现。CPU到内存颗粒A10管脚是内存刷新管脚...
精选资源
DDR3协议解读，基于JESD79-3F规范
05-29
DDR3内存需要定期刷新以保持数据完整性，刷新包括两种类型： - **自刷新**：由内存芯片自动执行。 - **控制器发送刷新命令**：通过外部控制器发送命令执行刷新。 刷新计数器用于记录刷新次数，确保所有行在指定时间...
精选资源
ddr3.zip_DDR3控制器_ddr3_ddr3 fpga_zip
07-15
6. **电源管理**：DDR3内存支持多种低功耗模式，如自刷新、深度休眠等。控制器需要识别并触发这些模式，以降低系统功耗。 7. **时钟管理**：DDR3内存使用差分时钟信号，控制器需要产生和管理这些时钟，同时考虑到...
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DDR3.rar_DDR3 vhdl_DDR3控制器_ddr3_ddr3 verilog_ddr3*verilog
07-15
DDR3是一种广泛应用于现代计算机和嵌入式系统的双倍数据速率同步动态随机存取内存（SDRAM）。在本文中，我们将深入探讨DDR3技术、VHDL和Verilog设计方法，以及如何在Altera平台上实现DDR3控制器。 DDR3 SDRAM是DDR2...
【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-9(self refresh operation)
m0_61126667的博客
08-03 1532
【代码】【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-9。
DDR4的刷新
花信风的博客
12-03 1万+
Refresh，刷新是 DRAM 的一项重要特性，又被称为动态刷新（Dynamic refresh），而 Dynamic 就是 DRAM 中的 'D' 所代表的意思。DRAM 刷新与其结构息息相关。 本系列连载于 OpenIC SIG，除了 DDR 学习时间专栏外，OICSIG 目前正在陆续上线 HDLBits 中文导学的优化版本，欢迎关注/支持/加入我们 DDR 学习时间 - OpenIC SIG 开源数字IC技术分享 在 DDR 学习时间专栏中，目前有两个 Part： Part-A DRAM 课
DRAM的自刷新
11-14
这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于DRAM的刷新电路一般都设计在外部，因而即使在待机状态下，为了进行刷新操作也需要运行DRAM控制器电路。 　　对此，在DRAM内部嵌人刷新计时器以及刷新地址生成电路，使DRAM自身可以自动地进行刷新操作，这就是自刷新操作。  　　自刷新的操作如图所示。最初与CAS先于RAS有效刷新操作相同，但如果将RAS及CAS保持有效状态持续100μs后，DRAM内部的自刷新电路开始运行，然后自动进行刷新操作。如果RAS及OAS无效而开始存取操作，则自刷新操作停止，恢复为－般的操作模式。 　　图 自刷新操作 　　由于在普通的操作中，一般没有停止超过100μs的
内存的自动刷新与自刷新
云行雨施 品物流形
09-11 9298
内存持续工作，它就得不断刷新数据，这也是内存最重要的操作。刷新分为两种，一种是自动刷新（Auto Refresh，简称AR），一种则是自刷新（Self Refresh，简称SR）。 Auto refresh 自动刷新 通常指的是RAS（行地址选择）刷新前的CAS（列地址选择），或者是RE刷新前的CE。每次内存控制器在RAS刷新周期前对CAS初始化时，一个内部地址计数器对 Self-Refr
DDR3的precharge、auto precharge、refresh、Self Refresh、Auto Self Refresh、Self Refresh Temperature的对比
1615549892
04-29 3028
ddr 的ASR
DRAM auto-refresh和self-refresh区别
热门推荐
weixin_41888877的博客
09-30 1万+
DRAM auto-refresh和self-refresh区别 刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉
DDR3刷新时间TRET TREFI
qq_30833335的博客
12-29 1189
1.关于DDR3刷新率，过快过慢都会导致数据丢失，一般使用ASR自刷新，但是当温度超过105度，DDR3没有办法自刷新，如果沿用ASR功能，则没有办法按照DDR的要求在105-125之间提高刷新率，有丢失数据的风险。5.SRT工作时，需要关闭ASR，开启SRT可以翻倍刷新率，同样不可外部控制刷新时间。2.DDR3刷新率涉及到DMC，TRET和TREFI，MR2这几点。4.DSP共有三种配置模式，ASR,SRT,或全禁用。4.ASR工作范围小于105度，刷新时间不可调。
内存刷新
weixin_30508241的博客
02-26 510
内存的两种刷新方式： 1、自动刷新（Auto Refresh，简称AR） 2、自刷新（Self Refresh，简称SR） 转载于:https://www.cnblogs.com/tonglingliangyong/p/4301435.html
（五）DDR协议命令波形时序二——（Precharge、Refresh、Self Refresh、Power Down）
Mr.翟的博客
04-09 7095
文章目录一、Precharge命令时序要求二、Refresh命令时序要求2.1、Refresh波形2.2、Postponing Refresh三、Self Refresh命令时序要求 一、Precharge命令时序要求   Precharge命令的执行依靠地址A10来控制，分为两类普通命令型Precharge和Auto Precharge。当A10为低时，需要通过Command真值表配置相应信号发出Precharge操作；当A10为高时，Auto precharge命令会由内部颗粒自动发出，不需要进行Com
springCloud学习06之config配置文件管理及项目内存自动刷新
夢の殇
08-16 2122
git/svn、config-server、config-client之间的数据流向说明：http://blog.youkuaiyun.com/catoop/article/details/50955949       代码例子1文件变化不会自动刷新项目：http://www.cnblogs.com/andyfengzp/p/6834757.html        代码例子2文件变化，会自动刷新项目：ht
DDR自刷新与自动刷新
04-11
<think>好的，我现在需要回答用户关于DDR内存中自刷新（Self-Refresh）与自动刷新（Auto-Refresh）的区别和工作原理的问题。首先，我需要回顾一下用户提供的参考资料，确保准确理解相关概念。 根据引用[1]，precharge和refresh都是对存储单元的电容进行充电，以保持数据。自动刷新（Auto-Refresh）可能指的是用户需要定期发送刷新命令，而自刷新（Self-Refresh）则是芯片内部自动处理，甚至在系统部分断电时也能工作。引用[2]提到在DDR3中，Self-Refresh模式允许时钟停止，而其他模式需要稳定时钟。引用[3]虽然主要讲前端组件的刷新，但可能对理解刷新机制有帮助。 接下来，我需要区分这两个术语。根据引用[1]，Auto Self Refresh和Self Refresh Temperature是MR2的配置位，可能属于自刷新的一部分。自动刷新可能是指用户发送的常规刷新命令，而自刷新是芯片自主进行的。需要确认两者的触发方式、时钟需求和电源状态下的不同。 另外，要注意到自刷新在系统低功耗状态下的应用，比如当系统进入休眠时，DRAM进入自刷新模式，无需外部时钟，减少能耗。而自动刷新可能需要控制器持续发送命令，依赖外部时钟。 需要整理出两者的定义、工作原理、触发方式、时钟需求、电源管理和应用场景的区别。同时，确保使用正确的LaTeX格式，如独立公式用$$...$$，行内用$...$，并生成相关问题。 最后，检查引用是否正确，例如引用[1]和[2]的相关部分，确保回答结构清晰，符合用户的要求。</think>### DDR内存自刷新与自动刷新的区别及工作原理 #### 一、核心概念定义 1. **自动刷新（Auto-Refresh）** 由内存控制器按固定周期向所有存储单元发送刷新指令，保证电容电荷维持数据完整性。刷新操作需提供稳定的外部时钟信号[^1][^2]。 数学表达式： $$ T_{refresh} = \frac{\text{存储单元总数}}{刷新速率} $$ 2. **自刷新（Self-Refresh）** 在低功耗模式下由DRAM芯片内部逻辑自主完成刷新，无需外部时钟信号，适用于系统休眠状态[^1][^2]。 #### 二、工作原理对比 | 特性 | 自动刷新 | 自刷新 | |---------------------|----------------------------------|---------------------------------| | **触发方式** | 控制器发送`REFRESH`命令[^1] | 芯片内部自动触发[^1] | | **时钟需求** | 必须保持稳定的时钟信号[^2] | 可关闭外部时钟[^2] | | **功耗状态** | 正常供电模式 | 低功耗模式 | | **地址控制** | 无需外部地址（芯片内部轮询）[^1] | 完全由内部逻辑管理[^1] | | **应用场景** | 系统活跃时的常规数据保持 | 休眠/待机状态的数据保持[^2] | #### 三、技术细节差异 1. **时序控制** - 自动刷新需满足时序约束$tRFC$（刷新周期时间）[^1] - 自刷新通过配置`MR2`寄存器实现温度补偿（SRT）和自动频率调整（ASR）[^1] 2. **电源管理** 自刷新模式下，DRAM可关闭除存储单元外的其他电路，功耗降低至$<10\%$常规值。 3. **唤醒延迟** 退出自刷新需重新初始化时钟并等待$tXS$时间（典型值约$10\mu s$），而自动刷新无此延迟[^2]。 #### 四、典型工作流程 1. **自动刷新流程** ```text 控制器发送REF命令 → 所有Bank同时刷新 → 等待tRFC → 恢复读写操作 ``` 2. **自刷新流程** ```text 进入Self-Refresh模式 → 关闭外部时钟 → 内部定时刷新 → 唤醒时重新激活时钟 ``` #### 五、进阶配置 通过`MR2[6:7]`寄存器可启用： - **ASR（Auto Self Refresh）**：根据温度动态调整刷新率 - **SRT（Self Refresh Temperature）**：高温时强制加倍刷新频率[^1]
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