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RSS订阅原创 EG2185 600V 大电流半桥栅极驱动芯片｜EGmicro 屹晶微电子
EG2185 为双输入半桥 N‑MOS/IGBT 栅极驱动器，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT 搭建半桥电路；高端 VB 悬浮耐压 600V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；输出拉 / 灌电流均 4A；HIN 高电平有效（控制上管 HO），\(\boldsymbol{\overline{LIN}}\)低电平有效（控制下管 LO）；内置闭锁互锁 + 硬件死区（典型 520ns），杜绝上下管直通；具备VCC+VB 双路欠压锁存；
2026-10-26 19:30:53
132
原创 EG2104D 600V 带 SD 全局关断半桥栅极驱动芯片｜EGmicro 屹晶微电子
EG2104D 为单 PWM 输入半桥 N‑MOS/IGBT 栅极驱动，SOP‑8 封装，需要外接高低侧 N 沟 MOS/IGBT 组成半桥拓扑；高端 VB 悬浮耐压 600V；VCC 供电9‑25V；输出拉电流 0.3A，灌电流 0.6A；单路 IN PWM 输入，芯片内部生成 HO/LO 互补驱动，内置硬件死区；\(\boldsymbol{\overline{SD}}\)低电平全局关断引脚；IN、\(\overline{SD}\)引脚各自内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；
2026-10-26 19:30:17
63
原创 SS6218 15V 单通道集成 H‑桥有刷直流电机驱动芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6218 为单通道全集成 H 桥电机驱动，提供 SOP‑8、SOT23‑6L 两种封装；SOP‑8 卷盘 4000pcs，SOT23‑6L 卷盘 3000pcs；电源 VDD2.7‑15V；高低侧合计导通电阻典型 0.33Ω；9V 下连续输出 1.7A，峰值电流 3.5A；INA、INB 双逻辑输入，支持 PWM 调速；具备正转、反转、短路刹车、高阻休眠；INA、INB 同时拉低并维持≥1.5ms 进入休眠，休眠典型 0.1μA；输入任意引脚高电平持续≥60μs 唤醒；
2026-10-21 22:26:59
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原创 SS6216 7.2V 单通道集成 H‑桥有刷直流电机驱动芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6216 为单通道全集成 H 桥电机驱动，提供 SOP‑8、SOT23‑6L 两种封装；供电 VDD2.0‑7.2V；高低侧合计导通电阻典型 0.67Ω；5V 条件下连续输出 1.2A，峰值电流 2A；INA、INB 双逻辑输入，支持 PWM 调速，具备正转、反转、短路刹车、高阻待机休眠；INA、INB 同时拉低进入休眠，休眠典型 0.1μA；内置过温 TSD 保护；无硬件过流 OCP、无欠压 UVLO；适合 3‑7V 低压电池设备，玩具、智能锁、车载小夹具、低压有刷电机。
2026-10-21 22:26:17
224
原创 SS6210 15V 单通道集成 H‑桥有刷直流电机驱动芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6210 为单通道全集成 H 桥电机驱动，ESOP‑8 带散热焊盘封装，卷带 4000pcs / 盘；电机电源 VM2.5‑15V；总导通电阻典型 0.35Ω；9V 条件持续输出 2.2A，峰值电流 3.5A；IN1、IN2 双逻辑输入，支持 PWM 调速，具备正转、反转、短路刹车、休眠待机；IN1 与 IN2 同时拉低并维持≥1.5ms 进入休眠，休眠典型 0.1μA；内置 VM 欠压 UVLO、OCP 硬件过流、TSD 过温三重保护，故障后自动重试恢复；针对单节锂电池系统优化；
2026-10-20 22:04:32
200
原创 SS6209L 30V 集成 MOS 半桥功率芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6209L 是片内集成高低侧 N‑MOS 的半桥功率芯片，SOP‑8 封装，卷带 4000pcs / 盘。VB 功率电源 3.3‑28V（最大额定 30V）；VDD 逻辑 / 驱动供电 3.3‑5.5V；内置 MOS 持续电流 4A，峰值 8A，MOS 导通电阻典型 15mΩ；单路 PWM 输入，芯片内部自动生成上下管互补驱动；内置自举二极管；自适应防直通（自适应非交叠死区）；EN 硬件使能引脚；内置 VDD‑UVLO 欠压、OTP 热关断保护；最高工作频率 1MHz；
2026-10-20 22:01:34
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原创 SS6208L 12V 集成 MOS 半桥功率芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6208L 是内置高低侧 N‑MOS 的集成半桥功率芯片，DFN3×3‑8L 微型封装，卷带 3000pcs / 盘。VB 功率电源 3.3‑12V；VCC 逻辑 / 驱动供电 3.3‑5.5V；内置 MOS 持续电流 4A，峰值 8A；单路 PWM 输入，芯片内部生成互补驱动信号；内置 MOS 管、内置自举二极管；自适应防直通（自适应非交叠死区）；EN 硬件使能引脚；内置 UVLO 欠压、OTP 热关断保护；最高工作频率 1MHz；适配 3.3V/5V MCU；
2026-10-19 22:17:30
198
原创 SS6203F 150V 单路半桥栅极驱动芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6203F 为双输入半桥 N‑MOS/IGBT 栅极驱动器，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT 搭建半桥电路；高端 VB 悬浮耐压 150V；VCC 供电 10‑17V，典型 12V；输出拉电流 + 0.8A、灌电流‑1.2A；HIN 高电平有效，\(\overline{LIN}\)低电平有效；芯片内置自举充电二极管，省去外部自举二极管；内置典型 100ns 硬件死区；具备VCC+VB 双路欠压锁存保护；兼容 3.3V/5V MCU 逻辑电平；最高工作频率 500kHz；
2026-10-19 22:16:52
86
原创 SS6203D 200V 单路半桥栅极驱动芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6203D 为双输入半桥 N‑MOS/IGBT 栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT 组成半桥；高端 VB 悬浮耐压 200V；VCC 供电 10‑18V，典型 15V；输出拉电流 + 1.0A、灌电流‑1.5A；HIN 高电平有效，\(\overline{LIN}\)低电平有效；芯片内置固定硬件死区典型 100ns；具备 VCC 欠压 UVLO 保护；兼容 3.3V/5V MCU 逻辑；最高工作频率 500kHz；卷带包装 4000pcs / 盘；
2026-10-17 23:22:00
112
原创 SS6200 半桥栅极驱动芯片｜LeadPower 率能半导体
SS6200 为单 PWM 输入半桥 N‑MOS 栅极驱动器，DFN2×2‑8L 超小封装，卷带 3000pcs / 盘；无内置功率 MOS，外接高低侧两颗 N‑MOS 组成半桥 / 同步 Buck。VCC 供电 3.3‑5.5V；单路 PWM 输入，芯片内部自动生成互补驱动；内置自举二极管，省去外部自举二极管；自适应防直通（自适应非交叠死区）；支持最高 1MHz 高频；内置 VCC‑UVLO 欠压锁存、OTP 热关断；带 EN 使能引脚；适配 3.3V/5V MCU；
2026-10-17 23:21:22
204
原创 LR028N10SM10 N 沟道 SGT‑MOSFET｜Long‑Tek 龙夏电子
LR028N10SM10 采用SGT 屏蔽栅工艺，TOLL 大电流无引脚贴片封装，卷带编带出货，单盘 2000pcs。Vds 耐压 100V；Tc=25℃硅极限连续电流 220A；Tc=100℃降额至 140A；脉冲峰值 IDM=808A；Rds (on) 典型 2.4mΩ，最大 2.8mΩ；最大耗散功率 Pd=179W；单脉冲雪崩能量 EAS=2025mJ；栅电荷 × 导通电阻 FOM 品质因数表现优秀；适用于电机驱动、BMS 电池管理、大功率 DC‑DC 变换器、通用大功率开关。表格引脚名称功能。
2026-10-16 23:40:35
104
原创 LR018N10SM10 N 沟道 SGT‑MOSFET｜Long‑Tek 龙夏电子
LR018N10SM10 采用SGT 屏蔽栅工艺，TOLL 大电流无引脚贴片封装，卷带包装，单盘 2000pcs。Vds 耐压 100V；Tc=25℃硅极限连续电流 320A，封装极限 260A；Tc=100℃降额至 208A；脉冲峰值 IDM=1200A；Rds (on) 典型 1.5mΩ，最大 1.8mΩ；最大耗散功率 Pd=250W；单脉冲雪崩能量 EAS=1936mJ；栅电荷 × 导通电阻 FOM 综合性能优异；适用于电机驱动、BMS 电池管理、大功率 DC‑DC 变换器、通用大功率开关。表格引脚。
2026-10-16 23:40:01
83
原创 LR010N04SD10 N 沟道 SGT‑MOSFET｜Long‑Tek 龙夏电子
LR010N04SD10 采用SGT 屏蔽栅工艺，TOLL 无引脚大电流贴片封装，卷带出货，每盘 2000pcs。Vds 耐压 40V；Tc=25℃连续漏极电流 395A；Tc=100℃降额至 250A；脉冲峰值 IDM=1580A；Rds (on) 典型 0.85mΩ，最大 1.0mΩ；最大耗散功率 Pd=272W；单脉冲雪崩能量 EAS=1369mJ；FOM 品质因数优异，适合大电流电池管理、电机驱动、大功率 DC‑DC 变换器。表格引脚名称功能Pin1G栅极，驱动信号输入2‑8S。
2026-10-15 22:11:46
220
原创 LR040N10S3 / LR038N10S2 N 沟道 SGT‑MOSFET｜Long‑Tek 龙夏电子
二者为SGT 分裂栅工艺同源 N 沟道功率 MOS，电气参数一致，仅封装不同LR040N10S3：TO‑220 直插封装，Rds (on) 典型 3.0mΩ，管装 50pcsLR038N10S2：TO‑263 (D²PAK) 贴片封装，Rds (on) 典型 2.9mΩ，卷带 800pcsVds 耐压 100V；Tc=25℃连续电流 Id=160A；Tc=100℃降额至 125A；脉冲峰值电流 IDM=640A；最大耗散功率 Pd=220W；单脉冲雪崩能量 EAS=1190mJ；
2026-10-15 22:11:12
157
原创 LR048N10SM3 / LR046N10SM2 N 沟道 SGT‑MOSFET｜Long‑Tek 龙夏电子
两款为同源 SGT 分裂栅工艺 N 沟道功率 MOS 管，电气参数一致，仅封装不同。LR048N10SM3：TO‑220 直插封装，Rds (on) 典型 4.2mΩ，管装 50pcsLR046N10SM2：TO‑263 (D²PAK) 贴片封装，Rds (on) 典型 4.0mΩ，卷带 800pcs额定耐压 Vds=100V；Tc=25℃连续电流 Id=130A；Tc=100℃降额至 85A；脉冲 IDM=480A；最大耗散功率 Pd=178W；具备优异 FOM（栅电荷 × 导通电阻）优值；
2026-10-14 22:14:46
125
原创 LR050N03TL4 N 沟道 MOSFET｜龙夏电子 Long‑Tek
LR050N03TL4 是沟槽工艺 N‑MOS 功率管，TO‑252 封装；Vds 耐压 30V；Tc=25℃连续漏极电流 Id=77A；Vgs=10V 时典型导通电阻 Rds (on)=4.4mΩ；脉冲峰值电流 IDM=308A；最大耗散功率 Pd=54W；具备低 FOM 优值，适合高频硬开关电源；应用于 UPS 不间断电源、各类功率开关电路。封装说明：TO‑252 贴片，引脚定义：G 栅极、S 源极、D 漏极，漏极和散热焊盘连通。表格引脚名称功能1G栅极，MOS 驱动输入2S源极3。
2026-10-14 22:13:51
194
原创 LTK8315 单通道集成 H‑桥有刷直流电机驱动芯片｜LTKCHIP 联辉科
LTK8315 是单通道全集成 H 桥电机驱动，SOP‑8 封装，内置四颗 N‑MOS 与电荷泵；电机电源 VM2.5‑12V；高低侧合计导通电阻典型 320mΩ；平均输出电流 2.1A，峰值 3.5A；INA、INB 两路逻辑输入，支持 PWM 调速，具备前进、后退、短路刹车、高阻待命休眠；INA/INB 同时拉低并持续≥1ms 进入休眠，休眠典型电流 1μA；集成 VM 欠压 UVLO、芯片过温 TSD，故障自动恢复；可驱动有刷直流电机，也可驱动一路步进电机绕组；面向小家电、玩具、电子锁、小型机器人。
2026-10-13 22:10:32
217
原创 LTK52201 立体声 D 类音频功率放大器｜LTKCHIP 联辉科
LTK52201 是集成 H 桥 D 类音频功放，ESOP‑16 带散热焊盘 EP 封装，供电 PVCC6‑18V；固定电压增益 26dB；支持BTL 立体声双声道输出、PBTL 单声道并联大功率输出。BTL 立体声：15V/4Ω，1% THD+N 输出 2×23W；10% THD+N 输出 2×28WPBTL 单声道：18V/4Ω，10% THD+N 输出 45W；具备扩频 SSF 降 EMI 技术，超低底噪 60μV，效率最高 90%，可无散热器工作；内置完整保护，抑制开关机爆破音；
2026-10-13 22:09:49
80
原创 # CSM9118｜芯晞微电 7.5V/1.5A 单通道 H 桥电机 / 线圈驱动
通过 INA、INB 两个逻辑输入，实现电机正转、反转、短路刹车、高阻待机，支持 PWM 调速。内置专利型短路保护 SCP，可应对 OUTA‑OUTB 互短，也支持输出端对电源、对地单端短路保护；工作静态电流典型 10μA，待机电流低至 0.1μA；提供**SOT‑23‑6、SOP‑8**两种绿色无铅封装，适合玩具、小型机器人、低压直流电机驱动场景。3. 完善短路保护，不仅支持输出互短，还支持输出单端对电源 / 对地短路防护，可靠性高；2. 低功耗：工作静态 10μA，待机 0.1μA，适合电池供电产品。
2026-10-12 23:24:46
241
原创 # HT3310｜集成锂电池充电 + 三档电机驱动控制芯片 SOT23‑6
HT3310 是**高度集成锂电充电管理 + 电机驱动控制芯片**，内置充电模块、电机功率管、马达续流二极管、按键档位逻辑与全套保护电路，待机电流仅 5μA。USB 5V 输入充电，恒流充电电流 0.5A，浮充 4.2V，支持涓流‑恒流‑恒压完整充电流程、0V 电池充电以及智能再充电。1. **充电功能**：电池低于 2.8V 涓流充电；1. **单颗 SOT23‑6 同时集成 5V 锂电充电、三档 PWM 电机调速、按键控制、指示灯、续流二极管，外围极简，大幅减少 BOM 器件数量。浮充电压 4.2V；
2026-10-12 23:24:12
173
原创 EG2184S 650V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG2184S 是单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压650V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉 / 灌均 2.5A；单 PWM 输入 IN，自带硬件死区；\(\overline{SD}\)低电平有效全局关断引脚；IN、\(\overline{SD}\)引脚各内置 250kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；VCC+VB 双路欠压锁存；静态电流 200‑400μA；最高开关频率 500kHz；
2026-10-10 20:23:46
191
原创 # LTK118 单通道直流电机驱动芯片解析
它的典型应用电路结构十分简洁。LTK118 是 LTKCHIP 推出的 SOP‑8 封装单通道 H 桥直流马达驱动芯片，专为低压电池类产品设计，能够实现电机正转、反转、停机、刹车四种控制模式，具备完善的保护能力，非常适合消费类低压运动控制系统开发。芯片采用 SOP‑8 贴片封装，整体体积小巧，不需要搭配体积庞大的外部滤波电容，仅使用小型贴片电容就可以正常工作，有利于缩小产品 PCB 尺寸，契合小型化产品的设计需求。INA 为低电平，INB 为高电平，OUTA 输出低、OUTB 输出高，电机后退反转。
2026-10-10 20:23:11
178
原创 LTK8302 双通道集成 H‑桥有刷直流电机驱动芯片｜LTKCHIP 联辉科
LTK8302 为双路全集成 H 桥电机驱动，SOP‑16 封装，内置 8 颗 N‑MOS 功率管，两路 H 桥互相独立；电机供电 VDD2‑7V；单通道连续输出 1.4A，双通道同时工作总连续 1.6A，峰值电流 2.5A；每路 H 桥由 2 路逻辑输入控制（INA/INB 为通道 1；INC/IND 为通道 2）；支持 PWM 调速，具备前进、后退、短路刹车、高阻待命休眠；输入同时保持低电平进入休眠，休眠最大 10μA；内置过温 TSD 热关断保护，故障自动恢复；
2026-10-09 20:46:14
195
原创 LTK8324 单通道集成 H‑桥有刷直流电机驱动芯片｜LTKCHIP 联辉科
LTK8324 为单通道全集成 H 桥电机驱动，ESOP‑8 封装，内置四颗 N‑MOS 功率管；电机供电 VM2.5‑12V；高低侧 MOS 总导通电阻典型 180mΩ；持续输出 2.5A，峰值电流 3.9A；INA、INB 双逻辑输入，支持 PWM 调速；具备前进、后退、短路刹车、高阻待命休眠；休眠模式典型电流 1μA；内置电荷泵；集成 VM 欠压 UVLO、过温 TSD 热关断，故障自动恢复；可驱动有刷直流电机，也可驱动一路步进电机绕组；适用于小家电、玩具、电子锁、小型机器人。
2026-10-09 20:45:34
296
原创 EG27519 20V 单通道高速低侧栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG27519 是单通道同相低侧图腾柱栅极驱动芯片，SOT‑23‑5 小封装，仅驱动低侧 N‑MOS/IGBT，无高侧悬浮驱动。VDD 供电4‑20V；VDD=12V 条件下拉 / 灌峰值驱动电流均 4A；具备独立EN 使能引脚（低电平关闭输出）；IN + 同相输入内置 100kΩ 下拉，输入悬空输出强制低电平；典型开通延时 80ns，关断延时 60ns；可实现电平转换，适配 3.3V 单片机 IO；适用于开关电源、DC‑DC 变换器、UPS、变压器驱动、数字电源。
2026-10-08 19:45:46
375
原创 EG3116D 600V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG3116D 为单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压600V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉 2A、灌 2.5A；HIN、LIN 双双高电平有效；芯片无硬件桥臂互锁，允许上下管同时导通，死区与防直通完全依赖 MCU 软件；HIN、LIN 引脚内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；具备 VCC+VB 双路欠压锁存；静态电流典型 200μA；最高开关频率 500kHz；适配 3.3V/5V MCU；
2026-10-08 19:45:10
335
原创 EG44273 20V 低压单通道低侧栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG44273 是单通道同相低侧图腾柱栅极驱动芯片，SOT‑23‑5 小封装；仅驱动低侧 N‑MOS/IGBT，无高侧悬浮驱动能力。VCC 供电4‑20V；VCC=12V 条件下拉 / 灌峰值驱动电流均为 2A；IN 同相逻辑输入，内置 100kΩ 下拉电阻，输入悬空输出强制低电平；静态电流最大 1μA；开通延时典型 80ns，关断延时典型 60ns；可实现逻辑电平抬升，适配 3.3V 单片机 IO；适合电池供电设备、开关电源、DC‑DC 变换器、变压器驱动、数字电源。
2026-10-07 21:04:50
345
原创 EG2131D 220V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG2131D 为单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压220V；VCC 供电11‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉 1A、灌 1.5A；HIN 高电平有效，LIN 低电平有效；内置硬件死区、桥臂互锁闭锁；具备VCC+VB 双路欠压保护；HIN 内置 250kΩ 下拉，LIN 内部上拉，输入悬空输出全部关闭；静态电流典型 100μA；最高开关频率 500kHz；适配 3.3V/5V MCU；
2026-10-07 21:03:51
304
原创 EG27710 600V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG27710 是单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压最高600V；VCC 供电10‑25V，典型 15V；图腾柱输出拉 0.6A、灌 1.0A；HIN、LIN 双双高电平有效；内置硬件桥臂互锁闭锁；HIN、LIN 引脚各内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；VCC+VB 双路欠压保护；最高开关频率 500kHz；静态电流 30‑150μA；适配 3.3V/5V MCU 逻辑电平；
2026-10-06 19:35:00
333
原创 EG2113D 600V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG2113D 为单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑16 / SOW‑16 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压600V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉 / 灌均 2A；HIN、LIN 双双高电平有效；内置硬件死区、桥臂互锁闭锁；增加独立SD 硬件关断引脚（高电平有效，强制关闭 HO、LO）；HIN、LIN 内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 50μA；最高开关频率 500kHz；
2026-10-06 19:34:25
408
原创 EG1125 准谐振原边反馈 CC‑CV 功率开关｜屹晶 EGmicro
EG1125 是集成 800V NPN 功率 BJT 的准谐振 QR‑PSR 原边反馈反激开关芯片，SOP‑7 封装，无需光耦，原边采样实现恒压恒流；整机最大输出功率 12W；CV 模式调幅 AM + 调频 FM 多模式控制，CC 模式采用调频；内置线电压、负载恒流补偿，支持可调线损补偿；待机功耗＜30mW，工作静音无异音；恒压恒流调整率＜±5%；集成全套保护；适用于手机充电器、LED 驱动、小功率 AC‑DC 适配器。架构说明：内置高压功率三极管，不是 MOS；
2026-10-05 18:19:15
201
原创 EG4005 微波 / 红外感应信号处理芯片｜屹晶 EGmicro
EG4005 是数‑模混合人体感应专用处理芯片，SOP‑8 / CPC‑8 两种封装，适配热释电红外 PIR、微波雷达传感器。供电电压3.0‑5.5V；3V 静态电流＜45μA，5V 静态电流＜75μA，适合电池供电；内部集成高阻抗运放、双门限鉴幅比较器、基准源、振荡器、定时逻辑；通过外部 RC 配置振荡周期；分 A‑G 共 7 个后缀版本，区别为封锁时间系数 K 不同；支持可重复 / 不可重复触发、光敏抑制；输出可直接驱动三极管、继电器；用于感应灯、自动门、红外报警器、自动烘干机。
2026-10-05 18:18:42
373
原创 EG2226 600V 全桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG2226 是双通道半桥（全桥）栅极驱动芯片，SSOP‑16 封装，无内置功率管，外接 4 颗 N‑MOS/IGBT 组成全桥电路；两路半桥独立，每一路高端悬浮耐压600V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉 0.6A、灌 1.0A；两路通道均为 HIN、LIN 双双高电平有效；每通道内置桥臂互锁闭锁；HIN1/HIN2、LIN1/LIN2 全部内置 250kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；最高开关频率 500kHz；适用于逆变电源、变频水泵、电动车控制器、无刷电机驱动器。
2026-09-29 18:34:48
311
原创 EG21814 600V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG21814 为单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动芯片，SOP‑14 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压600V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉电流 2.5A、灌电流 3A；HIN、LIN 双双高电平有效，无内部桥臂互锁逻辑；HIN、LIN 引脚内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 200μA；最高开关频率 500kHz；适合高压快充、无刷 BLDC 电机、变频水泵、600V 降压电源、高压 D 类功放。
2026-09-29 18:34:10
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原创 SS8103 40V 同步整流降压半桥恒流驱动控制器｜率能半导体
SS8103 是COT 恒定关断时间架构的降压恒流控制器，ETSSOP‑16 散热增强封装，外置高低边 MOS 功率管，最高输入电压 40V，最大输出电流 20A；SS8103TIADJ引脚，0.2‑1.2V 模拟电压线性调节峰值电流；SS8103DADIM引脚，PWM 输入转内部 DAC 控制峰值电流，256 级分辨率。支持同步 / 异步两种拓扑；无需环路补偿；工作频率 800kHz‑1.2MHz；支持多路调光模式，针对低灰度调光做算法优化，无闪烁抖动；内置 5V LDO；具备完整系统级保护；
2026-09-28 18:55:13
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原创 SS6285L 集成 H‑桥直流电机驱动芯片｜率能半导体
SS6285L 是单通道集成 H 桥有刷直流电机驱动芯片，内置四颗功率 MOS；提供 SOP‑8、DIP‑8 两种封装；工作电压3.0‑18V；SOP‑8 持续输出 5A、峰值 8A；DIP‑8 持续 4.8A、峰值 9A；FI、BI 两路逻辑输入，可实现电机前进、后退、刹车、停止四种模式；待机电流＜1μA；集成续流二极管，内置欠压 UVLO、过流 OCP、过热 OTP 保护；用于电动玩具、电子锁、按摩仪、宠物电器、小型机器人、阀门执行器。封装差异：SOP‑8 贴片版本持续电流更大；
2026-09-28 18:54:36
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原创 EG1654 连续导通模式 CCM‑PFC 控制器｜屹晶 EGmicro
EG1654 为固定频率连续导通模式 PFC 升压控制器，SOP‑8 封装，外置 PFC 功率 MOS 管，分为三个频率版本：EG1654A (65kHz)、EG1654B (133kHz)、EG1654C (200kHz)。VCC 供电 10.5‑25V；DRV 栅极驱动 ±1.5A；内置乘法器、除法器优化 THD，提升功率因数 PF；启动电流＜75μA；具备丰富系统级保护；适合显示器、TV、通信 / 服务器电源、各类离线 AC‑DC 开关电源。版本区分：仅振荡器固定频率不同，引脚、外围电路完全兼容。
2026-09-24 19:29:09
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原创 EG3113D 600V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG3113D 是屹晶单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压最高600V；VCC 供电8‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉电流 2A、灌电流 2.5A；HIN 高电平有效，LIN 低电平有效；内置 VCC+VB 双路欠压保护、硬件死区、桥臂互锁闭锁；HIN 内置 200kΩ 下拉，LIN 内部 5V 上拉，输入悬空输出全部关闭；静态电流典型 300μA；最高支持 500kHz 开关频率；
2026-09-24 19:28:05
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原创 EG1170 200V 外置 MOS 降压 DC‑DC 控制器｜屹晶 EGmicro
EG1170 是非同步降压 Buck 控制器，SSOP‑10 封装，外置高端 N‑MOS 功率管，外接肖特基做续流。高压 VIN 输入20‑200V（高压自启动模式）；外部 VCC 供电模式支持 11‑200V；芯片内置自举二极管；内部生成 10V 驱动 VCC 与 5.2V/20mA 辅助 LDO 输出 VDD5；固定 PWM 频率 110kHz；最大占空比 90%；支持使能 EN 控制、逐周期峰值限流、芯片 155℃内置过温、输出短路打嗝重启；FB 内部 1.3V 基准，外部分压设置输出电压；
2026-09-23 19:43:38
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原创 EG2031L 220V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicro
EG2031L 是屹晶单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压最高220V；VCC 供电5‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉电流 1A、灌电流 1.5A；HIN 高电平有效，LIN 低电平有效；内置 VCC+VB 双路欠压保护、硬件死区、桥臂互锁闭锁；HIN 内置 250kΩ 下拉，LIN 内部上拉，输入悬空输出全部关闭；静态电流典型 250μA；最高支持 500kHz 开关频率；
2026-09-23 19:42:57
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空空如也
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