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RSS订阅原创 AI米勒平台产生原因及抑制
米勒平台是 (V_{DS}) 变化通过 (C_{GD}) 耦合到栅极，抢走/注入驱动电流导致的；抑制核心是"不让米勒电流影响 (V_{GS})"——靠米勒钳位、负压、开尔文连接和优化布局。米勒平台本身不可消除（只要有 (C_{GD}) 就有），但可以缩短时间、防止误导通。需要我针对半桥电路的下管误导通问题展开讲吗？
2026-08-24 10:28:54
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原创 半导体器件5——IGBT
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率电子领域最重要的半导体器件之一。它巧妙地融合了 MOSFET 的高输入阻抗、易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降、大电流处理能力，成为中高功率、中低频应用中无可替代的开关元件。本文从器件结构、等效电路、工作原理、开关过程、关键特性对比以及选型分类等维度，系统而深入地剖析 IGBT 的技术内核。
2026-08-11 14:07:07
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原创 产品工艺流程
用EMC（Epoxy Molding Compound 环氧树脂）密封产品来预防晶粒，金线被破坏、污染和氧化。出厂前完成电气检测、激光刻字、外观质检。8.Packing&Warehouse 包装入库。1.Wafer Saw 晶圆切割。6.Trim&Form 切筋成型。3.Wire Bond 焊线。2.Die Bond 固晶。4.Molding 成型。5.Plating 电镀。7.TMTT 最终测试。
2026-08-07 09:18:03
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原创 学习中——储能BMS
**SiC MOSFET (1200V, 40mΩ)** 和 **IGBT (650V~1200V, 75A~150A)**：它们被用在上述的 **PCS** 内部，负责高频开关和交直流转换。* **均衡MOS**：当某节电芯电压偏高时，BCU让该BMU开启均衡MOS，将多余能量以发热的方式泄放掉，**解决电池的木桶效应**，延长系统寿命。它们实时测量每个电芯的**电压、电流和温度**。| **均衡保护** | 无 | 必需的**主动/被动均衡MOS**，以及**主回路保护MOS** |
2026-08-05 14:29:34
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原创 持续完善（学习中）——充电桩
交流输入 (380V) 需要先变成隔离直流，给 200V-750V (甚至 1000V) 电池充电。多个模块并联输出，由于电缆阻抗差异，容易不均流。360kW 超级快充，电流 500A 以上，枪线必须液冷降温，否则太重太粗无法操作。BMS 发 “电池充电总状态”，包含：请求电压、请求电流、允许充电电流、最高单体电压、SOC 等。：充电桩户外，高温满功率持续几小时，必须对 IGBT/SiC 模块做热仿真，风冷或液冷。有的车 BMS 发 0 电流请求时，不是要彻底关断，只是暂停，需桩保持待机。
2026-07-31 15:44:43
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原创 持续完善（学习中）——光伏逆变
各国并网标准不同（如中国 GB/T 37408，德国 VDE-AR-N 4105，美国 UL 1741 SA），需要熟悉当地要求。：输出必须与电网电压同频同相，电流波形谐波满足 IEEE 1547 / VDE-AR-N 4105 等标准。三相常用三相桥（6个IGBT），大功率用 NPC/T 型三电平（12个IGBT+6个二极管或更多）：光伏组件有唯一的最大功率点，逆变器必须动态调节输入电压/电流，锁定这个点，否则发电量损失巨大。逆变器常年满载，户外密闭环境，IGBT 结温不能超 150°C（实际要留余量）
2026-07-30 11:15:18
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原创 持续完善（学习中）——PD快充
纯检测阶段就能知道默认是 5V/ 多少电流（USB Type-C 电流模式：Default 500mA / 1.5A / 3A）基本 PDO，固定电压档位 (5/9/15/20V)，最大 100W (20V/5A)，Type-C 强制。如果充电器能输出 100W，插一根没 E-Marker 的线，只能给 20V/3A (60W)手机可以根据电量、温度，让充电器输出非标电压（比如 8.3V），实现直充，发热更小。PD 控制器会读取线缆能力（是否支持 5A，是否 50V）再决定给出什么 PDO。
2026-07-30 11:07:09
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原创 半导体器件4——MOSFET
根据 Q=CV，VDS 快速上升意味着米勒电容 CGD 两端的电荷必须被抽走，栅极驱动电流全部用于对 CGD 放电，几乎没有电流流入 CGS，因此 VGS 保持不变，形成关断米勒平台。t3-t4时刻，VDS 不再变化，米勒电容 CGD 充电结束，栅极电流重新对栅源电容 CGS 充电，VGS 从平台电压继续上升，直到达到驱动电压，MOSFET 完全导通，进入低阻区。E=1/2（CV²），Q=CV，电容不变的情况下，电压越高，储存的电荷量越大，储存的能量也越高。本文以增强型N沟道平面MOSFET为例进行分析！
2026-07-08 08:42:53
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原创 半导体器件1——二极管
由于浓度差，电子会从N区向P区扩散，空穴会从P区向N区扩散，在中间形成空间电荷区（耗尽层），同时产生一个由N指向P的内建电场。这个电场会阻止多子继续扩散，同时推动少子做漂移，最终扩散和漂移达到平衡。加反向电压（P-N+），外电场方向从N指向P，与内建电场方向相同，增强了耗尽层，扩散被抑制，只有少量少子漂移形成反向饱和电流。加正向电压（P+N-），外电场方向从P指向N，与内建电场方向相反。PN结内部P区有很多的多子：空穴（+）N区有很多的多子：电子（-），也叫载流子。讲二极管之前需要先了解PN结。
2026-07-07 09:42:37
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空空如也
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