2302_78541435的博客

此外，忽略图 5 中波形的部分 (0 < t < t 1 ) 和部分 (t 8 < t < t 9 )，我们观察到误差的平均值为零。因此，如果我们将上述 ADC 的输出应用于理想的数模转换器（图 2），代码 001 将产生模拟值 FS/8，代码 010 将产生 FS/4，依此类推。正如我们在斜坡输入示例中观察到的那样，我们知道量化误差信号并不是真正随机的，实际上可以针对给定的输入值进行计算。具有噪声信号的 PSD，在那里，我们将研究允许我们使用噪声模型的假设，并且我们将使用获得的模型来表征量化误差的影响。

电路的安培额定值取决于保护导体的断路器或保险丝的额定值，而不取决于电路中导体的尺寸。与第 210.19(A)(1) 节类似，对于导体载流量，第 210.20(A) 节规定，在分支电路提供连续负载或连续负载和非连续负载的任意组合的情况下，过流装置的额定值不得小于非连续负载加上连续负载的 125%。例外情况 1 至 210.19(A)(1)(a) 允许分支电路导体的载流量不小于连续负载加上非连续负载的总和，如果组件（包括分支的过流装置） -电路，被列为以其额定值的 100% 运行。这些导体的真实载流量是多少？

通常，人们会测量分流电阻器两端的电压，将其乘以器件的标称增益，然后将结果与器件的测量输出进行比较。（增益 = 50V/V）CSM 满足上述要求，因为它可以适应高达 80V 的共模电压，在 2.7V 至 18V 的电源电压下工作，可用于双向或单向应用，并且具有仅为 70μV（值）的输入偏移电压 （Vos） 规格。虽然这个误差显然比 Rpp 和 Rpn 引起的误差更大，但可以进行额外的观察：可以在电流感应设备的输入引脚处测量比分流电阻器两端的电压更大的电压。因此，在器件的输出端会观察到更大的电压。

应根据被测介质的温度、压力、介质性质、测温时间长短来选择热电偶和保护套管。热偶的安装地点要有代表性，方法要正确，图1—36所示是热电偶安装在管道上的两种常用法。在工业生产中，热电偶常与毫伏计联用（XCZ型动圈式仪表）或与电子电位差计联月后者精度较高，且能自动记录。另外也可使其与温度变送器连接，经放大后再接指示仪表，1作为控制信号使用。校验的方法是用标准热电偶与被校验热电偶装在同一校验炉中进行对比，误差超过规定允许值为不合格。图1—37所示为热电偶校验装置示意图，校验方法可查阅有关标准。

如图2所示，自热晶体管传感器的空速与冷却之间的关系是高度非线性的。添加的 Rs 将来自电流感测 R3 的反馈与加热电压源 V 相加。求和以一定比例进行，使得 V 的百分比增加会产生电流 I 的相等且相反的百分比减少，反之亦然。图 4：传感器温度与电源电压的关系，其中：蓝色= 加热电压 V 和（未校正的）功率；请注意，稳定性提高了 200:1，将 V 的 ±1% 变化衰减至加热功率和温度的仅 -0.01% 变化。图 3添加的 R7 和 R8 在加热电压 V 和加热电流 I 之间建立了消除不稳定的关系。

下游DC/DC转换器，同样在50 kHz≥的高频工作频率下，产生所需的5 V、12 V 24 V的次级电压，与电源侧电气隔离，短路和开路保护。在引入高频电源解决方案之前，随着快速开关、低阻抗半导体的出现，高频电源解决方案现已占据主导地位，50 Hz 变压器、桥式整流器和平滑电容器的解决方案主要用于将 220 V~/230 V~ 市电电压转换为 24 V 和其他经常需要的直流电压。使用直流或交流正弦电流（整流值）和脉冲电流（红色）充电时，提供的电量必须相同，否则电池、蓄电池和电容器将以不同的速率充电。

一个相对磁导率为125mr的单层铁镍钼薄片磁芯，外围缠绕10/44的多芯电线16匝，另一个双层250掺杂度的镍铁钼磁粉芯，外围缠绕10/44的多芯电线8匝。现在，有一种相对简单的测试方法，可以在设计开关电源前对电感的磁芯损耗进行测试(在其设定的开关频点上)。测试设备的结构如图2所示。一种相对简单的电感损耗测试设备可以在设计的频点测试电感的损耗，对比不同电感的性能。由于目前还没有能够很好解释磁芯损耗的统一模型，所以采用上述这个经验模型解释磁芯损耗，在本文最后的参考文献中有更深入的磁芯模型，供读者参考。

要从供配电原理去分析，我国规定的供电标准是三相四线制：火线有三条，火线与火线之间电压是 ~ 380V ，各相之间的相位差是 120° ，俗称工业电；所以理论上，零线和地线之间是不会有电压的， 请关注：容济点火器。地线与火线之间的电压是220V，明白上面两点，这点就自然明白了，因为零线和地线在变压器接地处是一点，那么零线对火线是220V，当然地线对火线也是220V了。1、如果地线没有接好，比如接线电阻比较大，同时碰巧火线碰到地线上了，相当于地线就是火线了，这个时候零线和地线之间可能会有220伏电压。

EMC的分类及标准： EMC(Electromagnetic Compatibility)是电磁兼容，它包括EMI(电磁骚扰)和EMS（电磁抗骚扰）。EMC定义为：设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中的任何设备的任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。EMC整的称呼为电磁兼容。EMP是指电磁脉冲。　　EMC = EMI + EMS EMI：電磁干擾 EMS：電磁相容性 (免疫力)　　EMI可分为传导Conduction及辐射Radiation两部分，　　Conduction规范一般可分

在户外媒体市场，凭借本身发光亮度强且支持自动亮度调节，在可视距离内阳光直射屏幕表面时显示内容依然清晰可见等优势，LED显示屏成为备受青睐的显示终端，然而，“成也亮度，败也亮度”，随着人们对LED屏光污染的投诉不断增多，多地出台了公共场所LED显示屏管理规范，上海、广州等大型城市赫然在列。然而，小间距LED显示屏技术门槛较高，使用成本较高，在现阶段，无论是从生产层面，还是从应用层面，都是“土豪”的专属，在这种情况下，使用成本低、出货量大的LED广告机成为了大多数LED厂商的不二之选。

目前在MEMS封装中比较常用的封装形式有无引线陶瓷芯片载体封装（LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier）、金属封装、金属陶瓷封装等，在IC封装中倍受青睐的球栅阵列封装（BGA-Ball Grid Array）、倒装芯片技术（FCT-Flip Chip Technology）、芯片尺寸封装（CSP-Chip Size Package）和多芯片模块封装（MCM-Multi-Chip Module）已经逐渐成为MEMS封装中的主流。MEMS中的许多封装形式源于IC封装。

评价固态电解质的一些参数主要包括：高的离子导电性、低的离子面积比电阻、高的电子面积比电阻、高的离子选择性、宽的电化学稳定窗口、好的化学兼容性、优异的热稳定性、优异的机械性能、简单的制备过程、价格低廉、易整合和环境友好。在制造设备方面，固态电池虽然与传统的锂离子电池有很大的不同，但除了在涂装、包装等过程中要定制设备，制造环境要在要求更高的干燥室中进行外，并没有本质的不同。以上就是固态锂离子电池的有关知识的详细解析，需要大家不断在实际中积累经验，这样才能设计出更好的产品，为我们的社会更好地发展。

电流源的内阻是并联的，内阻无穷大，负载阻抗波动不会改变电流大小。受控电源与独立电源不同之处是：受控电压源的电压、受控电流源的电流要受到电路中某部分电压或电流的控制，当这些控制电压或电流为0时，受控电压源的电压、受控电流源的电流也为0。如果一个二端元件接到任意电路中，无论其两端电压是多少，流经它的电流始终保持给定的时间函数is（t）或 Is，则该二端元件称为独立电流源，简称电流源。电流源是将实际电流源内阻视为无穷大后的理想化模型，电流源的电流由它本身确定，与它两端电压无关，电流源的两端电压由该具体电路确定。

开关稳压电源非常关键的一个指标就是纹波，它主要是由开关变换的方式导致的，也因纹波的存在会影响到后续电路的工作，尤其是在对纹波比较敏感的场合下。关于噪声抑制，实际中并不一定全部应用，重要的是根据自己的设计要求，比如产品体积，成本，开发周期等，选择合适的方法。还有一点是要使用50Ω终端。LC滤波器对噪纹波的抑制作用比较明显，根据要除去的纹波频率选择合适的电感电容构成滤波电路，一般能够很好的减小纹波。这是减少纹波和噪声zui有效的办法，输出电压恒定，不需要改变原有的反馈系统，但也是成本zui，功耗zui的办法。

同时由于QFP、BGA等表面安装元件的大量使用，元器件产生的热量大量地传给PCB板，因此，解决散热的zui好方法是提高与发热元件直接接触的PCB自身的散热能力，通过PCB板传导出去或散发出去。当发热器件量较多时(多于3个)，可采用大的散热罩(板)，它是按PCB板上发热器件的位置和高低而定制的专用散热器或是在一个大的平板散热器上抠出不同的元件高低位置。f、对温度比较敏感的器件zui好安置在温度zui低的区域（如设备的底部），千万不要将它放在发热器件的正上方，多个器件zui好是在水平面上交错布局。

电流就这样转换出来了，调整好几个电阻的阻值，Vout 用单片机的ADC采样即可。运用运放的虚断特性，既输入端和输出端没有电流流过。所以R3和R6流过电流相等。这个电路要检测电流Z终的目的就是要得到图上VOUT和V1、V2的关系。通常在使用该电路的时候有R1 = R7、R2 = R5。由上面两个式子即可得到。一、低端电流检测方法。二、高端电流检测方法。

在本文中，我们将介绍AC/DC和DC/DC开关电源的传导和辐射原理，并实例剖析滤波器件的选择对EMI性能的影响。开关电源中的噪声于半导体的快速切换，通常想获得高效率，开关波形上升和下降的时间是以纳秒为单位的，高的dV/dt和di/dt电平不能完全被开关电源所抑制，就有可能在输入或输出线上呈现出传导的电压或电流尖峰噪声。有人可能会想干脆使用较大的L和C值，认为这样可以将噪声降到很低，但这可能适得其反，因为大的电感量可能带来比较大的直流电阻，造成较大的压降和铜损，且大电感的磁饱和也是一个比较突出的问题。

有些小伙伴可能会说，当器件的开关频率为30kHz时，对应的波长还10km呢，那1k-20kHz对应的波长就更长了，所以在分析长电缆时，也是电小尺寸模型，可以简化为集总参数电路，这样分析显然是错误的。当传输线长度为1/10波长时，电流相移为36°，为1/100波长时，电流的相移仅为3.6°。举个例子，大家可能即理解了，在很多高频电路板上，我们会看到很多蛇形走线，主要原因就是考虑到信号的传输延迟效应，为了让所有的数据信号同时到达末端，需要把较短PCB走线，故意多绕绕，最终让所有的数据信号走线物理长度保持一致。

这都是十分不合理的。在负载容量很大时，开关的通断将引起对电网的冲击，源产生由控制周期决定的分数次谐波，这些分数次谐波引起电网电压闪变。2、交流调功：通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。交流调功电路是将负载与交流电源接通几个周波，再断开几个周波，通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节容负载所消耗的平均功率。1、交流zd调压：交流调压电路控制方便，调节速度快，装置的重量轻、体积小，有色金属消耗也少。2、交流调功：具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

使用适当的 PCB 布局技术使电路输入电源、输入电阻器以及输出电压的 GND 处于相同的电势下，这样可减少以上两个实例中出现的问题。在以下所示示例电路原理图与布局中，输入电源、输出电压与输入电阻器的 GND 连接都在 PCB 的顶层挨着。GND 符号遍及原理图的各个角落，而且原理图假定不同的 GND 在印刷电路板 (PCB) 上都将处在相同的电势下。所以与所需的 1V 输出相比，20mV VGND3 电压可将输出电压降至 890mV，相当于 11% 的误差。我们以以下所示标准非反相放大器电路为例加以说明。

出现这样的原因是由于RST引脚内含三极管，即便在截止状态时也会有少量截止电流，当R取的非常大时，微弱的截止电流通过就产生了高电平。限流电阻的计算：集电极电流为I，则基极电流为I/100（这里涉及到放大作用，集电极电流是基极的100倍），PN结电压0.7V，R=(5-0.7)/(I/100)通常红色贴片LED：电压1.6V-2.4V，电流2-20mA，在2-5mA亮度有所变化，5mA以上亮度基本无变化。当基极为高电平时，三极管导通，右侧的导线接地为低电平，当基极为低电平时，三极管截止，输出高电平.

第四种情况：对于内部通过电源电流的模块（如SJB-一直带电Hot Always，起动带电Hot in Run 等），其电路必须通过135%及200%保险丝测试。第二种情况：对于带有内部继电器（切换地到负载或输出到地）的模块，其电路必须通过135%及200%保险丝测试。如果模块使用软件作为输出驱动器短路保护，软件必须在输出驱动器、导线、连接器、线缆的保护要求时间内切断输出。第yi种情况：对于带有内部继电器（切换电源到负载）的模块，其电路必须通过135%及200%保险丝测试。禁止模块的功能性退化发生。

反激式电路与正激式电路相反，其脉冲变压器的原/副边相位关系确保当开关管导通，驱动脉冲变压器原边时，变压器副边不对负载供电，即原/副边交错通断。该电路的ZD问题是：开关管T交替工作于通/断两种状态，当开关管关断时，脉冲变压器处于“空载”状态，其中储存的磁能将积累到下一个周期，直至电感器饱和，使开关器件烧毁。T2、T3为另一对，由另一组信号驱动，同时导通/关断。这种电路结构的特点是：对称性结构，脉冲变压器原边是两个对称线圈，两只开关管接成对称关系，轮流通断，工作过程类似于线性放大电路中的乙类推挽功率放大器。

其实我说的这些在去除噪声的方面只是冰山一角，就算是玩了30年电子的人也不会完全掌握所有的这类技术，因为理解掌握这类东西需要很强的技术基础和相当丰富的经验，不过我告诉你的这些在大体上已经足够了。CMOS输入运算放大器的噪声：噪声电压主要由高频区通道电阻的热噪声及低频区的低频噪声所造成，CMOS放大器的转角频率(cornerfrequency)比双极放大器高，而宽带噪声也远比双极放大器高；由于初级进来的交流电本身就不纯净，而且是波浪的正弦波，容易对旁边的电路产生电磁干扰，也就是电磁噪声。

电容器、电感器、控制 IC 和封装技术的创新让器件能够以更高的功率密度集成到不断缩小的封装之中。现在，隔离式和非隔离式转换器使用创新的 3D 电源封装技术，在很大的程度上将低功率 DC/DC 转换器 IC化，预计未来将进一步提高性能和功率密度。而作为一般用途的模块时，全功能降压转换器与普通 SMT 器件一样具有相同的量级，并以同样的方式在最终应用中找到属于它们的位置。电容C1是积分元件，因此产生的输出电压是电流和开关 SW1 和 SW2 的导通时间的函数。然而，目前的目标是更加缩小设计尺寸并提高效率。

为保证ICSP安全正常工作，烧写时序线PGD和PGC、烧写电压VPP要与其它电路完全隔离。题外话单片机中的佼佼者是谁，想知道点击上方图片查看视频。

典型的半桥式变压电路中zui为显眼的是三只高频变压器：主变压器、驱动变压器和辅助变压器（待机变压器），每种变压器在国家规定中都有各自的衡量标准，因此，在设计中采取了以下措施。导带上的线宽不要突变，无尖刺毛边。除了在线路上进行优化设计外，如何在基片有限的空间内合理的安排元器件的位置以及导带的布线，也将直接影响到电路中各元器件自身的抗干扰性和产品的电磁兼容性EMC指标。图1 滤波器的原理图 图中，L1、C1组成的输入滤波电路和L2、C2组成的输出滤波电路能减少纹波电流的大小，从而减少通过辐射传播的电磁干扰。

它连接到电池监控和配电单元，监控整体充电状态 (SOC) 以及电池电压和电池温度信息。此外，灵活的测试基础设施至关重要，它允许工程师在开发过程中不断测试功能和变化以满足新的要求。因此，使用电池数字孪生进行测试非常适合测试和验证电池管理系统并追求连续自动化工作流程的工程师。电池对于车辆的电气化传动系统或飞机和船舶的执行器至关重要，而 BMS 则是控制和监控电池组的关键部分。使用模拟电池进行测试非常有益，因为可以快速、反复地安全地测试各种条件，而不会冒着宝贵硬件的风险。来源：Speedgoat GmbH。

功率级从连续运行期间的一对复极，变为非连续运行期间的一个单低频实极点。低频率下，增益急剧下降，原因是极点导致更低的交叉频率，从而降低了瞬态响应。是一个简单的同步降压转换器，用于演示输出电感中连续和非连续电流的负载瞬态响应。在低至空载的负载状态下，输出电感电流都一直保持连续，因为同步整流器允许电感电流在轻负载状态下反向流动。尽管本文介绍的是降压拓扑结构的区别，但您会注意到所有电源拓扑都有类似的响应。如果是，并且您还允许电源非连续，那么您可能会发现控制环路的增益在轻负载状态下急剧下降。

这都是十分不合理的。在负载容量很大时，开关的通断将引起对电网的冲击，源产生由控制周期决定的分数次谐波，这些分数次谐波引起电网电压闪变。2、交流调功：通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。交流调功电路是将负载与交流电源接通几个周波，再断开几个周波，通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节容负载所消耗的平均功率。1、交流zd调压：交流调压电路控制方便，调节速度快，装置的重量轻、体积小，有色金属消耗也少。2、交流调功：具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

再次按下S1，Q5截止L_out1输出高电平—>Q2截止，Q4饱和L_out2输出低电平，由于R4和C1的延时作用Q3会延迟饱和，可以保证Q2完全截止后Q3基极才会为低电平，因此Q2，Q3都不会饱和。此时C3通过R22缓慢充电最终等于VCC电压，当按下S3后C3通过R26给Q10基极放电，Q10迅速饱和，Q6也因此饱和，H_out变为高电平，当C3放电到Q10be结压降0.7V左右时C3不再放电，此时若按键弹开C3将进一步放电到Q10的饱和压降0.3V左右，当再次按下S3,Q10即截止。

当Si MOS外置回流用的快速二极管时，由于体二极管和外置二极管的Vf大小相等，为了防止朝向恢复慢的体二极管侧回流，必须在MOSFET上串联低电压阻断二极管，这样的话，既增加了器件数量，也使导通损耗进一步恶化。SiC MOS由于材料特性其击穿场强远高于硅，故不需要很厚的漂移区厚度就可以实现高耐压和低阻抗，而且SiC MOS是单极型器件，原理上不产生尾电流，所以用SiC MOSFET替代IGBT时，在IGBT不能工作的高频条件下驱动，明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。

在此基础上，详细论述了量子CMOS图像传感器的技术发展历史，并将量子CMOS图像传感器与其他主流单光子探测传感器的性能进行了对比，总结分析了未来量子CMOS图像传感器技术的发展趋势，针对不同的航天遥感应用需求，分析并展望了量子CMOS图像传感器的应用模式及应用特点。因此，应当积极提前布局，一方面深入研究量子CMOS图像传感器的技术特点，另一方面，结合航天遥感应用的需求特点，在拓展应用领域、提升应用水平方面，寻求与量子CMOS图像传感器技术优势的契合，实现我国航天光学遥感器技术水平的跨越式发展。

光伏逆变器是光伏发电系统的控制中枢，能够将组件产生的直流电转为交流电以实现并网或负载使用。光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成，其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代控制技术的发展。光伏组件所发的电全部都要通过逆变器处理后才能对外输出，因此，逆变器属于光伏发电系统的核心BOS设备。逆变器根据技术路线的不同主要分为集中式逆变器、组串式逆变器、微型逆变器等。目前，市场主要以集中式逆变器和组串式逆变器为主。

电压60V电流100mA，采用SOT-723封装形式。适用于低RDS (on)的高密度电池设计，压控小信号开关，坚固可靠，ESD保护。可应用便携式设备的负载开关，电池开关上。2SK3019小电流双N通道。

指纹挂锁方案采用ACH512或ACM32FP4指纹芯片和88*112传感 器，指纹识别速度快，BOM成本低，非常适合挂锁、内门锁、箱 包锁、箱柜锁等场景。主控+算法单芯片：ACH512或ACM32FP4。完整成熟方案，客户可直接生产，不用做任何开发。传感器分辨率：88*112点阵（推荐）待机电流（手指检测）： 10uA。工作电流（指纹采集）： 50mA。指纹识别速度：平均0.8秒。指纹库大小：30枚指纹。

• 原边650-700V SJ MOSFET采用低FOM值的ESM 技术，有利于提高系统效 率， 以及更佳的EAS和EMI等特性，对于一些不含PFC电路的系统更友好。• 我们的产品覆盖原边650/700V SJ，副边 40-100V SGT，以及 30-40V VBUS 产品，提供全套 Power 产品方案。• 副边采用低FOM值的SGT同步整流电路，相比肖特基二极管整流能有更低的 损耗，有利于系统效率的提高。

• 目前非 800V系统充电桩采用三相维也纳整流 +LLC 电路，其中 PFC 整流可以采用二 极管，PFC 升压可以采用650V IGBT 或者 SJ MOSFET， LLC 采用 650V SJ MOSFET。• 对于 800V 系统，通过并联以上两路也可以实现，但是其损耗较大，通常采用 SiC 二 极管， SiC MOS 来显著提高效率。• 充电桩是大功率 AC-DC 转换电源，用于给新能源电动汽车快速充电。