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RSS订阅原创 模电笔记4（摘自郑益慧老师视频课）
注意：不能直接认为导通后，电流无论怎么变，电压都没变，电压肯定是变了，只是变化相对供电电源来说很小，有时在分析时可以忽略，比如供电12v，然后二极管电压在0.6-0.8之间波动，那可以直接把他当作0.7v的，反正正负0.1不影响分析计算。④所以十几伏的电压加到一个稳压值是3v的二极管上，想要得到一个3v去驱动继电器线圈，因为线圈电阻很小，类似这里的RL，他和前面的R分压后得到的电压很小，所以稳压二极管电压很小，达不到3v。③先假设二极管不击穿，在截止，Uo是2v，小于二极管的6v稳压，不可能击穿的。
2026-07-12 23:14:48
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原创 模电笔记3（摘自郑益慧老师视频课）
而反向击穿电压的具体电压值，通过调节pn 结（掺杂的不同，前面的笔记讲了），可以改变这个电压。1.因为温度变化，反向电流变化，所以这个电流反应了温度变化，可以拿来做温度传感器（二极管-电桥-压频转换-显示器，频率出来后用定时器/单片机读取）这时粒子，包括载流子的活性大，那么相同电压下，温度越高，过去的电流越大。2.二极管封装了外壳，所以加反向电压时，Pn结会有漂移电流，外壳也会有泄漏电流，这个电流也很小。反向：因为温度升高，少子会变多，那么反向饱和电流就变大。1.规定了电流路径，单向导通，可以拿来整流。
2026-07-12 12:01:21
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原创 模电笔记2（摘自郑益慧老师视频课）
3.即电压越高，界面上聚集的自由电子越多，另一边的空穴越多，电压变化，聚集量就变化。1.电容的本质是，我在相同的电压变化范围内，电容不一样，就代表电荷的储存变化量不一样。如果一个器件，他的电压变化，他里面存储的电荷就变化，那就表现出一种电容特性。3.德塔q比u，是一个常数的话，那就是线形电容，但是Pn不是一个常数，所以他可以做成可变电容。4.还有扩散电容，这个是加正向电压，他是由非平衡少子和电压之间的关系构成的。2.pn结的电容效应，反向电压越大，Pn 结就越大，相当于电荷量越来越大。
2026-07-11 14:39:52
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原创 模电笔记1（摘自郑益慧老师视频课）
8.Pn 放一起，粒子会有扩散运动，从浓度高的地方到浓度低的地方，电子和空穴会结合。9.加了外电场，正偏的情况下，扩散运动恢复，内电场被削弱，得以导电。也不是，因为其实加强了少子的运动，只是少子太少了，只形成微安级的电流。3.N型掺p原子，p是5价元素，si 是4价，p出4个电子就和si 形成了共价键，所以还多出一个电子，这里自由电子是多子。答案：不影响，因为掺杂后，电子很多了，你提高温度后是可以激发出一些电子，但是相比掺杂的电子是很少的。7.P型相反，掺硼，空穴是载流子，多子，电子是少子。
2026-07-11 14:36:11
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空空如也
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