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原创 学习笔记:TLP 曲线解读及应用
充电电压源(VHV)提供额定能量,给传输线(TL)充电,产生一个窄方波(75ns~200ns)当开关S闭合时,被测器件(DUT)接入传输线路,产生的窄方波被作用到DUT的保护结构上。利用传输线产生的矩形短脉冲来测量ESD保护元件的电流-电压特性曲线的方法,通过将悬空电缆充电至预定电压并将其放电至被测器件(DUT)来生成方波。non-Snap-back型ESD器件(主要以GCNMOS,Diode为主),该型ESD器件的TLP曲线,并不会存在负微分电阻曲线。TLP的It2*1500Ω=HBM值。
2025-09-29 11:18:51
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原创 封装bump选择笔记
1. pitch150um可以走一根trace,180um走两根trace。1. pitch 和diameter 更小。2. 基板走线只能走一层,跟受力能力相关。
2024-11-18 10:13:02
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原创 阻抗匹配的理解(转载)
在低频电路中,我们一般不考虑传输线的匹配问题,只考虑信号源跟负载之间的情况,因为低频信号的波长相对于传输线来说很长,传输线可以看成是“短线”,反射可以不考虑(可以这么理解:因为线短,即使反射回来,跟原信号还是一样的)。但是,如果哪一天我把沙包做了手脚,例如,里面换成了铁沙,你还是用以前的力打上去,你的手可能就会受不了了——这就是负载过重的情况,会产生很大的反弹力。一般来说,接收端的阻抗高于传输线的阻抗,根据反射原理,该处的反射信号与传来的信号相位相同,因而会使得接收端的信号电平增强;否则,便称为阻抗失配。
2024-10-14 09:46:13
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空空如也
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