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转载 nand flash坏块管理OOB,BBT,ECC
0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB
2009-09-28 09:08:00
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原创 避免多重载入
编辑程序很多时候会出现重定义的错误,为了避免出错,需要理顺。(1)通常我们会采用#include “*.h”的方式载入某个*.C对应的.H文件,如果要避免该.H文件被不同文件载入多次,需要在.H文件头尾用 #ifndef ***_h#define ***_h………………#endif这样的话,只要载入了一次,***_h就是被定义过了的,就算其他地方想载入第二次,预编译
2009-09-27 10:59:00
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原创 生活的安宁
年轻注定满载困惑。我们不得不面对,工作上的付出与收获,感情的取舍,世俗的偏见,人际的和谐与否。都说希望越大失望也越大,放颗平常心在那里,容大自己的度量,方能找到一份安宁。生活,兴许就是这样平淡吧。我想,总会有拨开云雾见天日的那天。
2009-09-25 14:10:00
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原创 锁相环PLL原理 && 时钟产生方法
PLL是Phase-Locked Loop的缩写,中文含意为锁相环。PLL基本上是一个闭环的反馈控制系统,它可以使PLL输出与一个参考信号保持固定的相位关系。PLL一般由鉴相器、电荷放大器(Charge Pump)、低通滤波器、(电)压控振荡器、以及某种形式的输出转换器组成。为了使得PLL的输出频率是参考时钟的倍数关系,在PLL的反馈路径或(和)参考信号路径上还可以放置分频器。PLL的功能示意图如
2009-09-24 19:49:00
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原创 VOLATILE的用法
volatile的本意是“易变的”,使用它的目的是如何避免编译器进行优化。由于访问寄存器的速度要快过RAM,所以编译器一般都会作减少存取外部RAM的优化,而不必要的优化可能对程序的执行存在影响。比如:static int i=0;int main(void){ ... while (1) { if (
2009-09-24 19:29:00
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原创 OTP与MTP && AP与BP
OTP(One Time Programable)是MCU的一种存储器类型。MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经固化,适合程序固定不变的应用场合;FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途;OTP ROM
2009-09-24 19:21:00
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原创 大面积着色原理
如上图,以上是视频采集卡得到的图像,第一幅是Y分量描述黑白图像,第二幅是U(V)分量描述,第三幅是V(U)分量描述,第四幅是YUV三幅合成后得到的正常图像。黑白图像与如此模糊的UV分量图合成后竟然如此真实的得到彩色图像,这就是事实。由此得出:Y分量是黑白轮廓图
2009-09-24 19:10:00
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原创 NAND FLASH扇区管理 && NOR+NAND以及SRAM+NAND
(1)首先需要了解NAND FLASH的结构。如图: 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M B
2009-09-22 19:37:00
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原创 程序访问物理地址之MmMapIoSpace 与 OALPAtoVA
(1)MmMapIoSpace 用法 在程序中使用的都是虚拟地址,如果要对物理地址进行操作,需要用到MmMapIoSpace把物理地址映射到虚拟地址,如:pBaseAddress = (PUCHAR)MmMapIoSpace(ioPhysicalBase, Size, FALSE);访问pBaseAddress的指向地址,就是访问被映射后ioPhysicalBase定义的物理地址。
2009-09-22 19:27:00
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原创 NAND中MLC与SLC的差别
最近工作涉及到ANROID向6410移植的问题,由于只有一个开发板让别人先调试,我自己就先恶补下FLASH驱动这方面的基础。 首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入,而SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数,而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响,但绝非像写入那样严重。 其次是读取和写入
2009-09-22 16:19:00
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空空如也
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