【PAT】【Advanced Level】1015. Reversible Primes (20)

本文介绍了一种算法,用于判断一个正整数N在特定基数D下是否为可逆素数。通过分解、翻转并模拟该过程,利用C++实现了一个高效的解决方案。

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1015. Reversible Primes (20)

时间限制
400 ms
内存限制
65536 kB
代码长度限制
16000 B
判题程序
Standard
作者
CHEN, Yue

reversible prime in any number system is a prime whose "reverse" in that number system is also a prime. For example in the decimal system 73 is a reversible prime because its reverse 37 is also a prime.

Now given any two positive integers N (< 105) and D (1 < D <= 10), you are supposed to tell if N is a reversible prime with radix D.

Input Specification:

The input file consists of several test cases. Each case occupies a line which contains two integers N and D. The input is finished by a negative N.

Output Specification:

For each test case, print in one line "Yes" if N is a reversible prime with radix D, or "No" if not.

Sample Input:
73 10
23 2
23 10
-2
Sample Output:
Yes
Yes
No
原题链接:

https://www.patest.cn/contests/pat-a-practise/1015

思路:

按要求分解、翻转、模拟

坑点:

不要忘记判断原数是否为0

CODE:

#include<iostream>
using namespace std;
bool pri(int n)
{
    if (n==0 || n==1) return false;
    for (int i=2;i*i<=n;i++)
    {
        if (n%i==0) return false;
    }
    return true;
}
int rev(int n,int ra)
{
    string re="";
    while (n!=0)
    {
        re+=('0'+n%ra);
        n/=ra;
    }
    int rev=0;
    for (int i=0;i<re.length();i++)
    {
        rev*=ra;
        rev+=(re[i]-'0');
    }
    return rev;
}

int main()
{
    int n;
    int ra;
    cin>>n;
    while (n>=0)
    {
        cin>>ra;
        if (pri(n)==0)
        {
            cout<<"No"<<endl;
        }
        else
        {
            if (pri(rev(n,ra)))
            {
                cout<<"Yes"<<endl;
            }
            else
            {
                cout<<"No"<<endl;
            }
        }
        cin>>n;
    }
    return 0;
}



资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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