学海无涯，回头是岸........

spare area,也叫oob(out of band):存有坏块标识+ECC 对2kbyte的flash来说，厂家说是前两个即第0、1个字节是坏块标志。ECC：目前有1位、4位和8位，也就是说在512字节中如果是4位的ecc那就可以纠正最多4个bit的错误     1位/256字节 (汉明码)--- 需3字节ECC。对256字节的数据共生成了6个Bit的列校验结果，16个Bit

漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小？如果上拉电阻值过小，VDD灌入端口的电流(Ic)将较大，这样会导致MOS管（三极管）不完全导通(Ib*β如果上拉电阻过大，加上线上的总线电容，由于RC影响，会带来上升时间的增大（下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢），而且上拉电阻过大，即引起输出阻抗的增大，当输出阻抗和负载的阻抗可以比拟的时，则输出的高电平会分

http://www.edafans.cn/bbs/index.asp?boardid=3 点击Interactive Navigation按钮,鼠标变成十字形状,用鼠标 点击原理图上的元件或者在元件的信息栏中选中某个元件后,可以显 示此元件的连接的所有网络信息 PCB选择NET连接线---ctrl+鼠标单击 将PCB翻转 查看反面方便 view-->Filp Board

电容元件上电压不能跃变（例如当电容两端电压撤出时，电容电压不能立即消失） 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越

负反馈放大器可组合成四种类型，即：电流串联、电流并联、电压串联、电压并联四种负反馈类型。正负反馈的判断正负反馈的判断使用瞬时极性法。瞬时极性是一种假设的状态，它假设在放大电路的输入端引入一瞬时增加的信号。这个信号通过放大电路和反馈回路回到输入端。反馈回来的信号如果使引入的信号增加则为正反馈，否则为负反馈。(运算放大器的输出端和同相输入端的瞬时极性相同，和反相输入端的瞬时极性相反)共

Multisim使用技巧：1、器件旋转   (菜单Edit-->orientation)   90°旋转：Ctrl+R       器件水平旋转：ALt+X   器件垂直旋转：ALt+Y 2. 在连接电路时，multisim自动为每个节点分配一个编号。是否显示节点编号可由Options→Sheet Properties对话框的Circuit选项设置。选择RefDes选项

上拉电阻和下拉电阻的作用上拉电阻：1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上

继电器驱动电流一般需要20-40mA或更大，线圈电阻100-200欧姆，因此要加驱动电路  1.  晶体管用来驱动继电器，必须将晶体管的发射极接地。具体电路如下：NPN晶体管                             PNP晶体管 NPN晶体管驱动时：当晶体管T1基极被输入高电平时，晶体管饱和导通，集电极变为低电平，因此继电器线圈通电，触点RL1吸

PROTEL DXP   Ctrl+鼠标右键选中网络相同的连线    shift+C ----filter    Ctr+F 查找   Ctr+crossprobe 原理图和PCB快速切换  快捷键 Q--------------mil 和 mm 切换空格----------翻转元器件Pageup,pagedown ---放大缩小视图切换走线角度：SHIFT+空格

resolution 精度unipolar single  单端  bipolar 双端dissipation 功耗standby 待机crosstalk 串扰acquisition time 采集时间band gap voltage reference 带隙电压参考hysteresis 滞回low dropout 低压差ramp down 斜降ramp u

将元件如何放在设计图中？单击之后选中之后，在设计图中再右键单击放置即可 （一）：常用元件名 选择左边"Compoent mode"  CAP，RES，NPN，OPAMP,NMOSFET,PMOSFET （二）：元件翻转 小键盘的"+","-" （三）频率特性 选择左边“graph Mode"-->"FREQUENCY" 1.选择参考输入信号---"E

CMOS器件的输入端电平如超出电源电压或地电平，将会闩锁在目前的硬件电路设计中，CMOS器件大量使用，并且器件的速度越来越高，集成度越来越大，因此对器件的可靠性要求也不断提高。随着工艺和器件设计水平的进步，CMOS器件的性能提高很大，但由于CMOS芯片本身的工艺结构问题，它存在一个天生的缺陷——闩锁(Latch-up)。闩锁现象会使CMOS器件不能正常工作，严重时损坏器件。虽然在芯片设计时已采

TTL电平：   输出高电平  〉2.4V   输出低电平 〈0.4V  在室温下，一般输出高电平是3.5V  输出低电平是0.2V。   最小输入高电平和低电平   输入高电平  〉=2.0V             输入低电平  《=0.8V      它的噪声容限是0.4V.CMOS电平：  1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。线性电源成本在某一输出功率点上，反而高于开关电源，这一点称为成本反转点。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新，这一成本反转点日益向低输

无源滤波器缺点:带负载能力差,无放大作用,特性不理想边沿不陡峭,各级互相影响。RC滤波       1, C值的选取:C不能选的太小，否则负载电容对滤波电路的影响很大，一般IC的输入电容往往有l~lOpF的输入电容。C值选的太大，则会影响滤波电路的高频特性，因为大电容的高频特性一般都不好。       2, R值的选取:R值过小会加大电源的负载，R值过大则会消耗较多的能量。

采样率是数字上的，每秒采样多少个样点。而带宽则是模拟上的，能够测试信号频率的范围。如果一个ADC的采样频率为5G，但是前面搞一个100M的低通滤波器，那采样率就是5G，带宽就是100M了。带宽反映了这个示波器能够测试的频率范围，如果超过这个频率范围，就不准确了。但是有一条最基本的原则：采样频率不得低于信号带宽的2倍。  示

网上看到两种说法：如下：《1》

C51的说明书上说：”Because Ports 1, 2, and 3 have fixed internal pullups, they are sometimes called quasi-bidirectionalports. When configured as inputs, they pull high and source current (IIL) when external

漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小？       如果上拉电阻值过小，VDD灌入端口的电流(Ic)将较大，这样会导致MOS管（三极管）不完全导通(Ib*β       如果上拉电阻过大，加上线上的总线电容，由于RC影响，会带来上升时间的增大（下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢），而且上拉电阻过大，即引起输出阻抗的增大，当输出阻抗和负载的阻抗

1. AD转换器的分类　　下面简要介绍常用的几种类型的基本原理及特点：积分型、逐次逼近型、并行比较型/串并行型、Σ-Δ调制型、电容阵列逐次比较型及压频变换型。 　　1）积分型（如TLC7135） 　　积分型AD工作原理是将输入电压转换成时间(脉冲宽度信号)或频率(脉冲频率)，然后由定时器/计数器获得数字值。其优点是用简单电路就能获得高分辨率，抗干扰能力强（为何抗干扰性强？原因假设一个对于零

差分运算放大器原理电流测试电路，采用运放的方式作电流检测可以分为：“高端电流检测”和“低端电流检测”。如下图：

1.  对于三极管是基极电流驱动，当电流越大，集电极电流可达越大（满足一定条件），在某个特定基极电流值的时候，集电流都有个饱和值（即饱和电流），datsheet的饱和电流是指的最大饱和电流，对于不同的基极电流，都有对应饱和电流。 2.在三极管中，IE与IB，IC的关系为（IE=IB+IC ），由于IB的数值远远小于IE=（几 ）mA,如果忽略IB，则IC（约等于 ）IE。 3. 不

N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。 对于MOS管一样，只是电压驱动，Vgs>Vt(启动电压),就可以导通，Vgs越大，最大导通电流越大（满足一定条件） MOS管和三极管区别：1. MOS管电压驱动；三极管电流驱动2.MOS输入阻抗高；三极管输入阻抗低

电感元件上电流不能跃变。（电感两端电压撤出后，电流不会立即消失，这样就会产生反动电势）电感是一种储能元件，用在LC振荡电路、中低频的滤波电路，DC-DC能量转换等等，其应用频率范围很少超过50MHz1)主要参数    ①电感值范围:1-470uH    ②直流电阻:有多种直流电阻可供选择，电感值越大，对应的直流电阻也越大。一般信号用电感，其直流电阻比高频信号用电感和电源用电感大

续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。当流过线圈的电流大小发生改变时，线圈要产生一个

处理高频信号的地线时多用via可以降低引线电感一般情况下,高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，因此，常以一点作为接地点；但一点接地不适用于高频，因为高频时，地线上具有电感因而增加了地线阻抗，同时各地线之间又产生电感耦合。一般来说，频率在1MHz以下,可用一点接地；高于10MHz时，采用多点接

电荷泵的基本原理电荷泵的基本原理是给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。我们形象地把这个传递电荷的电容看成是“装了电子的水桶”。从一个大水箱把这个桶接满，关闭龙头，然后把桶里的水倒进一个大水箱[8]。电荷泵也称为开关电容式电压变换器，是一种利用所谓的“快速”或“泵送”电容，而非电感或变压器来储能的DC-DC变换器（直流变换器）。它们能使输

(-5) 为何现在串口速率比并口速率要快？并行通信的瓶颈：并行数据传输技术向来是提高数据传输率的重要手段，但是，进一步发展却遇到了障碍。首先，由于并行传送方式的前提是用同一时序传播信号，用同一时序接收信号，而过分提升时钟频率将难以让数据传送的时序与时钟合拍，布线长度稍有差异，数据就会以与时钟不同的时序送达，另外，提升时钟频率还容易引起信号线间的相互干扰，导致传输错误。串行通信的优势：串行通

过采样技术原理介绍假定环境条件: 10位ADC最小分辨电压1LSB 为 1mv 假定没有噪声引入的时候, ADC采样上的电压真实反映输入的电压, 那么小于1mv的话,如ADC在0.5mv是数据输出为0 我们现在用4倍过采样来, 提高1位的分辨率, 当我们引入较大幅值的白噪声: 1.2mv振幅(大于1LSB), 并在白噪声的不断变化的情况下, 多次采样, 那么我们得到的结果有

半导体二极管的分类 例如：肖特基二极管：1N5819 ，正向电压只有0.2V左右，特点正向电压较小，反向击穿电压较小30V开关二级管：  1N4148， 正向电压0.6V左右，特点反向恢复时间短，反向击穿电压较大75V 肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流稳压二极管稳压值要略大于电压值，这样不至于二极管都在工作状态，造成发热太大，形成

The following fairly complete description of Motorola S-records was found a number of years ago on the man pages of a UNIX system. ---------------------------------------------------------------------

DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据.而且是行列地址复用的，许多都有页模式。    SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。    SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了

一个重要的前提：灌电流和拉电流是针对端口而言的。名词解释——灌：注入、填充，由外向内、由虚而实。渴了，来一大杯鲜榨橙汁，一饮而尽，饱了，这叫“灌”。                 灌电流（sink current） ，对一个端口而言，如果电流方向是向其内部流动的则是“灌电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED连接至VCC，当该IO输出为逻辑0时能不能点亮LED，去查该器件手册中sink cu

     1. 串联有4只二极管的全桥。优点是无论正接、反接，电源都能正常工作。缺点是要损失1.2V ~ 1.4V的电压。2.  串联有1只二极管。优点是电路简单、可靠。但有0.7V的压降。(可采用肖特基二级管例如1N5822 0.35V)3.  串联自恢复保险，在保险后面的电源正、负极反向并联1只二极管。优点输入电压没有损耗。缺点是成本较高。当然亦可把自恢复保险换成普通保险丝

  1. 早期的有线电话采用“共电式”，电话机的电源都是通过电话线由电话局交换机统一供电，电话线起着供电、传送话音、铃流、摘挂机信号等作用。早期电话局使用的电源是原始的铅酸蓄电池，当时的材料、结构等适合正极接地，其电压是基础（单电池）电压是1.2伏的倍数，又根据当时设备部件的和线路的能力，并保证市话有较远的通信距离，以及安全性等，48V电源选择了正极接地（电压也有60伏的），因此对地而言系统是负4

 在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。 1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。（

 1、同步电路和异步电路的区别是什么？（仕兰微电子）异步电路主要是组合逻辑电路，用于产生地址译码器、ＦＩＦＯ或ＲＡＭ的读写控制信号脉冲，但它同时也用在时序电路中，此时它没有统一的时钟，状态变化的时刻是不稳定的，通常输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化。也就是说一个时刻允许一个输入发生变化，以避免输入信号之间造成的竞争冒险。电路的稳定需要有可靠的建立时间和持时间，待下面介绍。      同步

最近做了一块板子，当然考虑到元器件的选型了，由于指标中要求精度比较高，所以对于AD的选型很慎重。很多人对于精度和分辨率的概念不清楚，这里我做一下总结，希望大家不要混淆。我们搞电子开发的，经常跟“精度”与“分辨率”打交道，这个问题不是三言两语能搞得清楚的，在这里只作抛砖引玉了。简单点说，“精度”是用来描述物理量的准确程度的，而“分辨率”是用来描述刻度划分的。从定义上看，这两个量应该是风马

一．TTL      TTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol       Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平       Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．CMOS      

    线性电源的调整管工作在放大状态，因而发热量大，效率低（35%左右），需要加体积庞大的散热片，而且还需要同样也是大体积的工频变压器，当要制作多组电压输出时变压器会更庞大。开关电源的调整管工作在饱和和截至状态，因而发热量小，效率高（75％以上）而且省掉了大体积的变压器。但开关电源输出的直流上面会叠加较大的纹波（50mV at 5V output typical），在输出端并接稳压二极管可以改善