随着微电子集成技术以及加工工艺、材料技术的不断发展。电子罗盘的研究制造与运用也达到了一个前所未有的水平。电子罗盘按照有无倾角补偿可以分为平面电子罗盘和三维电子罗盘,也可以按照传感器的不同分为磁阻效应传感器、霍尔效应传感器和磁通门传感器。

磁阻效应传感器
磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。磁性材料(如坡莫合金)具有各向异性,对它进行磁化时,其磁化方向将取决于材料的易磁化轴、材料的形状和磁化磁场的方向。
磁阻效应传感器一般有四个这样的电阻组成,并将它们接成电桥。在被测磁场作用下,电桥中位于相对位置的两个电阻阻值增大,另外两个电阻的阻值减小。在其线性范围内,电桥的输出电压与被测磁场成正比。 磁阻传感器已经能制作在硅片上,迟滞误差和零点温度漂移还可采用对传感器进行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。
由于磁阻传感器的这些优越性能,使它在某些应用场合能够与磁通门竞争。磁阻传感器的主要问题是其翻转效应,这是其原理所固有的。
如前所述,在使用前对磁性材料进行了磁化,此后如果遇到了较强的相反方向的磁场(大于20高斯)就会对材料的磁化产生影响,从而影响传感器的性能。在极端情况下,会使磁化方向翻转180。这种危险虽然可以利用周期性磁化的方法加以消除,但仍存在问题。对材料进行磁化的磁场必须很强,如果采用外加线圈来产生周期性磁化磁场,就失去了小型化的意义,
霍尔效应传感器
霍尔效应磁传感器的工作原理。如果沿矩形金属薄片的长方向通电流I,由于载流子受洛仑兹力作用,在垂直于薄片平面的方向施加强磁场B,则在其横向会产生电压差U,其大小与电流I、磁场B和材料的霍尔系数R成正比,与金属薄片的厚度d反比。100多年前发现的霍尔效应,由于一般材料的霍尔系数都很小而难以应用,直到半导体问世后才真正用于磁场测量。这是因为半导体中的载流子数量少,如果给它通的电流与金属材料相同,那么半导体中载流子的速度就更快,所受到的洛仑兹力就更大,因而霍尔效应的系数也就更大。霍尔效应磁传感器的优点是体积小,

电子罗盘按有无倾角补偿分为平面和三维,按传感器类型分为磁阻、霍尔和磁通门。磁阻传感器具有高性能,但存在翻转效应;霍尔传感器小巧低价,适合强磁场测量;磁通门磁强计分辨率高,广泛应用于各种领域。随着技术发展,磁阻传感器成为电子罗盘发展趋势。
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