模电基础

本文介绍了电子电路的基础知识,包括积分运算电路在波形处理中的应用,滤波器的种类,如低通、高通、带通和带阻滤波器。讲解了RC和LC电路的谐振频率计算,以及整流电路的工作原理。此外,讨论了在GBT驱动电路中GE间接入电阻的作用,以防止IGBT误导通。同时提到了基尔霍夫定理、反馈电路的概念及负反馈的优点。最后,阐述了有源滤波器和无源滤波器的区别,并介绍了电路中的阻抗概念和计算。

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积分运算电路可以实现波形的移相,波形变换,滤波的功能

滤波器的种类:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器(允许某一频率范围内的信号通过)、带阻滤波器(阻止某一频率范围内的信号通过)

RC串并联电路的谐振频率  f = 1/2ΠRC  

LC并联电路的谐振频率 

半波整流电路:u = 0.45u2

全波整流电路:u = 0.9u2

全波+并联电容:u = 1.2u2

 

GBT驱动电路中GE间经常接个十几K的电阻是什么作用?

       刚才有位仁兄说接个电阻,就是为了把这个电荷放掉。不能否认有这个作用,但是十几K的电阻相对于最大几十欧的IGBT门极关断电阻来说,放电效果是不明显的;所以这个十几K的电阻的设置明显不是针对这个情况设计的,在考虑对IGBT保护设计的时候,有一种情况IGBT比较容易损坏,就是门极电平悬空的时候,IGBT集电极有高电压接通,因为IGBT米勒电容的作用,会导致IGBT误导通,有烧坏IGBT的风险,如果GE间接个十几K的电阻,可以给米勒

学习的两个重点 凡是学的,总是避不开。 上学时老师教的知识,毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计,《》拿起又放下了 n 次,躲不开啊。毕业多年后,回头望,聊聊的学习,但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书,不外是,晶体管放大路、场管放大路、负反馈放大路、集成运算放大器、波形及变换、功放路、直流源等。然而其中的重点,应该是场管和运放。何也? 按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在源、照明、开关、充等等领域随处可见。 运放在今天的应用,也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、源、仪表、等等离不开运放。 1、场效应管是只有一种载流子参与导的半导体器件,是一种用输入压控制输出流的半导体器件。有 N 沟道和 P 沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又称金属-氧化物-半导体管 MOSFET。MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类,每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导类型。 学习时,可将 MOSFET 和 BJT 比较,就很容易掌握,功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、压控制型器件,BJT 则是一种低阻抗、流控制型器件。再比较二者的驱动路,功率 MOSFET 的驱动路相对简单。BJT 可能需要多达 20% 的额定集流以保证饱和度,而 MOSFET 需要的驱动流则小得多,而且通常可以直接由 CMOS 或者集极开路 TTL 驱动路驱动。其次,MOSFET 的开关速度比较迅速,MOSFET 是一种多数载流子器件,能够以较高的速度工作,因为没有荷存储效应。其三,MOSFET 没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外,MOSFET 具有并行工作能力,具有正的阻温度系数。温度较高的器件往往把流导向其它MOSFET,允许并行路配置。而且,MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管,在感性负载开关中特别有用。 场管有两种工作式,即开关式或线性式。所谓开关式,就是器件充当一个简单的开关,在开与关两个状态之间切换。线性工作式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分,但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET 保持连续性的工作状态,此时漏流是所施加在栅极和源极之间压的函数。它的线性工作式与开关工作式之间的区别是,在开关路中,MOSFET 的漏流是由外部元件确定的,而在线性路设计中却并非如此。 2、运放所传递和处理的信号,包括直流信号、交流信号,以及交、直流叠加在一起的合成信号。而且该信号是按“比例(有符号+或-,如:同相比例或反相比例)”进行的。不一定全是“放大”,某些场合也可能是衰减(如:比例系数或传递函数 K=Vo/Vi=-1/10)。 运放直流指标有输入失调压、输入失调压的温度漂移(简称输入失调压温漂)、输入偏置流、输入失调流、输入失调流温漂、差开环直流压增益、共抑制比、压抑制比、输出峰-峰值压、最大共输入压、最大差输入压。 交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声压、差输入阻抗、共输入阻抗、输出阻抗。 个人认为,选择运放,可以只侧重考虑三个参数:输入偏置流、供源和单位增益带宽。
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