台湾内存厂商进军NAND市场未果,时机已过仅当利基玩家?

台湾内存制造商如南亚、力晶半导体等试图进入NAND闪存市场,但因缺乏专利和技术面临挑战。部分厂商转向代工策略,如力晶获得瑞萨科技授权,茂德则开始试产自有技术的NAND闪存。

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上网时间:2006年08月29日
 
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厌倦了总是坐在NAND闪存的靠边位置,台湾地区的内存制造商们正继续朝这欣欣向荣的业务领域大举进攻。

 

台湾地区的DRAM制造商南亚(Nanya)、力晶半导体(Powerchip)和茂德(ProMos)数年来发表了各式各样的关于杀入NAND市场的隆重声明,但没有展现任何战绩。很明显,这些DRAM供应商入市时机已晚,主要是因为它们缺乏两个必要的因素——专利和技术。

 

因此,台湾地区看起来正朝向更安全的闪存代工策略,这样,供应商可以为其它公司制造部件。目前至少有两家雄心勃勃的台湾地区企业期望在NAND市场留下自己的印记。Powerchip 今年早些时候被授权售卖一种NAND部件产品系列AG-AND,基于日本瑞萨科技(Renesas Technology)的技术。瑞萨早前声称将退出NAND市场。但更大的进展来自DRAM专业公司茂德(ProMos),该公司宣称已“试生产”据称是台湾地区首款专有的NAND闪存部件。茂德自主设计的1Gb NAND部件基于130nm工艺,由该公司的200mm厂生产。

 

该技术角逐起来的竞争来还远远不够,但茂德计划加快研发成效快步追上。Gartner分析师Ben Lee表示:“在2007年上半年之前茂德没有量产130nm NAND闪存芯片的计划。为响应市场需求,茂德将在其300纳米生产厂内推出大于16Gb存储芯片的亚60nm制造。”

 

台湾地区厂商能否与Hynix、IM Flash、三星、东芝及其它NAND领先厂商相抗衡?目前还不清楚。然而分析师表示,如同DRAM一样,台湾地区有望成为NAND的利基玩家。或者,机会主义的台湾地区供应商可能会猜测当前会出现可怕的NAND降价风波而延迟进入。
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