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N型（Negative负）电子 P型（Positive正）空穴 PN结：N型和P型半导体交界面形成。   二极管： 伏安特性： 硅：U=0.6~0.8V； 鍺：U=0.1~0.3V。  （除了肖特基二极管（0.3V左右），其他的二极管压降一般式0.8V左右） 稳压二极管： 正向特性与普通二极管类似，但反向击穿后，击穿曲线几乎平行于Y轴，这个表现出稳压特性。

/************************************************************************/ /* 1. 计算耐压值 Vmax 2. 计算耐流值 Icm 3. 计算功率值 Pcm Vcc | = R_j

变容二极管 1、变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如右图所示。 2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解： (a) 反向偏压增加，造成电容减少； (b)

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看了接近三遍的三极管，表示过了一段时间之后就忘了，忘了又得去重新看，应该也是自己没有深刻理解其工作原理导致最后浪费很多时间。 首先看一下三极管的图： 三极管的组成，我觉得再看三极管工作原理的时候，第一步必须清楚其结构，要不然，就不会引出后面的这么多性质。 三极管的基极是一层很薄（微米数量级）掺杂浓度比较低的N型半导体， 或者是P型半导体 三极管的发射极是一层掺杂浓度比较高的N/P型半导

米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 　　米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现

普通发光二极管的正向饱和压降1.6~2.1v, 正向工作电流为5~20mA 1）考虑一个问题工作电流一般是取中间值，Iwork= (Imin+Imax) / 2，取其值的原因是，为了防止电源电压波动，波动在允许范围内，都是可以正常工作的。 2）考虑接的限流电阻 R = (Vcc-V)/Iwork, 其中V为正向饱和压降。 3）考虑单片机能够承受的灌电流，以及拉电流。如果单片机口作为驱