ULTRARAM通用内存技术迈向工业规模化生产

Quinas Technology公司在其ULTRARAM通用计算机内存批量生产方面完成了重要的第一步。ULTRARAM结合了DRAM的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。

IQE公司成功将Quinas创始人在兰卡斯特大学首次开发的化合物半导体层技术扩展到工业化工艺。这个为期一年的项目开发了先进的锑化镓和锑化铝外延技术，被誉为可扩展存储设备领域的世界首创。外延是在晶体衬底上以受控方式生长晶体层的工艺，沉积层会采用衬底的晶体结构。

IQE首席执行官Jutta Meier表示："我们成功实现了为ULTRARAM开发可扩展外延工艺的目标，这是朝着封装芯片工业化生产迈出的重要里程碑。这个项目为在英国将下一代化合物半导体材料产业化提供了独特机会。"

IQE已开发出制造方法，能够在工业平台上使用外延技术生长ULTRARAM的化合物半导体（锑化镓和锑化铝）结构。该项目获得了英国创新署的资助。

Quinas首席执行官兼联合创始人James Ashforth-Pook强调了英国半导体主权的重要性，他说："这个项目标志着从大学研究到商业内存产品转化过程中的转折点。借助IQE的工业化能力和英国创新署的支持，我们在构建内存主权能力方面迈出了关键一步——内存是英国半导体技术栈中最具战略重要性但代表性不足的细分领域。"

Quinas和IQE目前正在探索与晶圆厂和战略合作伙伴进一步推进工业化和试点生产。

Ashforth-Pook认为："ULTRARAM在人工智能、移动设备和数据中心应用中显著提升能效的潜力，将使英国在下一代内存创新领域处于领先地位。"

如果ULTRARAM取代需要持续刷新的DRAM，这部分电力消耗将被完全消除。Quinas表示，其最小设备能够"在100纳秒内以低于1飞焦耳的能量进行切换，这比任何已知的存储设备都要低。作为'通用内存'的候选技术，ULTRARAM有潜力从根本上改变整个数