redis

概念:

  是分步式的数据库的一种,是一个内存库,是一种kwy/value形式的数据结构。具有高可用、高性能,可扩展性,存储和访问快的特点。

  有两种模式的数据持久化:

  1、rdb

            快照模式,是指隔一段时间,会将内存中的全部数据持久化到磁盘。如果机子崩掉,最后一次快照的数据会丢失。

        2、aof

   会将每一条命令以日志的形式记录下来。


安装部署:

下载地址http://redis.io/download
安装步骤:


1 首先需要安装gcc,把下载好的redis-3.0.0-rc2.tar.gz 放到linux /usr/local文件夹下


2 进行解压 tar -zxvf redis-3.0.0-rc2.tar.gz


3 进入到redis-3.0.0目录下,进行编译 make


4 进入到src下进行安装 make install  验证(ll查看src下的目录,有redis-server 、redis-cil即可)


5 建立俩个文件夹存放redis命令和配置文件


mkdir -p /usr/local/redis/etc
 
mkdir -p /usr/local/redis/bin


6 把redis-3.0.0下的redis.conf 移动到/usr/local/redis/etc下,
 
   cp redis.conf /usr/local/redis/etc/


7 把redis-3.0.0/src里的mkreleasehdr.sh、redis-benchmark、redis-check-aof、redis-check-dump、redis-cli、redis-server 
文件移动到bin下,命令:


mv mkreleasehdr.sh redis-benchmark redis-check-aof redis-check-dump redis-cli redis-server /usr/local/redis/bin


8 启动时并指定配置文件:./redis-server /usr/local/redis/etc/redis.conf(注意要使用后台启动,所以修改redis.conf里的 daemonize 改为yes)


9 验证启动是否成功:
ps -ef | grep redis 查看是否有redis服务 或者 查看端口:netstat -tunpl | grep 6379


进入redis客户端 ./redis-cli 退出客户端quit
退出redis服务: 
(1)pkill redis-server 、
(2)kill 进程号、
                            
(3)/usr/local/redis/bin/redis-cli shutdown 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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