mos管做电源开关

最新推荐文章于 2025-05-06 15:45:38 发布
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分类专栏： 笔记
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/zaohang/article/details/122146032
本文揭示了mos管作为电源开关时，为何在输出端放电容的同时，输入端也需要同等容量电容的原因，涉及电源瞬间负载和输出稳定性问题。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

mos管作为电源开关时，如果想在输出端放大电容，输入端也应该放一个同等容量的电容，如果输入端不放电容，mos管在打开的一瞬间，电源会给电容充电，如果电源的输出能力不足，有可能瞬间拉低电源的输出。

硬件基础：带缓启动MOS管电源开关电路
domen_pan的博客
03-19 1万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V，电容充电电流会非常大。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用
07-21
在开关电源电路设计中，三极管和MOS管是两种常见的半导体器件，它们在应用中各有其特点和优势。正确区分和选择合适的器件对于电路的性能和效率至关重要。 首先，我们需要了解三极管的工作原理。三极管是由三个区域...
【硬核】把一个MOS管制作成开关电路
撞上电子
11-14 9136
你要是想读懂这篇文章，请先去了解MOS管的基础知识，本文是在基础之上做出的一部分扩展，可能有一点点深，请各位同学注意。本文带你了解MOS管的开通/关断原理，使用PMOS做上管、NMOS做下管都是比较方便，使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：PMOS和NMOS的开通/关断原理主要基于半导体材料的特性。NMO...
设计MOS管开关电路
最新发布
weixin_46591668的博客
05-06 492
1.MOS管的控制模式：电压控制电流，如果想要DS之间流过电流，就必须先得施加一个电压2.MOS管的开通条件：图中画的是NMOS，想要导通的话就得Vgs＞Vth。
MOS管在开关电路中的使用
热门推荐
咸鱼翻书
09-17 7万+
        MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。         场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的...
基于MOS管的开关电路
小醒爱硬件的博客
02-27 1万+
不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
MOS管做开关之初理解
liming0931的专栏
09-07 6896
杰杰物联网IoT开发2017-10-12 大家好，我是杰杰。 今晚，设计电路搞了一晚上，终于从模电渣渣的我，把MOS管理解了那么一丢丢，如有写的不好的地方，请指出来。谢谢。 我带的师弟选的题目是自动恒温控制的系统 ，打算用闭环的控制，对比继电器，MOS管更精确的控制一点。所以才用上MOS管。 在数字电路中使用三极管就可以做开关，但是一般是...
简谈三极管和MOS管在开关电源中的应用
07-27
2. 驱动能力：MOS管因其低输入电流特性，常用于电源开关和大电流开关电路。 3. 成本问题：三极管通常比MOS管便宜。 4. 线性和噪声：MOS管具有更好的线性性能和较低的噪声。 5. 极性：三极管只有NPN和PNP两种极性...
开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路
01-12
（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） 　在讨论前我们先做几个假设： 　① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； 　② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； 　③ 在调整RCD回路前主...
MOS管当开关控制时为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管
07-07
在电子电路设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）被广泛用作开关控制元件。MOS管分为两种类型：N沟道MOS管（NMOS）和P沟道MOS管（PMOS）。NMOS管的载流子是电子，而PMOS管的载流子是空穴。为了在开关控制...
【硬件】如何使用MOS管作为开关控制？如何看懂参数？如何MOS管选型？（从原理上分析）
wind
11-17 3万+
实际硬件电路中，经常会有一些设备的供电控制，尤其是进行大功率负载的上电与断电控制，可以采用MOS管作为开关进行控制。4.实例，采用PMOS进行开关控制，且如何看懂datasheet?3.MOS管说明，什么是PMOS,什么是NMOS?4）RDS，DS端等效的电阻，越小越好。1.使用MOS管作为开关控制的应用。最近又迷上了硬件，研究研究，哈哈~使用Multisim仿真,示例！创作时间：2020-11-17。3）ID，可承受的负载最大电流。2）VDSS,负载电压。2.单晶体管负载开关。1）VGS，开启电压。
【科普贴】MOS管开关原理及应用详解
zangqihu的博客
09-17 4万+
前言： MOS管通常被用作电源开关使用，通常使用PMOS做为上管，将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景，但使用较少。此贴为科普贴，就不做累述了。 MOS原理介绍： 1、NMOS管介绍 电流方向从D→S(漏极流向源极)，导通条件为VGS有一定的压降（具体压降为多少，请参考手册）。通常为VG>VS 即栅极电压高于源极。 2、PMOS管介绍 电流方向从S→D（源极流向漏极），导通条件为VGS有一定的压降（具体压降多少，请参考手册）。通常为VS>VG 即源极电压高于栅极。 为什么通常使用P
硬件---7MOS管---开关电路设计、寄生电容、寄生二极管、做开关电源注意事项
weixin_44176501的博客
11-20 4056
一般情况下MOS管的源级都会连接GND，当不直接连接GND时就会存在一些注意事项，对这个电路进行简单说明，其实也是MOS管的一些特性，当没有上电的时候，所有极都是0V，上电后栅极为5V，假设MOS管导通电压是3V，Vgs大于导通电压，MOS管导通，导通后电流从D极流向S极，因为源级不接GND，所以源级电压会逐渐升高，直到Vgs小于饱和导通电压，从而进入放大区，这个时候MOS管相当于一个电阻，无论D极电压怎么改变，MOS管也不会在进入饱和导通区，一直处于放大区。但是电源不是凭空出现的，这就会导致预算的增加。
带软开启功能的MOS管电源开关电路！
strongerHuang
02-23 1万+
关注、星标公众号，不错过精彩内容作者：LR梁锐，排版整理：晓宇微信公众号：芯片之家（ID：chiphome-dy）电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。...
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析
Mark_md的博客
07-02 7万+
随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但这都是MOS适用的强项。下面来介绍几种产品设计中常用的NMOS的电源开关电路。 1、NMOS做电源开关（低端驱动，最简单） 由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。 下图为使用NMOS，最简单的开关电路。（低端驱
三极管+MOS管共同组成的开关电路
小醒爱硬件的博客
02-28 1万+
本笔记是看逐个“三极管+MOS管共同组成的开关电路”视频进行学习，故笔记以逐个电路图展开。
【电路】MOS管开关电路
AuroraSmith的博客
11-15 4876
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：有3个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。
MOS管开关设计知识-（五种MOS管开关电路图方式）
学海无涯的专栏
01-17 1万+
如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
mos管做开关的一些实际经验
x13163303344的专栏
08-21 3万+
介绍过一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以上的电路存在着几个缺点：  1.管压降较大  我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0～0.3V，这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V，某些1.5V的电源变成1.2V，这会导致由此供电的芯片损坏。  PMOS的管子压降为Vdrop=Id×Rdson，Rdson可选择，实际的值在1欧以内。  2
mos管做电源开关电路原理图
03-27
### MOS管电源开关电路设计方案 #### NMOS管作为电源开关的设计方案 NMOS管通常用于低边开关配置。在这种设计中，源极连接到地，漏极通过负载连接到正电源电压 \(V_{DD}\)，栅极则由控制信号驱动。 以下是基于NMOS管的典型电源开关电路原理图： ```plaintext V_DD | [Load] | _______ | | Drain--| NMOS |--- GND |_______| Gate---------> Control Signal (PWM or Logic Level) Source------> GND ``` 为了确保可靠工作，必须满足以下条件： - 栅极驱动电压 \(V_G\) 应高于阈值电压 \(V_{TH}\)[^1]，以使MOS管完全导通。 - 负载电流不得超过所选MOS管的额定电流[^2]。 --- #### PMOS管作为电源开关的设计方案 PMOS管常被用作高边开关。其源极连接至正电源电压 \(V_{DD}\)，漏极通过负载接地，而栅极接收反相逻辑电平信号。 下面是典型的PMOS管电源开关电路原理图： ```plaintext V_DD | _______ | | Source--| PMOS |-- Load -- GND |_______| Gate --------> Inverted Control Signal (Logic Level) Drain -------> Connect to Load ``` 对于PMOS管的工作条件如下： - 当栅极相对于源极为负时 (\(V_{GS} < -V_{TH}\))，PMOS管会进入饱和区并导通。 - 同样需要注意的是，实际应用中的最大电流不应超过器件规格书规定的额定值。 --- #### 加入软启动功能的改进版MOS管开关电路 某些应用场景下可能需要加入软启动机制来减少浪涌电流的影响。这可以通过增加RC延时网络实现。 下面是一个带有软启动特性的NMOS管开关电路实例： ```plaintext V_DD | [Capacitor C] | [Resistor R] | _______ | | Drain--| NMOS |--- GND |_______| Gate---->| RC Network Output Source--> GND ``` 在这个例子中，电阻R和电容C共同构成了时间常数 \(\tau = R \cdot C\), 控制了栅极充电的速度从而实现了渐进式的开启过程。 --- #### 关键参数选择指南 当选用具体型号时，除了考虑上述提到的操作模式外还需要关注以下几个方面： - **击穿电压\(V_{DS(max)}\)**: 确保它大于系统供电轨最高可能出现的瞬态峰值电压； - **连续漏极电流\(I_D\) 和脉冲电流能力**: 这些数值应该覆盖整个预期运行范围内的最坏情况下的需求； 最后提醒，在实际布局PCB板子的时候也要注意散热处理以及寄生效应等问题。 ---
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