Ransom Note

本文介绍了一种用于检查是否能从给定的杂志字符串中构造出任意勒索信字符串的算法。通过遍历杂志字符串计数每个字符出现次数,并验证这些字符是否足够构成勒索信,若杂志字符串中字符不足则返回失败。

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383. Ransom Note

 
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Given
 an 
arbitrary
 ransom
 note
 string 
and 
another 
string 
containing 
letters from
 all 
the 
magazines,
 write 
a 
function 
that 
will 
return 
true 
if 
the 
ransom 
 note 
can 
be 
constructed 
from 
the 
magazines ; 
otherwise, 
it 
will 
return 
false. 



Each 
letter
 in
 the
 magazine 
string 
can
 only 
be
 used 
once
 in
 your 
ransom
 note.

public boolean canConstruct(String ransomNote, String magazine) {
        if(ransomNote == null) return true;
        if(magazine == null) return false;
        int[] counts = new int[26];
        for(int i = 0; i < magazine.length(); i++) {
            counts[magazine.charAt(i) - 'a']++;
        }
        for(int i = 0; i < ransomNote.length(); i++){
            int index = ransomNote.charAt(i) - 'a';
            if(--counts[index] < 0) return false;
        }
        return true;
    }


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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